一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管，包括水平排列的鳍式沟道或水平排列的纳米片沟道或纳米线沟道，在沟道两端、每条沟道伸入其中约1/14沟道长度的源、漏，包裹沟道的栅极氧化物，包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极，在控制栅极和极性栅极中间、包裹栅极氧化物的栅极隔离层，在控制栅和源中间、包裹沟道的齿状源侧墙，在极性栅和源中间、包裹沟道的齿状漏侧墙以及在器件底部的衬底。本发明专利技术与常规器件相比，齿状侧墙的存在增大了源与沟道的接触面积，且实现了源侧沟道末端垂直于沟道方向的隧穿，故将开态电流提升两个数量级，同时关态电流基本保持不变，故具有更为理想的电流开关比和逻辑响应速度。理想的电流开关比和逻辑响应速度。理想的电流开关比和逻辑响应速度。

【技术实现步骤摘要】
一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管


[0001]本专利技术属于半导体器件中的场效应晶体管领域，具体涉及一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管。

技术介绍

[0002]半导体技术的发展依赖着器件尺寸的不断缩小。随着工艺节点的演进，传统平面器件的短沟道效应和泄漏电流越来越不可忽视，摩尔定律的演变也受制于经济成本和制造工艺技术。在此情况下许多新型器件结构被相继提出。其中鳍式场效应晶体管（Fin Field
‑
Effect Transistor）、纳米片环栅场效应晶体管（Nanosheet Gate
‑
All
‑
Around Field
‑
Effect Transistor）与纳米线环栅场效应晶体管（Nanowire Gate
‑
All
‑
Around Field
‑
Effect Transistor）由于具备出色的栅控能力，成为7纳米及以下节点极具吸引力的结构之一。采用鳍式沟道、垂直排列纳米片或纳米线沟道的器件在更小的面积上可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：数条水平排列的沟道（1）；设于数条沟道（1）左端的源（2），每条沟道（1）伸入源（2）内1/14沟道长度；设于数条沟道（1）右端的漏（3），每条沟道（1）伸入漏（3）内1/14沟道长度；包裹在各沟道（1）外侧的栅极氧化物（4）；对称设置且包裹在栅极氧化物（4）外侧的控制栅极（5）和极性栅极（6）；包裹在栅极氧化物（4）外侧、位于控制栅极（5）与极性栅极（6）之间的栅极隔离（7）；设置于控制栅极（5）和源（2）之间的齿状源侧墙（8），沟道（1）与齿状源侧墙（8）直接接触，每条沟道（1）两侧的源侧墙（8）厚度不同，齿状源侧墙（8）的厚薄交替变化，形成齿状的凹凸，凹凸的厚度差等于沟道（1）伸入源（2）内的长度；设置于极性栅极（6）和漏（3）之间的齿状漏侧墙（9），形状与位置完全与源侧墙（8）对称；设于上述结构底部的衬底（10）。2.根据权利要求1所述的具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管，其特征在于，所述沟道（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亚宾，汪超，石艳玲，李小进，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：