检查方法、半导体装置的制造方法、检查装置、检查系统、程序产品及存储介质制造方法及图纸

实施方式涉及检查方法、半导体装置的制造方法、检查装置、检查系统、程序产品及存储介质。根据一个实施方式，在检查方法中，获取基于从相对于引线框的表面倾斜的第一方向向所述表面照射第一光时所述表面处的所述第一光的反射光的第一图像。另外，在所述检查方法中，使用所述第一图像检测所述表面处的异物。用所述第一图像检测所述表面处的异物。用所述第一图像检测所述表面处的异物。

【技术实现步骤摘要】
检查方法、半导体装置的制造方法、检查装置、检查系统、程序产品及存储介质
[0001]本申请主张以第2021
‑
145651号日本专利申请(申请日：2021年9月7日)为基础申请的优先权。本申请通过引用该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式通常涉及检查方法、半导体装置的制造方法、检查装置、检查系统、程序产品及存储介质。

技术介绍

[0003]对于使用了图像的引线框的检查，要求精度的提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供一种能够提高引线框的检查精度的检查方法、半导体装置的制造方法、检查装置、检查系统、程序产品及存储介质。
[0005]根据一个实施方式，在检查方法中，获取基于从相对于引线框的表面倾斜的第一方向向所述表面照射第一光时的所述表面处的所述第一光的反射光的第一图像。另外，在所述检查方法中，使用所述第一图像检测所述表面处的异物。
附图说明
[0006]图1是示例有关第一实施方式的检查系统的示意侧视图。
[0007]图2是示例作为检查对象的引线框的示意俯视图。
[0008]图3的(a)是用于说明有关第一实施方式的检查方法的示意侧视图。图3的(b)是表示图3的(a)所示的部分的图像的示意图。
[0009]图4的(a)是表示通过有关第一实施方式的检查方法得到的图像的示意图。图4的(b)是图4的(a)的A
‑
B线处的线分布图。
[0010]图5是表示有关第一实施方式的检查方法的流程图。
[0011]图6是表示有关参考例的检查方法的示意侧视图。
[0012]图7的(a)是用于说明有关参考例的检查方法的示意侧视图。图7的(b)是表示图7的(a)所示的部分的图像的示意图。
[0013]图8的(a)是表示通过有关参考例的检查方法得到的图像的示意图。图8的(b)是图8的(a)的A
‑
B线处的线分布图。
[0014]图9的(a)是示例有关第一实施方式的第一变形例的检查系统的示意侧视图。图9的(b)是示例有关第一实施方式的第一变形例的检查系统的示意俯视图。
[0015]图10的(a)～图10的(d)是表示通过有关第一实施方式的第一变形例的检查系统得到的图像的示意图。
[0016]图11的(a)～图11的(d)是表示通过有关第一实施方式的第一变形例的检查装置
进行了处理的图像的示意图。
[0017]图12的(a)及图12的(b)是表示通过有关第一实施方式的第一变形例的检查装置进行了处理的图像的示意图。
[0018]图13是表示有关第一实施方式的第一变形例的检查方法的流程图。
[0019]图14是示例图像中的检查区域的示意图。
[0020]图15是表示引线框的图像的示意图。
[0021]图16的(a)是表示通过有关第一实施方式的第二变形例的检查装置进行了处理的图像的示意图。图16的(b)是图16的(a)的局部放大图。
[0022]图17的(a)是表示通过有关第一实施方式的第二变形例的检查装置进行了处理的图像的示意图。图17的(b)是图17的(a)的局部放大图。
[0023]图18是表示有关第一实施方式的第二变形例的检查方法的流程图。
[0024]图19是表示有关第二实施方式的半导体装置的制造工序的示意俯视图。
[0025]图20是表示有关第二实施方式的半导体装置的制造工序的示意俯视图。
[0026]图21是表示有关第二实施方式的半导体装置的制造工序的示意俯视图。
[0027]图22是表示有关第二实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。
[0028]图23是表示硬件结构的示意图。
具体实施方式
[0029]下面，一边参照附图一边对本专利技术的各实施方式进行说明。
