功率半导体模块制造技术

本发明专利技术涉及功率半导体模块，其具有包括至少一个基底的基底布置结构、功率半导体组件、包括至少一个箔堆叠件的箔堆叠布置结构和导电桥接元件，相应的基底包括基底导体迹线，功率半导体组件布置在基底导体迹线上并与其导电接触，相应的箔堆叠件包括箔堆叠导体迹线，功率半导体组件通过基底导体迹线和箔堆叠导体迹线彼此导电连接以形成电路，导电桥接元件包括远离箔堆叠布置结构延伸的第一和第二接触区段和将其彼此导电连接的连接区段，第一接触区段与第一基底导体迹线或箔堆叠导体迹线导电接触，第二接触区段与第二基底导体迹线或箔堆叠导体迹线导电接触，桥接元件至少与箔堆叠布置结构的箔堆叠导体迹线的一个区段并联电连接。电连接。电连接。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块


[0001]本专利技术涉及一种功率半导体模块，其具有基底布置结构、功率半导体组件和箔堆叠布置结构。

技术介绍

[0002]DE 10 2017 115 883 A1公开了一种功率半导体模块，其具有基底布置结构、功率半导体组件和箔堆叠布置结构。功率半导体组件借助于基底布置结构的基底导体迹线和箔堆叠布置结构的箔堆叠导体迹线彼此导电连接，以便形成电路。
[0003]在这种情况下的缺点是，当大的电流流动通过箔堆叠布置结构的箔堆叠导体迹线中的至少一个时，这可能导致所涉及的至少一个导体迹线的强烈加热。该至少一个导体迹线的加热可能导致热量输入到布置在该至少一个导体迹线附近的功率半导体组件中，使得它们只能以降低的电功率操作。
[0004]DE 10 2005 039 278 A1公开了一种具有功率组件的功率半导体模块，该功率组件将功率半导体模块的不同基底的两个导体迹线彼此导电地连接，该两个导体迹线布置在基底上。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种功率半导体模块，其具有基底布置结构、功率半导体组件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块，其具有基底布置结构(8)、功率半导体组件(7)、箔堆叠布置结构(3)以及导电桥接元件(9)，所述基底布置结构(8)包括至少一个基底(2)，其中相应的基底(2)包括非导电的绝缘层(6)和布置在绝缘层(6)上的基底导体迹线(5a，5b，5c，5d)，所述功率半导体组件(7)布置在基底布置结构(8)的基底导体迹线(5c，5d)上并与其导电接触，所述箔堆叠布置结构(3)包括至少一个箔堆叠件(10)，其中相应的箔堆叠件(10)包括被构造成形成箔堆叠导体迹线(12a，12b，12c，13a，13b)的第一导电箔(12)和第二导电箔(13)，以及布置在第一导电箔(12)与第二导电箔(13)之间的非导电的绝缘箔(14)，其中功率半导体组件(7)借助于基底布置结构(8)的基底导体迹线(5a，5b，5c，5d)和箔堆叠布置结构(3)的箔堆叠导体迹线(12a，12b，12c，13a，13b)而彼此导电连接，从而形成电路，所述导电桥接元件(9)包括远离箔堆叠布置结构(3)延伸的第一接触区段(9a)和第二接触区段(9b)以及将第一接触区段(9a)和第二接触区段(9b)彼此导电连接的连接区段(9c)，其中第一接触区段(9a)与基底布置结构(8)的第一基底导体迹线(5a)导电接触或与箔堆叠布置结构(3)的箔堆叠导体迹线(13a)导电接触，并且第二接触区段(9b)与基底布置结构(8)的第二基底导体迹线(5b)导电接触或与箔堆叠布置结构(3)的箔堆叠导体迹线(13a)导电接触，其中桥接元件(9)至少与箔堆叠布置结构(3)的箔堆叠导体迹线(13a)的一个区段(13a
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)并联电连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，桥接元件(9)构造为金属片。3.根据前述权利要求之一所述的功率半...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：