一种厚膜热敏打印头及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种厚膜热敏打印头及其制备方法，厚膜热敏打印头的制备方法包括：首先提供绝缘基板，绝缘基板包括第一绝缘区和第二绝缘区；再在绝缘基板一侧且在至少第一绝缘区形成蓄热釉涂层；再在绝缘基板一侧且在第二绝缘区形成键和电极和引出电极，键和电极和引出电极包括一层电极层；在蓄热釉涂层远离绝缘基板一侧且在第一绝缘区形成共通电极，共通电极包括两层电极层；最后在共通电极远离蓄热釉涂层一侧形成电阻层。本发明专利技术实施例通过将共通电极设置两层电极层，即电阻层位于两层电极层远离绝缘基板一侧，可以解决共通电极在制备或后续使用过程中因外界因素导致共通电极熔断或迁移的情况，从而提升厚膜热敏打印头的工作稳定性。的工作稳定性。的工作稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种厚膜热敏打印头及其制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及热敏打印领域，尤其涉及一种厚膜热敏打印头及其制备方法。

技术介绍

[0002]厚膜热敏打印头用发热基板包括表面形成有非晶质釉涂层的绝缘基板，在非晶质釉涂层上设导体层，导体层图形化后覆盖发热电阻体层，生产制造过程中，通过照相制版技术，将银导体层形成电极导线，将电阻体层形成沿主打印方向排列的若干个发热电阻体电阻，再使用非导电材料，通过印刷烧结的方法，在发热电阻体电阻及至少部分银电极导线上形成耐磨保护层，键合电极暴露在空气中留待后续测试和通过金丝与IC键合。发热体中央部因为存在电位差且热量集中并频繁冷热冲击导致银电极图形易从基板发生剥离或迁移。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种厚膜热敏打印头及其制备方法，在共通电极的制备过程中采用双层电极层进行制备，避免共通电极出现在制备或后续使用过程中因外界因素导致共通电极熔断或迁移的情况，从而提升厚膜热敏打印头的工作稳定性。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种厚膜热敏打印头的制备方法，包括：
[0005]提供绝缘基板，所述绝缘基板包括第一绝缘区和第二绝缘区；
[0006]在所述绝缘基板一侧且在至少所述第一绝缘区形成蓄热釉涂层；
[0007]在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成键和电极和引出电极，所述键和电极和所述引出电极包括一层电极层；在所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成共通电极，所述共通电极包括两层所述电极层；/>[0008]在所述共通电极远离所述蓄热釉涂层一侧形成电阻层。
[0009]可选的，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成键和电极和引出电极，所述键和电极和所述引出电极包括一层电极层；在所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成共通电极，所述共通电极包括两层电极层，包括：
[0010]制备第一电极层，所述第一电极层在所述第一绝缘区且位于所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧，所述第一电极层在所述第二绝缘区且位于所述绝缘基板一侧；
[0011]制备所述第二电极层，所述第二电极层位于所述第一绝缘区且位于所述第一电极层远离所述蓄热釉涂层一侧；
[0012]对所述第一电极层和所述第二电极层进行图案化刻蚀，在所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成所述共通电极，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成所述键和电极和所述引出电极。
[0013]可选的，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成键和电极和引出电极，所述键和电极和所述引出电极包括一层电极层；在所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成共通电极，所述共通电极包括两层电极层，包括：
[0014]制备所述第二电极层，所述第二电极层位于所述第一绝缘区且位于所述蓄热釉涂
层远离所述绝缘基板一侧；
[0015]制备所述第一电极层，所述第一电极层位于所述第一绝缘区且位于所述第二电极层远离所述蓄热釉涂层一侧，所述第一电极层位于所述第二绝缘区且位于所述绝缘基板一侧；
[0016]对所述第一电极层和所述第二电极层进行图案化刻蚀，在所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成所述共通电极，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成所述键和电极和所述引出电极。
[0017]可选的，所述第二绝缘区还包括键和区和引出区，所述键和区位于所述引出区远离所述第一绝缘区一侧，沿所述绝缘基板的厚度方向，所述键和电极位于所述键和区，所述引出电极位于所述引出区，所述共通电极位于所述第一绝缘区；
[0018]在所述共通电极远离所述蓄热釉涂层一侧形成电阻层之后，还包括：
[0019]在所述电极层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区和所述引出区形成绝缘保护层。
[0020]可选的，在所述电极层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区和所述引出区形成绝缘保护层之后，还包括：
[0021]在所述绝缘保护层远离所述绝缘基板一侧且位于所述第一绝缘区形成耐磨保护层。
[0022]第二方面，本专利技术实施例提供一种厚膜热敏打印头，包括：
