校准治具、校准系统及校准方法技术方案

本申请涉及一种校准治具、校准系统及校准方法。校准治具包括：固定支架，设置于静电吸盘的周侧；承载组件，与固定支架固定连接，用于承载待制程晶圆；压力监测组件，与承载组件接触设置；其中，在待制程晶圆位于承载组件上时，压力监测组件用于检测承载组件不同位置所承载的待制程晶圆的压力感应信息；处理模块，与压力监测组件连接，用于根据接收到的各压力感应信息获取待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，以及根据偏移量输出校准信息；其中，校准信息用于指示校准待制程晶圆的偏移量。本申请的校准治具可以实现对待制程晶圆的偏移量进行准确校准。确校准。确校准。

【技术实现步骤摘要】
校准治具、校准系统及校准方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种校准治具、校准系统及校准方法。

技术介绍

[0002]晶圆工艺机台在更换静电吸盘、动态校准装置等工事以后，或者传送过程因某种因素导致传送发生偏移以后，需要重新对工艺腔室内待制程晶圆相对于静电吸盘的位置进行校准。
[0003]目前校准方式是采用透明盖板将工艺腔室盖上并抽真空，然后传送待制程晶圆至工艺腔室中，从透明盖板上方观测待制程晶圆的实际位置，然后进行手动调整传送坐标值，直到待制程晶圆的中心位置与静电吸盘正中心对齐。
[0004]然而，这种常规操作方式需要人工多次调试，花费大量时间，且每次调试的数据均为目测估计，不够准确。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述问题提供一种校准治具、校准系统及校准方法。
[0006]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种校准治具，包括：
[0007]固定支架，设置于静电吸盘的周侧；
[0008]承载组件，与所述固定支架固定连接，用于承载待制程晶圆；
[0009]压力监测组件，与所述承载组件接触设置；其中，在所述待制程晶圆位于所述承载组件上时，所述压力监测组件用于检测所述承载组件不同位置所承载的所述待制程晶圆的压力感应信息；
[0010]处理模块，与所述压力监测组件连接，用于根据接收到的各所述压力感应信息获取所述待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，以及根据所述偏移量输出校准信息；其中，所述校准信息用于指示校准所述待制程晶圆的偏移量。
[0011]本申请的校准治具，在待制程晶圆位于承载组件上时，压力监测组件检测承载组件不同位置所承载的待制程晶圆的压力感应信息，根据压力感应信息可以计算得到待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，由偏移量可以输出校准信息，并根据校准信息校准待制程晶圆的偏移量，实现自动化对待制程晶圆的位置进行校准，相较于常规的人工调试需要多次调试以及根据目测偏移量进行调试导致的校准不准确，本申请的校准治具可以实现通过精准计算获知偏移量，并基于实测数据进行校准，可以获得非常准确的校准结果，且不需要多次反复调试，校准效率明显提升。
[0012]在其中一个实施例中，所述承载组件包括若干均匀间隔设置的承载板，所述压力监测组件包括若干压力感应元件。
[0013]在其中一个实施例中，所述压力感应元件分别设置在各所述承载板的上表面；或者
[0014]所述压力感应元件分别设置在各所述承载板的下表面，并在所述待制程晶圆位于
所述承载组件上时与所述静电吸盘的上表面接触。
[0015]在其中一个实施例中，若干所述压力感应元件两两相对于所述固定支架的中心对称设置。
[0016]在其中一个实施例中，所述压力感应元件为压电陶瓷件。
[0017]在其中一个实施例中，所述处理模块包括：
[0018]偏差确定单元，用于根据接收到的各所述压力感应信息计算得到所述待制程晶圆在不同方向的偏移距离，并根据所述待制程晶圆在不同方向的偏移距离计算得到所述待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，其中，所述偏移量包括角度偏移量和直线偏移量；
[0019]校准单元，用于根据所述偏移量输出所述校准信息给动态校准装置，以使所述动态校准装置根据所述校准信息对所述待制程晶圆的位置进行校准。
[0020]本申请还提供一种校准系统，所述校准系统包括：
[0021]如上述任一项方案所述的校准治具；
[0022]静电吸盘；其中，所述固定支架设置于所述静电吸盘的周侧；
[0023]动态校准装置，与所述处理模块连接，用于根据所述校准信息对所述待制程晶圆的位置进行校准。
