晶硅电池的制备方法技术

本申请实施例提供了一种晶硅电池的制备方法，该制备方法包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，半导体基底具有相背的正面以及背面；对掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，掩膜图案露出部分隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被掩膜图案遮挡的隧穿钝化层，以露出部分半导体基底，并利用刻蚀液对露出的半导体基底进行抛光；在半导体基底的背面形成保护层，保护层覆盖掩膜图案以及露出的半导体基底；在半导体基底的正面进行制绒；去除保护层，并在半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，第一电极穿过钝化层与半导体基底接触，第二电极穿过钝化层与隧穿钝化层接触。触。触。

【技术实现步骤摘要】
晶硅电池的制备方法


[0001]本申请涉及晶硅电池的制备方法
，具体涉及一种晶硅电池的制备方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，晶硅电池的应用越来越广泛。通常，通过晶硅电池可以进行发电，即将晶硅电池安装在屋面或者晶硅电池安装在支架，之后晶硅电池经过阳光的照射，便可以将光能转换为电能。
[0003]现有技术在制备晶硅电池时，通常在半导体基底上形成钝化层，之后在钝化层上开槽，并在开槽处通过印刷工艺形成电极，以使电极与半导体基底接触。印刷工艺对基底的要求较高，然而，现有技术中由于半导体基底的表面不平整或者为绒面，因而不易印刷形成电极，常会出现电极与半导体基底的分离。此外，半导体基底的表面不平整或者为绒面，电极与半导体基底的接触面积较大，会提高电子和空穴的复合，降低电池效率。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种晶硅电池的制备方法，以解决现有技术中半导体基底的表面不平整或者为绒面，因而不易印刷形成电极，常会出现电极与半导体基底的分离，且半导体基底的表面不平整或者为绒面，电极与半导体基底的接触面积较大，会提高电子和空穴的复合，降低电池效率的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供了一种晶硅电池的制备方法，包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，所述半导体基底具有相背的正面以及背面；对所述掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，所述掩膜图案露出部分所述隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被所述掩膜图案遮挡的所述隧穿钝化层，以露出部分所述半导体基底，并利用所述刻蚀液对露出的所述半导体基底进行抛光；在所述半导体基底的背面形成保护层，所述保护层覆盖所述掩膜图案以及露出的所述半导体基底；在所述半导体基底的正面进行制绒；去除所述保护层，并在所述半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在所述半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述钝化层与所述半导体基底接触，所述第二电极穿过所述钝化层与所述隧穿钝化层接触。
[0007]可选地，所述在半导体基底的背面上形成隧穿钝化层，包括：在所述半导体基底的背面上依次形成所述隧穿氧化层和所述掺杂硅层；其中，所述掺杂硅层包括掺杂非晶硅。
[0008]可选地，所述在所述半导体基底的背面形成保护层，包括：对形成有所述掺杂硅层和所述隧穿氧化层的半导体基底进行退火，以使所述掺杂非晶硅转换为掺杂多晶硅，且激活所述掺杂多晶硅，并在所述半导体基底的背面形成第一保护层，在所述半导体基底的正面形成第二保护层；在所述半导体基底的背面形成第一保护层，在所述半导体基底的正面形成第二保护层之后，在所述半导体基底的正面进行制绒之前，所述制备方法还包括：去除所述半导体基底的正面的第二保护层。
[0009]可选地，所述对形成有所述掺杂硅层和所述隧穿氧化层的半导体基底进行退火的退火温度范围为850度
‑
950度。
[0010]可选地，所述刻蚀液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液中的至少一种。
[0011]可选地，所述刻蚀液的刻蚀温度范围为70度
‑
90度；所述刻蚀液的刻蚀时间为180秒
‑
400秒。
[0012]可选地，所述在半导体基底的背面上形成掩膜层，包括：利用化学气相沉积设备，在所述半导体基底的背面上形成所述掩膜层。
[0013]可选地，在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层，包括：利用化学气相沉积设备，在所述半导体基底的背面上依次形成所述隧穿钝化层以及所述掩膜层。
[0014]可选地，所述对所述掩膜层进行构图，形成掩膜图案，包括：利用激光去除部分所述掩膜层，以形成掩膜图案。
[0015]可选地，所述去除所述保护层，包括：去除所述第一保护层以及所述掩膜图案。
[0016]可选地，所述掩膜层为氧化硅，所述掩膜层的厚度范围为15纳米
‑
25纳米。
