【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备和光伏组件
[0001]本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。
技术介绍
[0002]包括层叠设置的隧穿层和掺杂多晶硅层的钝化接触结构，能够提供优异的硅界面钝化性能，因此，在太阳能电池中应用广泛。
[0003]然而现有的向光面具有钝化接触结构的太阳能电池，在向光面存在较为严重的接触复合和表面复合，降低了太阳能电池的开路电压、短路电流以及光电转换效率。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件，旨在解决现有的向光面具有钝化接触结构的太阳能电池，在向光面存在较为严重的接触复合和表面复合，降低了太阳能电池的开路电压、短路电流以及光电转换效率的问题。
[0005]本专利技术的第一方面，提供一种太阳能电池，包括：
[0006]硅基底、正面钝化减反层、局部钝化接触结构、层叠设置的背面本征钝化层和背面掺杂层、正面电极、背面电极；
[0007]所述局部钝化接触结构和所述正面钝化减反层，共同覆盖所述硅基底...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底、正面钝化减反层、局部钝化接触结构、层叠设置的背面本征钝化层和背面掺杂层、正面电极、背面电极；所述局部钝化接触结构和所述正面钝化减反层，共同覆盖所述硅基底的向光面，且沿着与所述背面掺杂层和所述背面电极的层叠方向垂直的方向，所述局部钝化接触结构和所述正面钝化减反层，在所述硅基底的向光面上交替分布；所述层叠设置的背面本征钝化层和背面掺杂层，位于所述硅基底的背光面；所述正面电极位于所述局部钝化接触结构上；所述背面电极与所述背面掺杂层电连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化减反层包括层叠设置的正面钝化层和正面减反层；所述正面钝化层的材料选自：本征非晶硅；所述正面减反层的材料选自：氮化硅、碳化硅、氧化钛、氧化硅、氟化镁、氮氧化硅、TCO中的至少一种。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化减反层包括层叠设置的正面钝化层和正面减反层；所述正面钝化层的材料选自：磷硅玻璃、氧化硅、氧化磷、氧化铝和氧化磷，四者中的至少一种；所述正面减反层的材料选自：氮化硅、碳化硅、氧化钛、氧化硅、氟化镁、氮氧化硅、TCO中的至少一种。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述局部钝化接触结构在所述硅基底的向光面上的投影的面积，大于所述正面电极在所述硅基底的向光面上的投影的面积，所述正面钝化减反层还覆盖所述局部钝化接触结构中未被所述正面电极覆盖的区域。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述局部钝化接触结构在所述硅基底的向光面上的投影的面积，等于所述正面电极在所述硅基底的向光面上的投影的面积，沿着与所述背面掺杂层和所述背面电极的层叠方向，所述正面钝化减反层与所述局部钝化接触结构平齐分布。6.根据权利要求1至5中任一所述的太阳能电池，其特征在于，所述局部钝化接触结构包括：层叠设置的隧穿层和掺杂多晶硅层。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层中还含有碳元素，和/或，氧元素。8.根据权利要求1至5中任一所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：背面TCO层，所述背面TCO层位于所述背面掺杂层上，所述背面电极位于所述背面TCO层上。9.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在硅基底的向光面形成钝化接触结构；在所述钝化接触结构上形成第一开口，以形成局部钝化接触结构，并使得所述硅基底的向光面部分裸露；在所述硅基底裸露的向光面上，形成正面钝化减反层，并在所述硅基底的背光面依次形成背面本征钝化层和背面掺杂层；在局部钝化接触结构上形成正面电极，并形成与所述背面掺杂层电连接的背面电极。10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅基底裸
露的向光面上，形成正面钝化减反层，包括：在所述局部钝化接触结构以及所述硅基底裸露的向光面上，形成正面钝化减反层，在所述正面减反层的局部区域形成第二开口，使得所述局部钝化接触结构至少部分裸露；所述在局部钝化接触结构上形成正面电极，并形成与所述背面掺杂层电连接的背面电极，包括：在裸露的局部钝化接触结构上形成正面电极，并形成与所述背面掺杂层电连接的背面电极。11.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在硅基底的向光面形成钝化接触结构，包括：在所述硅基底的向光面形成隧穿层；在所述隧穿层上沉积本征多晶硅层，对所述本征多晶硅层进行掺磷处理，形成掺磷多晶硅层，在掺磷处理的同时，在所述掺磷多晶硅层上，形成正面磷硅玻璃层...
【专利技术属性】
技术研发人员：武禄，陈皓，杨苗，曲铭浩，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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