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本发明公开了一种具有齿状侧墙的可重构场效应晶体管，包括水平排列的鳍式沟道或水平排列的纳米片沟道或纳米线沟道，在沟道两端、每条沟道伸入其中约1/14沟道长度的源、漏，包裹沟道的栅极氧化物，包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极，在控制栅极和极性栅...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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