光伏组件的制备方法与光伏组件技术

本申请提供了一种光伏组件的制备方法与光伏组件，所述制备方法包括制备封装胶膜，在基膜一侧表面制备若干块纳米银线薄膜，若干所述纳米银线薄膜相互间隔设置；再将电池串放置在两张封装胶膜之间，所述纳米银线薄膜位于所述基膜朝向所述电池串的一侧，所述电池串包括依次串联的若干异质结电池，若干所述异质结电池与纳米银线薄膜一一对应设置；层压，使得所述电池串与封装胶膜结合为一体。所述纳米银线薄膜在层压后可与异质结电池表面相接触，提高电池表面的电流收集与传输性能，从而降低异质结电池的银浆耗量与材料成本；也能减少电池表面的金属栅线，降低遮光损失，提升光伏组件的转换效率。转换效率。转换效率。

【技术实现步骤摘要】
光伏组件的制备方法与光伏组件


[0001]本申请涉及光伏生产
，尤其涉及一种光伏组件的制备方法与光伏组件。

技术介绍

[0002]随着光伏产业的迅速发展，国内外市场对太阳能电池效率与性能的要求也越来越高，这也推动众多厂商积极进行新型电池结构及生产工艺的研究。其中，异质结(Heterojunction，HJT)电池具有低光衰、低温度系数等优势，能够降低能耗的同时减少硅基底的热损伤，近年已成为业内研究热点。
[0003]现有异质结电池结构中低温银浆的耗量与成本较高，此一点是制约异质结电池应用与发展的重要因素。业内现也已公开在异质结电池表面设置纳米银线薄膜，以提高表面电流收集能力的技术方案，上述纳米银线薄膜作为良好的导电层，可以降低银浆用量。目前而言，采用纳米银线薄膜的异质结电池及光伏组件在产品结构设计与工艺制程方面仍亟需完善，有必要提供一种新的光伏组件的制备方法与光伏组件。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种光伏组件的制备方法与光伏组件，能够提高组件产品中电池表面的电流收集与传输性能，降低银浆耗量与材料成本，减小遮光损失。
[0005]为实现上述专利技术目的，本申请提供了一种光伏组件的制备方法，主要包括：
[0006]制备封装胶膜，在基膜一侧表面制备若干块纳米银线薄膜，若干所述纳米银线薄膜相互间隔设置；
[0007]将电池串放置在两张封装胶膜之间，所述纳米银线薄膜位于所述基膜朝向所述电池串的一侧，所述电池串包括依次串联的若干异质结电池，若干所述异质结电池与纳米银线薄膜一一对应设置；
[0008]层压，使得所述电池串与封装胶膜结合为一体。
[0009]作为本申请实施例的进一步改进，所述封装胶膜的制备包括将纳米银线分散液涂布在所述基膜表面的若干既定区域，每一所述既定区域均设置不超过所述异质结电池的尺寸，再进行烘干，得到若干所述纳米银线薄膜。
[0010]作为本申请实施例的进一步改进，所述烘干步骤的温度控制在70～100℃。
[0011]作为本申请实施例的进一步改进，所述封装胶膜的制备过程中控制所述纳米银线薄膜的厚度为50～500nm，方阻为40～100Ω/sq。
[0012]作为本申请实施例的进一步改进，所述纳米银线薄膜中的纳米银线的长度设置为10～20μm，且该纳米银线的直径设置为20～60nm。
[0013]作为本申请实施例的进一步改进，所述封装胶膜上的若干纳米银线薄膜呈矩阵排布；两张所述封装胶膜之间置入至少两串所述电池串。
[0014]作为本申请实施例的进一步改进，所述异质结电池的制备过程包括对硅基底表面进行制绒；
[0015]在硅基底正面依次制备第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层与第一透明导电层，在硅基底背面依次制备第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层与第二透明导电层；
[0016]采用丝网印刷方法将既定的低温银浆印制在所述第一透明导电层、第二透明导电层表面，再经固化得到正面电极、背面电极，所述正面电极包括至少两条沿第一方向延伸的正面主栅，所述背面电极包括至少两条沿第一方向延伸的背面主栅。
[0017]作为本申请实施例的进一步改进，所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层及第二掺杂非晶硅层均采用PECVD方法沉积制得；
[0018]所述第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层的厚度设置为1～10nm，所述第一掺杂非晶硅层、第二掺杂非晶硅层的厚度设置为3～10nm。
[0019]作为本申请实施例的进一步改进，所述第一透明导电层、第二透明导电层均采用PVD方法沉积制得；
[0020]所述第一透明导电层、第二透明导电层的厚度设置为50～100nm，且所述第一透明导电层、第二透明导电层的方阻设置为30～120Ω/sq。
[0021]本申请还提供了一种采用前述制备方法制得的光伏组件。
