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提供一种半导体装置，在将多个低压元件串联连接而构成的共源共栅型的高压元件中在降低连接的低压元件的级数的同时，不被限制于低压元件的栅极氧化膜的耐压而能够构成期望的耐压的高压元件。在将第1半导体元件和1个或多个第2半导体元件串联连接而成的半导体...
该专利属于株式会社日立功率半导体所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立功率半导体授权不得商用。

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