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本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法与光伏组件，所述异质结太阳能电池包括n型半导体衬底、第一及第二本征晶层、n型及p型掺杂晶层以及第一即第二透明导电膜层，其中，所述n型掺杂晶层的掺杂浓度大于等于1e19/cm<supgt;3&...
该专利属于嘉兴阿特斯技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴阿特斯技术研究院有限公司授权不得商用。

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