[0024]本申请的校准系统，采用本申请的校准治具对待制程晶圆的位置进行校准，在待制程晶圆位于承载组件上时，压力监测组件检测承载组件不同位置所承载的待制程晶圆的压力感应信息，根据压力感应信息可以计算得到待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，由偏移量可以输出校准信息，动态校准装置根据校准信息校准待制程晶圆的偏移量，实现自动化对待制程晶圆的位置进行校准，可以实现通过精准计算获知偏移量，并基于实测数据进行校准，以获得非常准确的校准结果，且不需要多次反复调试，校准效率明显提升。
[0025]本申请还提供一种校准方法，所述校准方法包括：
[0026]当待制程晶圆位于静电吸盘上方的承载组件上时，获取所述承载组件不同位置所承载的所述待制程晶圆的压力感应信息；
[0027]根据各所述压力感应信息获取所述待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，以及根据所述偏移量输出校准信息，所述校准信息用于指示校准所述待制程晶圆的偏移量。
[0028]本申请的校准方法，通过获取承载组件不同位置所承载的待制程晶圆的压力感应信息，根据压力感应信息可以计算得到待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，由偏移量可以输出校准信息，并根据校准信息校准待制程晶圆的偏移量，实现自动化对待制程晶圆的位置进行校准，并且通过精准计算获知偏移量，并基于实测数据进行校准，以获得非常准确的校准结果，且不需要多次反复调试，校准效率明显提升。
[0029]在其中一个实施例中，所述根据接收到的各所述压力感应信息获取所述待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，包括：
[0030]根据接收到的各所述压力感应信息计算得到所述待制程晶圆在不同方向的偏移距离，并根据所述待制程晶圆在不同方向的偏移距离计算得到所述待制程晶圆相对于标准位置的偏移量；其中，所述偏移量包括角度偏移量和直线偏移量。
[0031]在其中一个实施例中，所述校准方法还包括：
[0032]根据所述偏移量输出所述校准信息给动态校准装置，以指示所述动态校准装置根据所述校准信息对所述待制程晶圆的位置进行校准。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为一实施例中提供的校准治具的俯视示意图；
[0035]图2为图1中A
‑
A
’
处的截面示意图；
[0036]图3为一实施例中提供的固定支架设置于静电吸盘的周侧的俯视示意图；
[0037]图4为图3中B
‑
B
’
处的截面示意图；
[0038]图5为一实施例中提供的待制程晶圆位于承载组件上时的结构截面示意图；
[0039]图6为一实施例中提供的直线偏移量和角度偏移量的示意图；
[0040]图7为一实施例中提供的处理模块的结构框图；
[0041]图8为一实施例中提供的校准系统的俯视示意图；
[0042]图9为一实施例中提供的校准方法的流程示意图；
[0043]图10为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种校准治具，其特征在于，包括：固定支架，设置于静电吸盘的周侧；承载组件，与所述固定支架固定连接，用于承载待制程晶圆；压力监测组件，与所述承载组件接触设置；其中，在所述待制程晶圆位于所述承载组件上时，所述压力监测组件用于检测所述承载组件不同位置所承载的所述待制程晶圆的压力感应信息；处理模块，与所述压力监测组件连接，用于根据接收到的各所述压力感应信息获取所述待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，以及根据所述偏移量输出校准信息；其中，所述校准信息用于指示校准所述待制程晶圆的偏移量。2.根据权利要求1所述的校准治具，其特征在于，所述承载组件包括若干均匀间隔设置的承载板，所述压力监测组件包括若干压力感应元件。3.根据权利要求2所述的校准治具，其特征在于，所述压力感应元件分别设置在各所述承载板的上表面；或者所述压力感应元件分别设置在各所述承载板的下表面，并在所述待制程晶圆位于所述承载组件上时与所述静电吸盘的上表面接触。4.根据权利要求2所述的校准治具，其特征在于，若干所述压力感应元件两两相对于所述固定支架的中心对称设置。5.根据权利要求2所述的校准治具，其特征在于，所述压力感应元件为压电陶瓷件。6.根据权利要求1所述的校准治具，其特征在于，所述处理模块包括：偏差确定单元，用于根据接收到的各所述压力感应信息计算得到所述待制程晶圆在不同方向的偏移距离，并根据所述待制程晶圆在不同方向的偏移距离计算得到所述待制程晶圆相对于标准位置的偏移量，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵干，郭茨良，张军，谢强，
申请(专利权)人：上海鼎泰匠芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：