一种半导体场效应晶体管及其制备方法、电路组件技术

本申请实施例涉及半导体技术领域，提供了一种半导体场效应晶体管及其制备方法、电路组件，该半导体场效应晶体管包括碳化硅N型衬底层、带有多个凹槽的碳化硅N型外延层、包括P型阱区、P+掺杂区、N+掺杂区和P型碳化硅层的掺杂层区、栅极层、用于形成欧姆接触的第一金属层、与所述碳化硅N型外延层接触以形成肖特基接触的第二金属层、漏极层和源极层。通过形成的肖特基区域中肖特基接触降低内部的内部导通电压以降低双极退化，并且肖特基区域构建场效应管结构间的连接，减少栅漏电容面积以此减小米勒效应带来的影响。勒效应带来的影响。勒效应带来的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体场效应晶体管及其制备方法、电路组件


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体场效应晶体管及其制备方法、电路组件。

技术介绍

[0002]目前，功率半导体器件发展迅速，各种材料被应用其中以探索最佳半导体器件，其中，尤以碳化硅最为出色。而传统的碳化硅场效应晶体管中，由于其中的碳化硅二极管结构导通电压较高，高导通电压的会导致器件产生较大损耗，降低了器件的导电能力。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的主要目的在于提出一种半导体场效应晶体管及其制备方法、电路组件，旨在降低半导体场效应晶体管内部导通电压。
[0004]为实现上述目的，本申请实施例的第一方面提出了一种半导体场效应晶体管，所述半导体场效应晶体管包括：
[0005]碳化硅N型衬底层；
[0006]碳化硅N型外延层，位于所述碳化硅N型衬底层上方，所述碳化硅N型外延层的上表面设有多个凹槽；
[0007]掺杂层区，位于每个所述凹槽内，包括P型阱区、P+掺杂区、N+掺杂区和P型碳化硅层，所述P型碳化硅层位于所述凹槽底部，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，所述半导体场效应晶体管包括：碳化硅N型衬底层；碳化硅N型外延层，位于所述碳化硅N型衬底层上方，所述碳化硅N型外延层的上表面设有多个凹槽；掺杂层区，位于每个所述凹槽内，包括P型阱区、P+掺杂区、N+掺杂区和P型碳化硅层，所述P型碳化硅层位于所述凹槽底部，所述P型阱区位于所述P型碳化硅层上方，所述P+掺杂区位于所述P型碳化硅层上方并与所述P型阱区接触，所述N+掺杂区嵌入所述P型阱区并与所述P+掺杂区接触；栅极层，位于所述碳化硅N型外延层上方并分别与所述P型阱区和所述N+掺杂区接触，以形成所述半导体场效应晶体管的栅极；第一金属层，位于所述P型阱区和所述N+掺杂区上方，所述第一金属层分别与所述P+掺杂区和所述N+掺杂区接触以形成欧姆接触；第二金属层，位于所述碳化硅N型外延层上方，所述第二金属层与所述碳化硅N型外延层接触以形成肖特基接触；漏极层，位于所述碳化硅N型衬底层下方，以形成所述半导体场效应晶体管的漏极；源极层，覆盖所述栅极层、所述P+掺杂区、所述第一金属层和所述第二金属层，以形成所述半导体场效应晶体管的源极。2.根据权利要求1所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述P型阱区、所述P+掺杂区和所述N+掺杂区通过多次离子注入形成。3.根据权利要求1所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述P+掺杂区由高到低沿所述源极层至所述漏极层方向分布。4.根据权利要求1所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述碳化硅N型外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层位于所述碳化硅N型衬底层上方，所述第二外延层位于所述第一外延层上方并设有多个所述凹槽，所述第一外延层掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度。5.根据权利要求4所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一外延层厚度为5μm至20μm之间，掺杂浓度为1e
15
cm
‑3至5e
16
cm
‑3之间。6.根据权利要求4所述的半导体场效应晶体管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇强，杨承晋，刘涛，
申请(专利权)人：深圳市森国科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：