太阳能电池片后处理方法及太阳能电池片后处理设备技术

本方法提供一种太阳能电池片后处理方法及太阳能电池片后处理设备，所述太阳能电池片后处理方法包括：S1对太阳能电池片进行光注入退火处理；S2对第一次光注入退火处理后的太阳能电池片进行弱光热处理；S3对弱光热处理后的太阳能电池片再次进行光注入退火处理。本发明专利技术在光注入退火后，对太阳能电池片进行弱光热处理，保证不稳定的非晶硅结构充分发生变化；然后再次进行光注入退火处理，可以部分消除部分由不稳定的非晶硅结构发生变化导致钝化效果变差、导电性变差的影响，使得太阳能电池片的稳定性显著提高。稳定性显著提高。稳定性显著提高。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池片后处理方法及太阳能电池片后处理设备


[0001]本方法涉及光伏领域，尤其涉及一种能够提高太阳能电池片稳定性的太阳能电池片后处理方法及太阳能电池片后处理设备。

技术介绍

[0002]异质结电池所用的非晶硅的导电性在存放过程中会下降，从而导致电池串联电阻上升，电池光电转换效率下降。
[0003]通常情况下，异质结电池(HJT电池)的工艺流程包括：制绒
‑
PECVD制备非晶硅薄膜
‑
PVD
‑
丝网印刷
‑
光热处理。光热处理即光注入退火处理，对电池片的缺陷进行修复，可以提高电池的性能和稳定性；但是电池片虽然经过了光热处理，其稳定性仍然较差，放置一段时间后，效率有所下降。
[0004]有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳能电池片后处理方法及太阳能电池片后处理设备，以解决上述技术问题。
[0005]方法内容
[0006]本方法的目的在于提供一种能够提高太阳能电池片稳定性的太阳能电池片后处理方法及太阳能电池片后处理设备。
[0007]为实现上述方法目的，本方法采用如下技术方案：
[0008]一种太阳能电池片的后处理方法，包括如下步骤：
[0009]S1对太阳能电池片进行光注入退火处理；
[0010]S2对第一次光注入退火处理后的太阳能电池片进行弱光热处理；
[0011]S3对弱光热处理后的太阳能电池片再次进行光注入退火处理。
[0012]进一步地，所述光注入退火处理的光强为40kW/m2～80kW/m2，温度为150℃～200℃，处理时间为20s～60s。
[0013]进一步地，步骤S1和步骤S3的光注入退火的光强相同、温度相同、处理时间相同。
[0014]进一步地，步骤S2中弱光热处理的处理时间为1min～200h。
[0015]进一步地，步骤S2中弱光热处理的光强介于0kW/m2～10kW/m2。
[0016]进一步地，：步骤S2中弱光热处理的温度介于25℃～180℃。
[0017]进一步地，所述太阳能电池片的后处理方法还包括，在完成步骤S3后重复步骤S2～S3，重复次数为1～2次。
[0018]一种太阳能电池片后处理设备，包括：
[0019]间隔设置的至少两个光热处理模块，所述光热处理模块包括第一光源、第一加热装置、第一传输装置；
[0020]位于相邻两个光热处理模块之间的弱光热处理模块，所述弱光热处理模块包括与所述第一传输装置连接的第二传输装置。
[0021]进一步地，第一光源的光强为40kW/m2～80kW/m2，第一加热装置的加热温度为150℃～200℃，第一光热处理模块的处理时间为20s～60s。
[0022]进一步地，不同的所述光热处理模块中的第一光源的光强相同、第一加热装置的加热温度相同、处理时间也相同。
[0023]进一步地，所述弱光热处理模块的处理时间为1min～200h。
[0024]进一步地，所述弱光热处理模块还包括第二光源，所述第二光源的光强比所述第一光源的光强弱。
[0025]进一步地，所述第二光源的光强介于0kW/m2～10kW/m2。
[0026]进一步地，所述弱光热处理模块还包括第二加热装置，所述第二加热装置的加热温度低于所述第一加热装置的加热温度。
[0027]进一步地，所述第二加热装置的加热温度介于25℃～180℃。
[0028]进一步地，所述光热处理模块的数量为2～4个。
[0029]进一步地，若干所述光热处理模块、若干所述弱光热处理模块共用同一炉腔；
[0030]或，每个所述光热处理模块、每个所述弱光热处理模块独用一个炉腔。
[0031]本方法的有益效果是：相较于现有技术，本专利技术在光注入退火后，对太阳能电池片进行弱光热处理，保证不稳定的非晶硅结构充分发生变化；然后再次进行光注入退火处理，可以部分消除部分由不稳定的非晶硅结构发生变化导致钝化效果变差、导电性变差的影响，使得太阳能电池片的稳定性显著提高。
