晶体管器件以及用于生产晶体管器件的方法技术

公开了晶体管器件以及用于生产晶体管器件的方法。晶体管器件包括：SiC半导体本体(100)，其包括第一半导体层(110)；多个沟槽(2)，每个沟槽从第一半导体层(110)的第一表面(111)延伸到第一半导体层(110)中；以及多个晶体管单元(1)，每个晶体管单元被耦合到源极节点(S)。第一半导体层(110)包括多个台面区(112)，每个台面区被形成在沟槽(2)中的邻近的两个沟槽之间，在每个台面区(112)中，至少部分地集成有多个晶体管单元(1)中的至少之一，每个晶体管单元(1)被经由相应的源极接触(4)连接到源极节点(S)，并且每个源极接触(4)被布置在沟槽(2)中的相应的沟槽中并且与相应的沟槽(2)的底部(23)间隔开。)间隔开。)间隔开。

【技术实现步骤摘要】
晶体管器件以及用于生产晶体管器件的方法
[0001]本公开一般涉及晶体管器件，特别是基于碳化硅(SiC)半导体本体的晶体管器件。
[0002]由于在高电压阻断能力下提供低开关损耗，因此，由碳化硅(SiC)制成的半导体器件(诸如晶体管器件)在功率电子应用(诸如功率转换和驱动应用)中变得越来越普遍。
[0003]然而，SiC半导体本体易于双极劣化。当电子和空穴的复合发生在器件的半导体本体中的晶体缺陷处时，可能出现双极劣化。晶体缺陷可以包括例如基面位错或堆叠错误。与电子和空穴的复合关联的能量可能引起晶体缺陷在半导体本体中进一步扩展，从而可能出现大的缺陷区。然而，大的缺陷区可能使器件性质劣化，诸如增加导通电阻和增加晶体管器件中的泄漏电流。
[0004]SiC的主要多型体是4H
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SiC、6H
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SiC和3C
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SiC，其中4H或6H多型体的SiC主要用于半导体器件的生产中。4H或6H多型体的SiC是热力学亚稳态的。可能基于电子和空穴的复合而出现的晶体缺陷包括例如4H
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SiC或6H
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管器件，包括：SiC半导体本体(100)，其包括第一半导体层(110)；多个沟槽(2)，每个沟槽从第一半导体层(110)的第一表面(111)延伸到第一半导体层(110)中；以及多个晶体管单元(1)，每个晶体管单元被耦合到源极节点(S)，其中第一半导体层(110)包括多个台面区(112)，每个台面区被形成在沟槽(2)中的邻近的两个沟槽之间，其中在每个台面区(112)中，至少部分地集成有所述多个晶体管单元(1)中的至少之一，其中晶体管单元(1)中的每个被经由相应的源极接触(4)连接到源极节点(S)，其中源极接触(4)中的每个被布置在沟槽(2)中的相应的沟槽中并且与相应的沟槽(2)的底部(23)间隔开。2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述多个沟槽(2)中的至少一些包括在相应的沟槽底部(23)和源极接触(4)之间的腔体(21)。3.根据前述权利要求中的任何一项所述的晶体管器件，其中半导体本体(100)进一步包括第二半导体层(120)，其中第二半导体层(120)的至少一个区段形成晶体管器件的漏极区(31)，以及其中第一半导体层(110)被形成在第二半导体层(120)的顶部上。4.根据权利要求3所述的晶体管器件，其中沟槽(2)延伸通过第一半导体层(110)进入到第二半导体层(120)中。5.根据前述权利要求中的任何一项所述的晶体管器件，其中每个晶体管单元(1)包括：源极区(12)，其被连接到源极接触(4)；本体区(13)，其邻接源极区(12)；漂移区(11)；以及栅极电极(15)，其被布置成与本体区(13)相邻并且被通过栅极电介质(15)与本体区(13)介电绝缘。6.根据权利要求4至5中的任何一项所述的晶体管器件，其中每个晶体管单元(1)进一步包括：补偿区(17)，其被布置成与漂移区(11)相邻并且连接到源极接触(4)。7.根据权利要求4至6中的任何一项所述的晶体管器件，其中每个晶体管单元(1)进一步包括：JFET区(16)，其具有与本体区(13)相同的掺杂类型并且与本体区(13)相比被更高地掺杂，其中JFET区与栅极电介质(15)间隔开并且邻接漂移区(11)和电流扩布区(18)中的至少之一。8.根据权利要求7所述的晶体管器件，其中JFET区(16)邻接源极接触(4)，以及
其中本体区(13)被通过JFET区(16)连接到源...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：