半导体装置制造方法及图纸

能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)具备：半导体衬底(32)；形成在半导体衬底(32)上的半导体层(40)；形成于半导体层(40)的纵向场效应晶体管(10)；球形的凸点电极，形成在半导体层(40)的表面侧，高度为100μm以上；及多层结构的金属层(30)，与半导体衬底(32)的背面侧的整面接触而形成；金属层(30)中的最厚的第1金属层(30a)以构成金属层(30)的金属种类中延展性最高的第1金属为主成分；第1金属层(30a)厚度是8μm以上；在半导体层(40)的平面视图中，在金属层(30)的外周具备向半导体衬底(32)的背面侧下方突出的突起(50)；在突起(50)的截面视图中，具备突起(50)的宽度为5μm以上的部位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置，特别涉及芯片尺寸封装型的半导体装置。

技术介绍

1、在纵向场效应晶体管中要求具有球形的凸点电极(bump electrode)。

2、专利文献

3、专利文献1：日本特许第5073992号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、在专利文献1中，公开了在具有球形的凸点电极的纵向场效应晶体管中在背面具备2μm左右的厚度的电极金属的构造。在具有球形的凸点电极的纵向场效应晶体管中，有时形成在背面的电极金属上的突起(毛刺)在超声波清洗后脱落而成为与其他零件的短路原因。

3、用来解决课题的手段

4、为了解决上述的课题，有关本公开的半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；半导体层，形成在上述半导体衬底上；纵向场效应晶体管，形成于上述半导体层；球形的凸点电极，形成在上述半导体层的表面侧，高度为100μm以上；以及多层结构的金属层，与上述半导体衬底的背面侧的整面接触而形成；上述金属层中的最厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，

2.如权利要求1所述的半导体装置，

3.如权利要求2所述的半导体装置，

4.如权利要求3所述的半导体装置，

5.如权利要求3所述的半导体装置，

6.如权利要求2所述的半导体装置，

7.如权利要求2所述的半导体装置，

8.如权利要求2所述的半导体装置，

9.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，

10.如权利要求9所述的半导体装置，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，

2.如权利要求1所述的半导体装置，

3.如权利要求2所述的半导体装置，

4.如权利要求3所述的半导体装置，

5.如权利要求3所述的半导体装置，

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【专利技术属性】
技术研发人员：中山佑介，田口晶英，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：