[0030]附图是示意性或者概念性的图，各部分的厚度和宽度的关系、各部分间的尺寸的比例等不一定与实际状况相同。即使在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而不同地表示相互的尺寸和比例的情况。
[0031]在本申请说明书和各附图中，对与已经说明的内容相同的要素赋予相同的标号，并适当省略详细说明。
[0032](第一实施方式)
[0033]图1是示例有关第一实施方式的检查系统的示意侧视图。
[0034]图1所示的检查系统1检查引线框100。检查系统1包括检查装置10、载物台20、光源31(第一光源)、摄像装置40及光学系统40a。
[0035]载物台20保持引线框100。载物台20具有与X
‑
Y面平行的表面21，引线框100载置在表面21。
[0036]光源31设置于载物台20的上方。光源31从相对于表面101倾斜的第一方向向引线框100照射光L1(第一光)。光源31包括半导体发光二极管、荧光灯等发光装置。作为一例，针对X
‑
Y面的光L1的照射角度设定为大于60度且小于90度。
[0037]摄像装置40设置于载物台20的上方。在表面101反射的光L1的一部分透过光学系统40a，入射到摄像装置40。光学系统40a包括一个以上的透镜。摄像装置40从与光源31不同的位置及角度拍摄表面101，获取基于表面101处的光L1的反射光的图像(静态图像)。也可以是，摄像装置40获取动态图像，从动态图像切取静态图像。摄像装置40是包括CCD图像传感器或者MOS图像传感器的摄像机。
[0038]相对于载物台20的摄像装置40的位置及角度以能够检测后述的表面101的异物的
方式进行设定。在图1的例子中，摄像装置40从与X
‑
Y面垂直的Z方向拍摄表面101。如果摄像装置40的拍摄方向相对于X
‑
Y面的倾斜大于光L1的照射方向相对于X
‑
Y面的倾斜，则拍摄方向可以相对于Z方向倾斜。
[0039]图2是示例作为检查对象的引线框的示意俯视图。
[0040]引线框100是导电性的，包括铜合金或者铁合金。如图2所示，引线框100包括多个芯片座110及多个端子部120。多个芯片座110沿着X方向及Y方向进行排列。在各个芯片座110的周围设置有一个以上的端子部120。端子部120与芯片座110电连接。
[0041]图3的(a)是用于说明有关第一实施方式的检查方法的示意侧视图。图3的(b)是表示图3的(a)所示的部分的图像的示意图。图4的(a)是表示通过有关第一实施方式的检查方法得到的图像的示意图。图4的(b)是图4的(a)的A
‑
B线处的线分布图。
[0042]在图3的(a)中，将表面101的一部分放大表示。在图3的(a)的例子中，表面101包括平坦区域101a及粗糙化区域101b。粗糙化区域101b的面粗糙度大于平坦区域101a的面粗糙度。例如，粗糙化区域101b使用了药液化学地将表面粗糙化。平坦区域101本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检查方法，其中，获取基于从相对于引线框的表面倾斜的第一方向向所述表面照射第一光时的所述表面处的所述第一光的反射光的第一图像，使用所述第一图像检测所述表面处的异物。2.根据权利要求1所述的检查方法，其中，将根据所述第一图像确定的异物区域的面积与阈值进行比较、或者将所述第一图像与基准图像进行比较，由此检测所述异物。3.根据权利要求1所述的检查方法，其中，还获取基于从相对于所述表面倾斜的第二方向向所述表面照射第二光时的所述表面处的所述第二光的反射光的第二图像，使用所述第一图像及所述第二图像检测所述异物。4.根据权利要求3所述的检查方法，其中，合成根据所述第一图像确定的异物区域及根据所述第二图像确定的异物区域，使用合成出的图像检测所述异物。5.根据权利要求4所述的检查方法，其中，计算合成出的所述图像中的异物区域的面积，将所述面积与阈值进行比较，由此检测所述异物。6.根据权利要求1所述的检查方法，其中，对所述第一图像设定检查区域，检测所述检查区域中的所述异物。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：高吉智辉，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：