【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种低导通电阻分立器件及低导通电阻分立器件制备方法。
技术介绍
1、现有分立器件面临着导通电阻影响器件整体效率，限制器件应用范围的问题，为追求更高的器件性能与可靠性，减少器件在运行中的导通电阻，现有一直沿着通过减薄晶圆的厚度，调整离子注入的掺杂浓度这些方向去改善分立器件的导通电阻，但减薄晶圆的厚度，或是调整器件中离子掺杂浓度的方式均有限。
2、因此，如何提供一种在原有减薄晶圆厚度的方式，以及调整器件中离子掺杂浓度的方式均受限的情况下，能够另外降低导通电阻的结构，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种低导通电阻分立器件及低导通电阻分立器件制备方法，解决了现有技术中通过减薄晶圆的厚度，调整离子注入的掺杂浓度这些方式改善分立器件的导通电阻受限的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种低导通电阻分立器件，包括：
3、外延功能层，所述外延功能层的一侧设置有层间
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1.一种低导通电阻分立器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述通孔裸露出所述掺杂区的全部表面，所述掺杂区裸露出的表面形成台阶结构。
3.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述层间电介质层靠向所述外延功能层的一侧设置有隔离层。
4.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述沟槽结构功能区包括源极功能区和栅极功能区。
5.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述掺杂区包括N型子掺杂区和P型子掺杂区。
6.一种低导通电阻分...
【技术特征摘要】
1.一种低导通电阻分立器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述通孔裸露出所述掺杂区的全部表面，所述掺杂区裸露出的表面形成台阶结构。
3.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述层间电介质层靠向所述外延功能层的一侧设置有隔离层。
4.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述沟槽结构功能区包括源极功能区和栅极功能区。
5.根据权利要求1所述的低导通电阻分立器件，其特征在于，所述掺杂区包括n型子掺杂区和p型子掺杂区。
...【专利技术属性】
技术研发人员：王川，熊育飞，黎钟磬，丁来建，
申请(专利权)人：上海鼎泰匠芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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