半导体器件和半导体器件的制造方法技术

本申请涉及一种半导体器件和半导体器件的制造方法，一种半导体器件包括半导体基底、栅极结构、源区、漏区、源极和漏极，半导体基底的上表层设有彼此间隔设置的漂移区和体区，栅极结构设于半导体基底上，且包括部分设于漂移区上方的栅导电层，源区设于体区的上表层内，漏区设于漂移区的上表层内。其中，栅导电层包括设于漂移区上方的第一栅导电部，第一栅导电部在漂移区上的正投影在沿源区指向漏区的方向上的尺寸小于或等于预设值。有利于减小栅导电层和漏极之间的电容，进而可降低半导体器件的开关损耗。的开关损耗。的开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和半导体器件的制造方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体器件和半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)一种双扩散结构的功率器件。相关技术中，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漂移区的杂质浓度较低，如此，当横向双扩散金属氧化物半导体场效应管接高压时，由于漂移区是高阻区域，使得横向双扩散金属氧化物半导体场效应管能够承受更高的电压，以满足横向双扩散金属氧化物半导体场效应管通常用于功率电路的设计需求。然而，传统的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的开关损耗较高。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对传统的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的开关损耗较高的问题，提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。
[0004]根据本申请的一方面，提供了一种半导体器件，包括：
[0005]半导体基底，所述半导体基底的上表层设有彼此间隔设置的漂移区和体区；
[0006]栅极结构，设于所述半导体基底上，且包括部分设于所述漂移区上方的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底的上表层设有彼此间隔设置的漂移区和体区；栅极结构，设于所述半导体基底上，且包括部分设于所述漂移区上方的栅导电层；源区，设于所述体区的上表层内；漏区，设于所述漂移区的上表层内；所述源区和所述漏区位于所述栅极结构的两侧；以及源极和漏极，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接；其中，所述栅导电层包括设于所述漂移区上方的第一栅导电部，所述第一栅导电部在所述漂移区上的正投影在沿所述源区指向所述漏区的方向上的尺寸小于或等于预设值。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预设值为0.3微米
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0.4微米。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：介电层，设于所述漂移区上，且部分覆盖于所述栅导电层；以及第一导电层，设于所述介电层上。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述源极分别与所述源区和所述第一导电层电连接。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层包括覆盖于所述栅导电层的第一部分，以及与所述第一部分相连的第二部分，所述第二部分位于所述第一导电层和所述漂移区之间。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层包括彼此相连的第一导电部和第二导电部；所述第一导电部覆盖于所述第一部分，所述第二导电部覆盖于所述第二部分。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨新杰，黄帆，
申请(专利权)人：上海鼎泰匠芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：