半导体装置以及电力变换装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，在将多个低压元件串联连接而构成的共源共栅型的高压元件中在降低连接的低压元件的级数的同时，不被限制于低压元件的栅极氧化膜的耐压而能够构成期望的耐压的高压元件。在将第1半导体元件和1个或多个第2半导体元件串联连接而成的半导体装置中，特征在于，所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件在源极端子与漏极端子之间或者发射极端子与集电极端子之间具有控制信号输出端子，所述第2半导体元件的栅极端子连接于与所述第2半导体元件的源极或者发射极侧邻接地串联连接的第1半导体元件或者第2半导体元件的控制信号输出端子。的控制信号输出端子。的控制信号输出端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电力变换装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置的构造，特别是涉及有效地适用于将多个低压元件进行串联连接而构成的共源共栅(cascode)型的高压元件的技术。

技术介绍

[0002]在功率晶体管、功率二极管等功率半导体器件的开发中，重要的课题是制造在具备高耐压的同时导通电阻低且开关损失少的器件。
[0003]功率晶体管通常配置于体区域与漏极区域之间，并且具有相比于漏极区域而被低浓度地掺杂的漂移区域。以往的功率晶体管的导通电阻依赖于电流流动的方向的漂移区域的长度和漂移区域的掺杂浓度，在使漂移区域的长度变短或者使漂移区域的掺杂浓度变高时，导通电阻会降低。
[0004]然而，在使漂移区域的长度变短或者使漂移区域的掺杂浓度变高时，存在器件的耐压会降低这样的问题。
[0005]作为降低具有预定的耐压的功率晶体管的导通电阻的方法，熟知的是在漂移区域中设置互补地掺杂的补偿区域的技术、或将从漂移区域介电地绝缘、例如与晶体管的栅极或者源极端子连接的场板(field plate)设置于漂移区域的技术等。<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，是将第1半导体元件和1个或多个第2半导体元件进行串联连接而成的半导体装置，其特征在于，所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件在源极端子与漏极端子之间或者发射极端子与集电极端子之间具有控制信号输出端子，所述第2半导体元件的栅极端子连接于与所述第2半导体元件的源极或者发射极侧邻接地串联连接的第1半导体元件或者第2半导体元件的控制信号输出端子。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1半导体元件的栅极端子和源极端子连接于栅极驱动电路，根据从所述栅极驱动电路向所述第1半导体元件的栅极端子的驱动信号，能够进行所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件的所有的半导体元件的导通/截止控制。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第2半导体元件是栅极电压的阈值为负电压的耗尽型的半导体元件。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第1半导体元件以及所述第2半导体元件是横型MOSFET。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷和树，原贤志，
申请(专利权)人：株式会社日立功率半导体，
类型：发明
国别省市：