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本发明提供了一种复合镀层铟柱阵列的制备方法,属于红外焦平面探测器技术领域;解决了现有工艺中在铟柱阵列中电镀复合镀层出现的镀件电流密度分布不均匀、导致镀层厚薄不一问题;包括以下步骤:在芯片上方蒸镀铟层;在铟层上方匀胶后进行光刻、显影、坚膜,使...该专利属于太原国科半导体光电研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过太原国科半导体光电研究院有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种复合镀层铟柱阵列的制备方法,属于红外焦平面探测器技术领域;解决了现有工艺中在铟柱阵列中电镀复合镀层出现的镀件电流密度分布不均匀、导致镀层厚薄不一问题;包括以下步骤:在芯片上方蒸镀铟层;在铟层上方匀胶后进行光刻、显影、坚膜,使...