【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种低导通电阻分立器件及低导通电阻分立器件制备方法。
技术介绍
1、现有分立器件面临着导通电阻影响器件整体效率，限制器件应用范围的问题，为追求更高的器件性能与可靠性，减少器件在运行中的导通电阻，现有一直沿着通过减薄晶圆的厚度，调整离子注入的掺杂浓度这些方向去改善分立器件的导通电阻，但减薄晶圆的厚度，或是调整器件中离子掺杂浓度的方式均有限。
2、因此，如何提供一种在原有减薄晶圆厚度的方式，以及调整器件中离子掺杂浓度的方式均受限的情况下，能够另外降低导通电阻的结构，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种低导通电阻分立器件及低导通电阻分立器件制备方法，解决了现有技术中通过减薄晶圆的厚度，调整离子注入的掺杂浓度这些方式改善分立器件的导通电阻受限的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种低导通电阻分立器件，包括：
3、外延功能层，所述外延功能层的一侧设置有层间电介质层；
4、所述外延功能层内并位于所述层间电介质层靠向所述外延功能层的一侧，排布设置有沟槽结构功能区；
5、所述层间电介质层形成有裸露出所述外延功能层的通孔，导电接触结构通过所述通孔并延伸至所述外延功能层内；
6、所述导电接触结构位于所述外延功能层内的两侧，和位于所述外延功能层内的端部的外侧，均形成有与所述导电接触结构接触的掺杂区，所述通孔裸露出所述掺杂区的
7、所述台阶结构的顶部台面与所述导电接触结构接触。
8、可选的，所述通孔裸露出所述掺杂区的全部表面，所述掺杂区裸露出的表面形成台阶结构。
9、可选的，所述层间电介质层靠向所述外延功能层的一侧设置有隔离层。
10、可选的，所述沟槽结构功能区包括源极功能区和栅极功能区。
11、可选的，所述掺杂区包括n型子掺杂区和p型子掺杂区。
12、本专利技术还提供了一种低导通电阻分立器件制备方法，包括：
13、提供分立器件预制件；所述分立器件预制件包括外延功能层，所述外延功能层的一侧设置有层间电介质层，所述外延功能层内并位于所述层间电介质层靠向所述外延功能层的一侧，排布设置有沟槽结构功能区，所述沟槽结构功能区的旁侧设置有第一子掺杂区；
14、在所述层间电介质层中制备通孔，暴露出所述第一子掺杂区；
15、在所述通孔的侧壁制备侧壁保护层，作为临时通孔；所述临时通孔裸露出部分所述第一子掺杂区；
16、沿所述临时通孔刻蚀裸露出的所述第一子掺杂区，暴露出所述外延功能层中未掺杂区域，作为待掺杂区域；
17、去除所述侧壁保护层，并对所述待掺杂区域进行掺杂处理，形成第二子掺杂区，得到待填充分立器件；
18、在所述待填充分立器件中，制备与裸露出的所述第一子掺杂区的表面，和裸露出的所述第二子掺杂区的表面均接触的导电接触结构；所述第一子掺杂区的顶部至少裸露出部分表面，且所述第一子掺杂区裸露出的表面，与所述第二子掺杂区裸露出的表面形成台阶结构，所述台阶结构的顶部台面与所述导电接触结构接触。
19、可选的，在所述层间电介质层中制备通孔，暴露出所述第一子掺杂区，包括：
20、在所述层间电介质层中制备所述通孔，暴露出全部所述第一子掺杂区。
21、可选的，在所述通孔的侧壁制备侧壁保护层，作为临时通孔，包括：
22、在所述层间电介质层中制备有所述通孔的分立器件预制件的表面，制备保护层；
23、利用侧墙刻蚀工艺，对所述保护层进行刻蚀，仅在所述通孔的侧壁残留保护层，作为所述侧壁保护层，得到所述临时通孔。
24、可选的，所述侧壁保护层为四乙氧基硅烷保护层。
25、可选的，去除所述侧壁保护层，包括：
26、去除所述侧壁保护层，并在所述层间电介质层的顶部拐角处加工制备弧形倒角结构。
27、可见，本专利技术提供的低导通电阻分立器件，包括外延功能层，外延功能层的一侧设置有层间电介质层；外延功能层内并位于层间电介质层靠向外延功能层的一侧，排布设置有沟槽结构功能区；层间电介质层形成有裸露出外延功能层的通孔，导电接触结构通过通孔并延伸至外延功能层内；导电接触结构位于外延功能层内的两侧，和位于外延功能层内的端部的外侧，均形成有与导电接触结构接触的掺杂区，通孔裸露出掺杂区的至少部分表面，掺杂区裸露出的表面形成台阶结构；台阶结构的顶部台面与导电接触结构接触。本专利技术通过设置通孔裸露出掺杂区的至少部分表面，且掺杂区裸露出的表面形成台阶结构，即通孔裸露出掺杂区的至少部分顶部表面，该顶部表面形成台阶结构的顶部台面，通过增加该顶部台面与导电接触结构接触，提高导电接触结构与掺杂区的接触面积，进而降低器件的导通电阻。
28、此外，本专利技术还提供了一种低导通电阻分立器件制备方法，同样具有上述有益效果。
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1.一种低导通电阻分立器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述通孔裸露出所述掺杂区的全部表面，所述掺杂区裸露出的表面形成台阶结构。
3.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述层间电介质层靠向所述外延功能层的一侧设置有隔离层。
4.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述沟槽结构功能区包括源极功能区和栅极功能区。
5.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述掺杂区包括N型子掺杂区和P型子掺杂区。
6.一种低导通电阻分立器件制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的低导通电阻分立器件制备方法，其特征在于，在所述层间电介质层中制备通孔，暴露出所述第一子掺杂区，包括：
8.根据权利要求6所述的低导通电阻分立器件制备方法，其特征在于，在所述通孔的侧壁制备侧壁保护层，作为临时通孔，包括：
9.根据权利要求8所述的低导通电阻分立器件制备方法，其特征在于，所述侧壁保护层为四乙氧基硅烷保护层。p>
10.根据权利要求6所述的低导通电阻分立器件制备方法，其特征在于，去除所述侧壁保护层，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种低导通电阻分立器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述通孔裸露出所述掺杂区的全部表面，所述掺杂区裸露出的表面形成台阶结构。
3.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述层间电介质层靠向所述外延功能层的一侧设置有隔离层。
4.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述沟槽结构功能区包括源极功能区和栅极功能区。
5.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述掺杂区包括n型子掺杂区和p型子掺杂区。
...【专利技术属性】
技术研发人员：王川，熊育飞，黎钟磬，丁来建，
申请(专利权)人：上海鼎泰匠芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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