【技术实现步骤摘要】
一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器
[0001]本申请涉及红外探测
,具体而言,涉及一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器。
技术介绍
[0002]由于具有可穿透烟雾、抗干扰能力强以及全天候工作等特点,红外探测器在国防和国民经济等多个领域得到了广泛应用。随着新需求的不断发展,长波红外探测器呈现良好的市场前景。碲镉汞红外探测器具有量子效率高、响应速度快等优点,已成为目前应用最为广泛的红外探测器。但碲镉汞红外探测器在长波波段存在均匀性差、成品率低和成本高的问题,导致高性能长波红外探测器难以得到广泛应用。
[0003]Ⅱ类超晶格红外探测器是近年来兴起的一种新型红外探测器,它具有以下几个特点:(1)材料带隙可调,光谱响应可覆盖2μm~30μm波长范围;(2)独特的能带结构决定其具有较大的电子有效质量,并且随着探测波长的增大,电子有效质量却几乎保持不变;在长波红外波段,其电子有效质量约为碲镉汞材料的3倍,导致此类探测器隧穿电流小;(3)通过应变调节能 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构,其特征在于,所述Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构包括:红外探测器外延片;金属接触层,所述金属接触层包括依次层叠布置的粘附层、反射层、连接层、第一保护层和第二保护层,所述粘附层连接于所述红外探测器外延片;金属连接柱,所述金属连接柱连接于所述第二保护层。2.根据权利要求1所述的Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构,其特征在于,所述反射层由Ag或Al制成。3.根据权利要求1所述的Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构,其特征在于,所述粘附层为Ni层,所述反射层为Ag层,所述连接层为Ni层,所述第一保护层为Pt层,所述第二保护层为Au层;可选地,所述粘附层的厚度为5nm~20nm。4.根据权利要求1所述的Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构,其特征在于,所述粘附层为Ti层,所述反射层为Al层,所述连接层为Ti层,所述第一保护层为Pt层,所述第二保护层为Au层;可选地,所述粘附层的厚度为5nm~20nm。5.根据权利要求1所述的Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构,其特征在于,所述粘附层为ITO层,所述反射层为Al层,所述连接层为Ti层,所述第一保护层为Pt层,所述第二保护层为Au层...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛建凯,张培峰,雷宇,宫联国,许多,苏莹,李斌,文晋,冯伟,朱坤,赵毅,徐文艾,
申请(专利权)人:太原国科半导体光电研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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