【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光伏领域，涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法与光伏组件。
技术介绍
1、异质结太阳能电池作为下一代更高效的晶硅太阳能电池而备受关注，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点，由于异质结太阳能电池的温度劣化系数小，且双面发电，在相同面积下，每年的发电量可以较普通多晶硅电池高出15～30％，因此具有很大的市场潜力。
2、异质结太阳能电池一般包括自上而下依次设置的第一集电极、第一透明导电膜层、第一非晶掺杂层、第一本征掺杂非晶层、单晶硅衬底、第二本征非晶层、第二掺杂非晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极。其中，由透明导电氧化物(tco)形成的透明导电膜层的电学性能和光学性能对异质结太阳能电池的效率有较大影响。
3、低掺杂透明导电膜层具有较优的光学吸收性能，但电导率较差，会限制异质结太阳能电池的电学性能进一步提升；而高掺杂的透明导电膜层具有较优电学性能、电导率高，但透光率较差，会影响异质结太阳能电池的isc(短路电流)；因此，需要对透明导电膜层进行结构设...
【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括n型半导体衬底，还包括在所述n型半导体衬底的第一主面由内到外依次层叠设置的第一本征晶层、n型掺杂晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，以及在所述n型半导体衬底的第二主面由内到外依次层叠设置的第二本征晶层、p型掺杂晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极；
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征晶层、n型掺杂晶层、第二本征晶层以及p型掺杂晶层均为非晶半导体和/或微晶半导体。
3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层及所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括n型半导体衬底，还包括在所述n型半导体衬底的第一主面由内到外依次层叠设置的第一本征晶层、n型掺杂晶层、第一透明导电膜层以及第一集电极，以及在所述n型半导体衬底的第二主面由内到外依次层叠设置的第二本征晶层、p型掺杂晶层、第二透明导电膜层以及第二集电极；
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征晶层、n型掺杂晶层、第二本征晶层以及p型掺杂晶层均为非晶半导体和/或微晶半导体。
3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层及所述第二透明导电膜层均包括氧化铟和/或氧化锌，还包括掺杂氧化物；
4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层中最外侧tco膜的载流子浓度为2e20～4e20/cm3，优选为2.5e20～3.5e20/cm3；
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚铮，崔巍，黄常州，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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