用于实现精细间距管芯拼铺的玻璃核心向电子衬底中的集成制造技术

本文公开的实施例包括封装衬底。在实施例中，封装衬底包括具有第一表面和第二表面的核心，其中，所述核心包括玻璃。在实施例中，第一过孔穿过所述核心，其中，第一过孔包括导电材料，并且膜位于核心的第一表面之上，其中，膜是粘合剂。在实施例中，第二过孔穿过膜，其中，第二过孔包括导电材料，其中，第二过孔接触第一过孔。在实施例中，第二过孔的中心线与第一过孔的中心线对准。在实施例中，构建层位于膜之上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
用于实现精细间距管芯拼铺的玻璃核心向电子衬底中的集成


[0001]本公开的实施例涉及电子封装，并且更具体地涉及具有玻璃核心的电子封装。

技术介绍

[0002]对外形因子的小型化以及用于实现高性能的提高的集成水平的需求一直在推动着半导体行业中的复杂封装方案的发展。管芯分割能够实现小外形因子的小型化和高性能，而不会产生其他方法所面临的问题。然而，这样的管芯分割需要精细的管芯对管芯互连。桥管芯架构是一种能够实现成本更低并且更简单的2.5D封装方案从而获得单个封装上的异构管芯之间的非常高密度的互连的技术。替代采用具有穿硅过孔(TSV)的昂贵硅内插器，将小的硅桥芯片嵌入到封装中，从而仅在需要的位置上实现非常高密度的管芯对管芯连接。使用标准倒装芯片组装实现鲁棒的电力输送，并且将高速信号直接从芯片连接至封装衬底。
[0003]对于未来各代的管芯分割而言，需要几个桥，这些桥能够按照比桥管芯当前提供的凸块间距精细得多的凸块间距(25微米或更小)连接管芯。典型的桥管芯架构受到高的累积凸块厚度变化(BTV)的困扰，并且随着要嵌入的桥的数量增大，嵌入的成本和成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装衬底，包括：具有第一表面和第二表面的核心，其中，所述核心包括玻璃；穿过所述核心的第一过孔，其中，所述第一过孔包括导电材料；位于所述核心的第一表面之上的膜，其中，所述膜是粘合剂；穿过所述膜的第二过孔，其中，所述第二过孔包括导电材料，其中，所述第二过孔接触所述第一过孔，并且其中，所述第二过孔的中心线与所述第一过孔的中心线对准；以及位于所述膜之上的构建层。2.根据权利要求1所述的封装衬底，其中，在所述第一过孔和所述第二过孔之间的界面处，所述第二过孔的宽度大于所述第一过孔的宽度。3.根据权利要求1或2所述的封装衬底，其中，所述第二过孔具有锥形轮廓。4.根据权利要求3所述的封装衬底，其中，所述第二过孔的第一端具有第一宽度，并且所述第二过孔的第二端具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且其中，所述第一端比所述第二端更接近所述核心。5.根据权利要求1或2所述的封装衬底，还包括：位于所述构建层之上的第一级互连。6.根据权利要求5所述的封装衬底，还包括：多个构建层；以及穿过所述构建层的用以将所述第一级互连电耦合至所述第一过孔的导电布线。7.根据权利要求6所述的封装衬底，其中，所述构建层中的第三过孔具有锥形轮廓，所述锥形轮廓具有窄端和宽端，并且其中，所述窄端与所述第一级互连之间的第一距离小于所述宽端与所述第一级互连之间的第二距离。8.根据权利要求5所述的封装衬底，其中，所述第一级互连由界面层做衬层，其中，所述界面层是电介质。9.根据权利要求8所述的封装衬底，其中，所述第一级互连和所述界面层被配置为用于混合接合。10.根据权利要求5所述的封装衬底，还包括位于所述第一级互连之上的焊料。11.根据权利要求1或2所述的封装衬底，还包括：嵌入到所述构建层中的桥，其中，所述桥的第三表面背离所述核心，并且其中，所述桥的第四表面面朝所述核心。12.根据权利要求11所述的封装衬底，其中，第三过孔从所述第三表面穿过所述桥到达所述第四表面。13.根据权利要求12所述的封装衬底，其中，焊盘设置在所述桥的所述第四表面上、在所述第三过孔之上。14.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：