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本申请涉及一种半导体器件和半导体器件的制造方法，一种半导体器件包括半导体基底、栅极结构、源区、漏区、源极和漏极，半导体基底的上表层设有彼此间隔设置的漂移区和体区，栅极结构设于半导体基底上，且包括部分设于漂移区上方的栅导电层，源区设于体区的上...
该专利属于上海鼎泰匠芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海鼎泰匠芯科技有限公司授权不得商用。

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