[0017]在本申请实施例中，在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，半导体基底具有相背的正面以及背面；对掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，掩膜图案露出部分隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被掩膜图案遮挡的隧穿钝化层，以露出部分半导体基底，并利用刻蚀液对露出的半导体基底进行抛光；在半导体基底的背面形成保护层，保护层覆盖掩膜图案以及露出的半导体基底；在半导体基底的正面进行制绒；去除保护层，并在半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，第一电极穿过钝化层与半导体基底接触，第二电极穿过钝化层与隧穿钝化层接触，从而形成晶硅电池。在本申请实施例中，利用刻蚀液去除隧穿钝化层的同时，对半导体基底的背面露出的部分进行抛光，可以简化晶硅电池的制备工艺。此外，在形成晶硅电池的过程中，通过刻蚀液去除未被掩膜图案遮挡的隧穿钝化层，以露出部分半导体基底，并利用刻蚀液对露出的半导体基底进行抛光，从而使得半导体基底的背面露出的部分被抛光，从而有利于在该部分后续形成第一电极，避免了通过印刷工艺形成第一电极时，第一电极与半导体基底分离。在此基础上，半导体基底的背面露出的部分被抛光，还可以使得从正面射入的半导体基底中的光线照射在背面之后，光线在抛光的背面具有较强的反射，即光线被抛光的背面较多的反射在半导体基底内部，使得半导体基底内部的光线内反射提高，从而可以提高半导体基底针对光线的利用率，进而可以提高形成的晶硅电池对光线的利用率。再者，由于半导体基底的背面露出的部分被刻蚀液抛光形成抛光面，相对于半导体基底的表面不平整或者为绒面而言，因而形成第一电极后，第一电极与抛光面的接触面积较小，因此可以降低电子和空穴的复合，提高电池效率。
附图说明
[0018]图1表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备方法的流程图；
[0019]图2表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之一；
[0020]图3表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之二；
[0021]图4表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之三；
[0022]图5表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之四；
[0023]图6表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之五；
[0024]图7表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之六；
[0025]图8表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之七；
[0026]图9表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之八；
[0027]图10表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之九；
[0028]图11表示本申请实施例提供的一种晶硅电池的制备过程的示意图之十。
[0029]附图标记：
[0030]10：半导体基底；20：隧穿钝化层；21：隧穿氧化层；22：掺杂硅层；30：掩膜层；41：第一保护层；42：第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括：在半导体基底的背面上依次形成隧穿钝化层以及掩膜层；其中，所述半导体基底具有相背的正面以及背面；对所述掩膜层进行构图，形成掩膜图案；其中，所述掩膜图案露出部分所述隧穿钝化层；利用刻蚀液去除未被所述掩膜图案遮挡的所述隧穿钝化层，以露出部分所述半导体基底，并利用所述刻蚀液对露出的所述半导体基底进行抛光；在所述半导体基底的背面形成保护层，所述保护层覆盖所述掩膜图案以及露出的所述半导体基底；在所述半导体基底的正面进行制绒；去除所述保护层，并在所述半导体基底的正面和背面分别形成钝化层；在所述半导体基底的背面形成第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述钝化层与所述半导体基底接触，所述第二电极穿过所述钝化层与所述隧穿钝化层接触。2.根据权利要求1所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述在半导体基底的背面上形成隧穿钝化层，包括：在所述半导体基底的背面上依次形成所述隧穿氧化层和所述掺杂硅层；其中，所述掺杂硅层包括掺杂非晶硅。3.根据权利要求2所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体基底的背面形成保护层，包括：对形成有所述掺杂硅层和所述隧穿氧化层的半导体基底进行退火，以使所述掺杂非晶硅转换为掺杂多晶硅，且激活所述掺杂多晶硅，并在所述半导体基底的背面形成第一保护层，在所述半导体基底的正面形成第二保护层；在所述半导体基底的背面形成第一保护层，在所述半导体基底的正面形成第二保护层之后，在所述半导体基底的正面进行制绒之前，所述制备方法还包括：去除所述半导体基底的正面的第二保护层。4.根据权利要求3所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述对形成有所述掺杂硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：马志杰，袁陨来，王建波，周锐，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：