附图说明
[0032]图1是传统的光注入退火设备示意图；
[0033]图2是本专利技术一较佳实施例的太阳能电池片后处理设备100的示意图；
[0034]图3本专利技术另一较佳实施例的太阳能电池片后处理设备100的示意图。
[0035]其中，100
‑
太阳能电池片后处理设备，1
‑
光热处理模块，11
‑
第一光源，12
‑
第一加热装置，121
‑
加热单元，13
‑
第一传输装置，131
‑
第一辊轴，2
‑
弱光热处理模块，21
‑
第二传输装置，211
‑
第二辊轴，22
‑
第二光源，23
‑
第二加热装置，231
‑
第二加热单元，3
‑
太阳能电池片。
具体实施方式
[0036]以下将结合附图所示的具体实施方式对本方法进行详细描述。但这些实施方式并不限制本方法，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本方法的保护范围内。
[0037]在本方法的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本方法的主题的基本结构。
[0038]专利技术人在研究中发现：在光注入退火后，太阳能电池片的性能和温度性得到了改善，但是仍有部分不稳定的非晶硅结构会发生变化，导致钝化效果变差、导电性变差，体现为电池FF下降、Voc下降，这是导致电池稳定性差的一个因素。
[0039]专利技术人进一步研究后，提供一种太阳能电池片的后处理方法，包括如下步骤：S1对太阳能电池片进行光注入退火处理；S2对第一次光注入退火处理后的太阳能电池片进行弱光热处理；S3对弱光热处理后的太阳能电池片再次进行光注入退火处理。
[0040]本专利技术在光注入退火后，对太阳能电池片进行弱光热处理、再次进行光注入退火
处理，通过弱光热处理一段时间，保证不稳定的非晶硅结构充分发生变化；然后再次进行光注入退火处理，可以部分消除部分由不稳定的非晶硅结构发生变化导致钝化效果变差、导电性变差的影响，让非晶硅结构进一步稳定，使得太阳能电池片的稳定性显著提高。
[0041]优选地，所述光注入退火处理的光强为40kW/m2～80kW/m2，温度为150℃～200℃，处理时间为20s～60s。
[0042]所述光注入退火工艺跟光强、温度和时间都有关系。步骤S1和步骤S3中的前后两次光注入退火的光强相同、温度相同、处理时间也相同，且光强、温度和处理时间均选最优值，每一次光注入退火都使得太阳能电池片的效果和稳定性达到最佳。当然，两次光注入退火的光强、温度、处理时间也可以在上述范围内选用不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S1对太阳能电池片进行光注入退火处理；S2对第一次光注入退火处理后的太阳能电池片进行弱光热处理；S3对弱光热处理后的太阳能电池片再次进行光注入退火处理。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的后处理方法，其特征在于：所述光注入退火处理的光强为40kW/m2～80kW/m2，温度为150℃～200℃，处理时间为20s～60s。3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的后处理方法，其特征在于：步骤S1和步骤S3的光注入退火的光强相同、温度相同、处理时间相同。4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的后处理方法，其特征在于：步骤S2中弱光热处理的处理时间为1min～200h。5.根据权利要求1所述的太阳能电池片的后处理方法，其特征在于：步骤S2中弱光热处理的光强介于0kW/m2～10kW/m2。6.根据权利要求1所述的太阳能电池片的后处理方法，其特征在于：步骤S2中弱光热处理的温度介于25℃～180℃。7.根据权利要求1～6任意一项所述的太阳能电池片的后处理方法，其特征在于：所述太阳能电池片的后处理方法还包括，在完成步骤S3后重复步骤S2～S3，重复次数为1～2次。8.一种太阳能电池片后处理设备，其特征在于：包括：间隔设置的至少两个光热处理模块，所述光热处理模块包括第一光源、第一加热装置、第一传输装置；位于相邻两个光热处理模块之间的弱光热处理模块，所述弱光热处理模块包括与所述第一传输装置连接的第二传输装置。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张达奇，王俊，李硕，吴坚，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：