[0022]本申请的有益效果是：采用本申请光伏组件的制备方法与光伏组件，不改变所述电池串的结构与工艺制程，也不影响焊带与异质结电池表面金属电极的接触性能；所述封装胶膜上的纳米银线薄膜经层压后与相应的异质结电池表面实现电性接触，能够提高电池表面的电流收集与传输性能，降低银浆耗量与材料成本，也能实现电池表面金属栅线数目的减少，降低遮光损失，提升组件产品的转换效率；所述纳米银线薄膜的制备过程更为便捷，提高现场效率，一次性就能完成整张基膜表面多块纳米银线薄膜的制备，得到网格化的封装胶膜。
附图说明
[0023]图1是本申请光伏组件的结构示意图；
[0024]图2是本申请光伏组件的封装胶膜的平面结构示意图；
[0025]图3是本申请光伏组件中异质结电池的结构示意图；
[0026]图4是本申请光伏组件的制备方法的主要步骤流程示意图。
[0027]100
‑
光伏组件；10
‑
电池串；11
‑
异质结电池；110
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硅基底；111
‑
第一本征非晶硅层；112
‑
第二本征非晶硅层；113
‑
第一掺杂非晶硅层；114
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第二掺杂非晶硅层；115
‑
第一透明导电层；116
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第二透明导电层；117
‑
正面电极；118
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背面电极；12
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焊带；20
‑
封装胶膜；21
‑
基膜；22
‑
纳米银线薄膜。
具体实施方式
[0028]以下将结合附图所示的实施方式对本专利技术进行详细描述。但该实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据该实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。
[0029]参图1至图4所示，本申请提供了一种光伏组件100及其制备方法。所述光伏组件100包括电池串10、分设在所述电池串10两侧的两张封装胶膜20，所述电池串10包括若干依次串联的异质结电池11及连接在所述异质结电池11表面的焊带12；所述封装胶膜20包括基
膜21及设置在所述基膜21朝向所述电池串10一侧的若干块纳米银线薄膜22，每一所述纳米银线薄膜22均与相应的异质结电池11相对应。
[0030]所述异质结电池11通常设置呈矩形或类矩形，所述纳米银线薄膜22的大小设置不超过所述异质结电池11的尺寸，避免发生边缘漏电。考虑实际生产中的操作误差，所述纳米银线薄膜22的尺寸会设置略小于相应异质结电池11的尺寸，优选将两者相应一侧边缘的长度差设置在2～3mm，保证纳米银线薄膜22对电池表面电流传输的增益，同时降低边缘漏电风险。
[0031]所述焊带12可采用扁平焊带、圆形焊带或具有其它截面形态的金属焊带，所述焊带12焊连在所述异质结电池11表面的金属电极上；所述电池串10的末端还设有汇流条(未图示)，所述焊带12还用以将末端的异质结电池连接至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏组件的制备方法，其特征在于：制备封装胶膜，在基膜一侧表面制备若干块纳米银线薄膜，若干所述纳米银线薄膜相互间隔设置；将电池串放置在两张封装胶膜之间，所述纳米银线薄膜位于所述基膜朝向所述电池串的一侧，所述电池串包括依次串联的若干异质结电池，若干所述异质结电池与纳米银线薄膜一一对应设置；层压，使得所述电池串与封装胶膜结合为一体。2.根据权利要求1所述的光伏组件的制备方法，其特征在于：所述封装胶膜的制备包括将纳米银线分散液涂布在所述基膜表面的若干既定区域，每一所述既定区域均设置不超过所述异质结电池的尺寸，再进行烘干，得到若干所述纳米银线薄膜。3.根据权利要求2所述的光伏组件的制备方法，其特征在于：所述烘干步骤的温度控制在70～100℃。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的光伏组件的制备方法，其特征在于：所述封装胶膜的制备过程中控制所述纳米银线薄膜的厚度为50～500nm，方阻为40～100Ω/sq。5.根据权利要求1
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3任一项所述的光伏组件的制备方法，其特征在于：所述纳米银线薄膜中的纳米银线的长度设置为10～20μm，且该纳米银线的直径设置为20～60nm。6.根据权利要求1所述的光伏组件的制备方法，其特征在于：所述封装胶膜上的若干纳米银线薄膜呈矩阵排布；两张所述封装胶膜之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海燕，杨慧，蒋方丹，吴坚，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：