【技术实现步骤摘要】
检测晶圆缺陷的方法、装置、系统、存储介质及电子设备
[0001]本申请涉及晶圆检测
,具体而言,涉及一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统、存储介质及电子设备。
技术介绍
[0002]现如今半导体行业已俨然成为经济发展的支柱产业,外延晶圆片作为半导体器件制作的基础工艺,晶圆表面缺陷直接关系到半导体器件的良率以及应用性能。
[0003]目前,在对晶圆的表面缺陷进行检测的方法采用同轴光源拍摄法对待检测晶圆进行拍摄图像,然后由人工或者软件对拍摄的图像进行分析。虽然现有技术的检测效率有所增加,但是该检测方法完全忽略了晶圆的表面状态受多种外部环境影响而产生不同结果的情况,由此导致对晶圆表面缺陷的检测准确度较低。
[0004]因此,如何提供一种准确度较高的检测晶圆缺陷的方法的技术方案成为亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本申请的一些实施例的目的在于提供一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统、存储介质及电子设备,通过本申请的实施例的技术方案可以实现从多角度多方位实现对晶圆缺陷的检测,晶圆缺陷的检测结果准确度较高。
[0006]第一方面,本申请的一些实施例提供了一种检测晶圆缺陷的方法,包括:获取与待检测晶圆对应的多张待检测图像,其中,所述多张待检测图像中各张待检测图像中的所述待检测晶圆的拍摄角度、晶圆方向和光源照射强度中的至少一种参量不同;对所述多张待检测图像进行检测,得到所述待检测晶圆的缺陷信息。
[0007]本申请的一些实施例通过对待检测晶圆在不同拍摄角度、不同晶圆方向 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆缺陷的方法,其特征在于,包括:获取与待检测晶圆对应的多张待检测图像,其中,所述多张待检测图像中各张待检测图像中的所述待检测晶圆的拍摄角度、晶圆方向和光源照射强度中的至少一种参量不同;对所述多张待检测图像进行检测,得到所述待检测晶圆的缺陷信息。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述获取与待检测晶圆对应的多张待检测图像之前,所述方法还包括:确定原始晶圆;对所述原始晶圆进行清洁处理,获取所述待检测晶圆。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述原始晶圆进行清洁处理,得到所述待检测晶圆,包括:通过晶圆感应确定晶圆清洁点位;利用氮气对所述晶圆清洁点位进行清洁,得到所述待检测晶圆。4.如权利要求1
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3中任一项所述的方法,其特征在于,所述获取与待检测晶圆对应的多张待检测图像,包括:调节所述拍摄角度、所述光源照射强度以及所述晶圆方向中的至少一种参量,得到多个待拍摄晶圆;对所述多个待拍摄晶圆中的各个待拍摄晶圆进行拍摄,得到所述各张待检测图像。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述调节所述拍摄角度、所述光源照射强度以及所述晶圆方向中的至少一种参量,包括:基于所述待检测晶圆的状态,确定拍摄相机的拍摄参数,得到所述拍摄角度;基于所述待检测晶圆的状态,确定目标光源的光源照射参数,得到所述光源照射强度;基于所述待检测晶圆的状态,确定电动载物台的旋转角度,得到所述晶圆方向。6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述调节所述拍摄角度、所述光源照射强度以及所述晶圆方向中的至少一种参量,得到多个待拍摄晶圆,包括:从所述拍摄角度、所述光源照射强度以及所述晶圆方向中选取出目标参量,其中,所述目标参量的数量为一个或两个;基于所述目标参量,对所述拍摄角度、所述光源照射强度以及所述晶圆方向中除所述目标参量之外的参量进行调节,确定所述多个待拍摄晶圆。7.如权利要求1
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3中任一项所述的方法,其特征在于,所述对所述多张待检测图像进行检测,得到所述待检测晶圆的缺陷信息,包括:对所述各张待检测图像进行检测,输出所述缺陷信息中的晶圆缺陷等级和晶圆检测报告。8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述对所述多张待检测图像进行检测,得到所述待检测晶圆的缺陷信息之后,所述方法还包括:将所述待检测晶圆传送至与所述晶圆缺陷等级对应的目标区域内。9.一种检测晶圆缺陷的系统,其特征在于,包括:晶圆清洁模块,用于对原始晶圆进行清洁处理,获取待检测晶圆;第一传送模块,用于将所述待检测晶圆传送至电动载物台;所述电动载物台,用于基于所述待检测晶圆的状态调节旋转角度,得到晶圆方向;
光源模块,用于调节对所述待检测晶圆的光源照射强度;拍摄模块,用于调整拍摄相机的拍摄角度,并采集所述待检测晶圆对应的多张待检测图像,其中,所述多张待检测图像中各张待检测图像中的所述拍摄角度、所述晶圆方向和所述光源照射强度中的至少一种参量不同;晶圆检测模块,用于对所述多张待检测图像进行检测,得到所述待检测晶圆的缺陷信息。1...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫联国,张培峰,雷宇,薛建凯,许多,李斌,赵毅,朱坤,冯伟,苏莹,文晋,徐文艾,
申请(专利权)人:太原国科半导体光电研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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