[0023]绝缘基板，所述绝缘基板包括第一绝缘区和第二绝缘区；
[0024]蓄热釉涂层，至少位于所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区；
[0025]键和电极和引出电极，位于所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区，所述键和电极和所述引出电极包括一层电极层；
[0026]共通电极，位于所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区，所述共通电极包括两层所述电极层；
[0027]电阻层，位于所述共通电极远离所述蓄热釉涂层一侧。
[0028]可选的，所述电极层包括第一电极层和第二电极层；所述第一电极层位于所述第一绝缘区和所述第二绝缘区，所述第二电极层位于所述第一绝缘区；
[0029]所述第二电极层位于所述第一电极缘层远离所述蓄热釉涂层一侧；
[0030]或者，所述第二电极层位于所述第一电极缘层靠近所述蓄热釉涂层一侧。
[0031]可选的，所述第一电极层的材质为金或银；
[0032]所述第二电极层的材质为金、铜、镍、钛、铬、锡中的至少一种或合金。
[0033]可选的，所述第二绝缘区还包括键和区和引出区，所述键和区位于所述引出区远离所述第一绝缘区一侧，沿所述绝缘基板的厚度方向，所述键和电极位于所述键和区，所述引出电极位于所述引出区，所述共通电极位于所述第一绝缘区；
[0034]所述厚膜热敏打印头还包括绝缘保护层；
[0035]所述绝缘保护层位于所述电极层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区和所述引出区。
[0036]可选的于，所述厚膜热敏打印头还包括耐磨保护层；
[0037]所述耐磨保护层位于所述绝缘保护层远离所述绝缘基板一侧且位于所述第一绝
缘区。
[0038]本专利技术实施例提供的厚膜热敏打印头的制备方法，首先提供绝缘基板，绝缘基板包括第一绝缘区和第二绝缘区；再在绝缘基板一侧且在至少第一绝缘区形成蓄热釉涂层；再在绝缘基板一侧且在第二绝缘区形成键和电极和引出电极，键和电极和引出电极包括一层电极层；在蓄热釉涂层远离绝缘基板一侧且在第一绝缘区形成共通电极，共通电极包括两层电极层；最后在共通电极远离蓄热釉涂层一侧形成电阻层。其共通电极采用双层电极层进行制备，即共通电极为双层电极结构，对外界的电势差导致的电子移动以及温度差异及物理化学磨损等具有进一步的抵抗作用，避免共通电极出现熔断或迁移的情况，从而提升厚膜热敏打印头的工作稳定性。
附图说明
[0039]为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0040]图1是本专利技术实施例一提供的一种厚膜热敏打印头的制备方法流程示意图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚膜热敏打印头的制备方法，其特征在于，包括：提供绝缘基板，所述绝缘基板包括第一绝缘区和第二绝缘区；在所述绝缘基板一侧且在至少所述第一绝缘区形成蓄热釉涂层；在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成键和电极和引出电极，所述键和电极和所述引出电极包括一层电极层；在所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成共通电极，所述共通电极包括两层所述电极层；在所述共通电极远离所述蓄热釉涂层一侧形成电阻层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成键和电极和引出电极，所述键和电极和所述引出电极包括一层电极层；在所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成共通电极，所述共通电极包括两层所述电极层，包括：制备第一电极层，所述第一电极层在所述第一绝缘区且位于所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧，所述第一电极层在所述第二绝缘区且位于所述绝缘基板一侧；制备所述第二电极层，所述第二电极层位于所述第一绝缘区且位于所述第一电极层远离所述蓄热釉涂层一侧；对所述第一电极层和所述第二电极层进行图案化刻蚀，在所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成所述共通电极，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成所述键和电极和所述引出电极。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成键和电极和引出电极，所述键和电极和所述引出电极包括一层电极层；在所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成共通电极，所述共通电极包括两层所述电极层，包括：制备所述第二电极层，所述第二电极层位于所述第一绝缘区且位于所述蓄热釉涂层远离所述绝缘基板一侧；制备所述第一电极层，所述第一电极层位于所述第一绝缘区且位于所述第二电极层远离所述蓄热釉涂层一侧，所述第一电极层位于所述第二绝缘区且位于所述绝缘基板一侧；对所述第一电极层和所述第二电极层进行图案化刻蚀，在所述绝缘基板一侧且在所述第一绝缘区形成所述共通电极，在所述绝缘基板一侧且在所述第二绝缘区形成所述键和电极和所述引出电极。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二绝缘区还包括键和区和引出区，所述键和区位于所述引出区远离所述第一绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东娜，刘庆军，王超，山科佳弘，
申请(专利权)人：山东华菱电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：