一种复合镀层铟柱阵列的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，属于红外焦平面探测器技术领域；解决了现有工艺中在铟柱阵列中电镀复合镀层出现的镀件电流密度分布不均匀、导致镀层厚薄不一问题；包括以下步骤：在芯片上方蒸镀铟层；在铟层上方匀胶后进行光刻、显影、坚膜，使芯片上方不需要生长铟柱的地方得到光刻开孔，需要生长铟柱的地方进行光刻胶掩蔽；对芯片进行刻蚀，将铟层上不需要生长铟柱的位置刻蚀掉；对刻蚀后的芯片去胶；采用化学镀的工艺，将芯片放在含惰性金属离子的化学溶液中进行复合镀层制备，在基层铟柱的上表面和侧壁生长一层指定高度的薄镀层，得到包覆复合镀层的铟柱阵列；本发明专利技术应用于铟柱阵列的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供了一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，属于红外焦平面探测器。

技术介绍

1、红外焦平面探测器是一种用于探测红外辐射的器件。它的工作原理基于红外辐射效应，利用红外辐射与探测器材料相互作用，产生电信号进行探测和测量。具有高灵敏度、快速响应、宽波段、低噪声等特点，广泛应用于红外成像、热成像、夜视仪器、导弹制导、气象观测等领域。红外焦平面探测器通常由铟柱阵列将研制好的焦平面阵列芯片和读出电路阵列互连混成。其中铟柱起着连通探测器焦平面阵列芯片和读出电路使两者良好导通的作用。

2、目前，高密度、小间距红外探测器已成为红外探测器技术发展的重要方向，同时也对工艺过程中铟柱阵列的生长高度与纵横比提出了新的要求。但现有工艺中铟柱生长存在生长高度低、形貌差的结构效果，容易增加后续倒装键合中键合强度低、短路的风险，无法满足技术要求。此外，铟的氧化特性和大纵横比的阵列结构增加了氧气接触的比表面积，易造成铟柱表层氧化生成氧化铟。氧化铟的增加会导致倒焊互联效果变差从而降低传感器的灵敏度；还会产生额外的电阻与发热量使探测器在接收红外辐射信号时损失一部分能量，增加探测本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤S1中采用电子束蒸镀机在芯片表面均匀蒸镀一层8-15μm高的铟层。

3.根据权利要求1所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤S2中选用AZ6130正性光刻胶作为匀胶的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤S2进行光刻、显影、竖膜的步骤如下：

5.根据权利要求4所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤S3中采用离子束刻蚀工艺对光刻后的芯...

【技术特征摘要】

1.一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤s1中采用电子束蒸镀机在芯片表面均匀蒸镀一层8-15μm高的铟层。

3.根据权利要求1所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤s2中选用az6130正性光刻胶作为匀胶的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤s2进行光刻、显影、竖膜的步骤如下：

5.根据权利要求4所述的一种复合镀层铟柱阵列的制备方法，其特征在于：步骤s3中采用离子束刻蚀工艺对光刻后的芯片进行离子束刻蚀，刻蚀束压为250-300v，束流为50-60...

【专利技术属性】
技术研发人员：史鹏程，任晋，冯伟，史均伟，韩润宇，苏莹，
申请(专利权)人：太原国科半导体光电研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：