太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法技术

一种太阳能电池(10)，包括：设置在结晶硅衬底(11)的第一主面上的n型第一非晶硅层(13)；设置在第一非晶硅层(13)的第一主面上的非晶氧化硅层(14)；和设置在非晶氧化硅层(14)的第一主面上的n型微晶硅层(15)。第一非晶硅层(13)、非晶氧化硅层(14)和微晶硅层(15)中的氧原子浓度在厚度方向在非晶氧化硅层(14)中具有最大值。具有最大值。具有最大值。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法


[0001]本公开涉及太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法。

技术介绍

[0002]在第5726377号日本审查专利申请公报中公开了一种传统的太阳能电池。如图12所示，该太阳能电池710的受光面的非晶硅层被微晶化，以形成微晶硅层715。使用非晶硅层的异质结太阳能电池存在以下问题：受光面的非晶硅层的寄生吸收减少了到达结晶硅衬底(其为光电转换层)的光。在该太阳能电池710中，对受光面的非晶硅层进行微晶化，以便提高硅层的透过性，以增加到达光电转换层的光的强度，从而提高太阳能电池710的输出。

技术实现思路

[0003]技术问题
[0004]如图12所示，上述传统的太阳能电池710除了具有实现钝化的本征非晶硅层713之外，还具有本征微晶硅层714。本征微晶硅层714是用于提高难以微晶化的导电硅层的微晶化的籽晶层。这种配置增加了本征层713和714的总厚度，与导电层相比导电性差；因此，内部电阻增加，并且太阳能电池710的填充因子很可能降低。/>[0005]在此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，包括：第一导电类型的第一非晶硅层，设置在结晶硅衬底的第一主面上；非晶氧化硅层，设置在所述第一非晶硅层的第一主面上；和所述第一导电类型的微晶硅层，设置在所述非晶氧化硅层的第一主面上，其中，所述第一非晶硅层、所述非晶氧化硅层和所述微晶硅层中的氧原子浓度在厚度方向在所述非晶氧化硅层中具有最大值。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括由非晶硅材料构成的第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述结晶硅衬底的第一主面与所述第一非晶硅层的第二主面之间。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述微晶硅层的厚度大于所述第一钝化层的厚度，且大于所述第一非晶硅层的厚度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池，还包括：第二钝化层，由非晶硅材料构成，且设置在所述结晶硅衬底的第二主面上；和第二导电类型的第二非晶硅层，设置在所述第二钝化层的第二主面上，其中，所述微晶硅层的结晶度高于所述第二非晶硅层的结晶度。5.根据权利要求2所述的太阳能电池，还包括：第二钝化层，由非晶硅材料构成，且设置在所述结晶硅衬底的第二主面上；和第二导电类型的第二非晶硅层，设置在所述第二钝化层的第二主面上，其中，所述第一钝化层中的所述第一导电类型的原子的浓度低于1
×
10
21
原子/cm3，且低于所述第一非晶硅层中的所述第一导电类型的原子的浓度，并且所述第二钝化层中的所述第二导电类型的原子的浓度低于1
×
10
21
原子/cm3，且低于所述第二非晶硅层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部大树，片山博贵，
申请(专利权)人：松下控股株式会社，
类型：发明
国别省市：