太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，所述基底具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面上的第一钝化叠层，所述第一钝化叠层包括沿远离所述第一表面的方向上依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层，其中，所述第一富氧介质层的氧原子数占比小于所述第二富氧介质层中的氧原子数占比；设置在所述第二表面上的隧穿氧化层；设置在所述隧穿氧化层上的掺杂导电层；以及设置在所述掺杂导电层上的第二钝化层。本申请实施例有利于提升太阳能电池的吸收效率。请实施例有利于提升太阳能电池的吸收效率。请实施例有利于提升太阳能电池的吸收效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]电势诱导衰减(PID，potential induced degradation)是指外电压下长期作用下，光伏组件发生功率衰减的现象。关于PID的失效机理，目前比较公认的为PID
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s和PID
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p理论，前者是指组件封装材料中的乙烯
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醋酸乙烯酯(EVA，Ethylene Vinyl Acetate)与水汽反应水解生成醋酸，醋酸与玻璃表面反应生成可游离的钠离子Na+，在电场作用下Na+离子穿透过钝化层而进入PN结内，进而形成漏电流路径；后者则是特指Na+吸引背面少子导致的载流子复合。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，有利于提升太阳能电池及光伏组件对太阳光的吸收效率。
[0004]为解决上述问题，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面上的第一钝化叠层，所述第一钝化叠层包括依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层，其中，所述第一富氧介质层的氧原子数占比小于所述第二富氧介质层中的氧原子数占比；设置在所述第二表面上的隧穿氧化层；设置在所述隧穿氧化层表面上的掺杂导电层；以及设置在所述掺杂导电层上的第二钝化层。
[0005]另外，所述第一富硅介质层和所述第二富硅介质层中包含氧原子，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～70％，所述第一富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为30％～80％，所述第二富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％。
[0006]另外，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～60％，所述第一富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为50％～80％，所述第二富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％。
[0007]另外，所述第一富氧介质层的材料包括氧化铝、氧化硅、氮氧化硅、氧化镓、氧化钛或氧化铪中一者或多者的组合。
[0008]另外，所述第一富氧介质层包括氧化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝层位于所述氮氧化硅层和所述基底之间。
[0009]另外，所述氧化铝中氧原子数与铝原子数的比值为[0.6，2.4]。
[0010]另外，所述第一富氧介质层的折射率大于所述第二富氧介质层的折射率。
[0011]另外，所述第一富氧介质层包含氧化硅材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.58～1.61，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为2nm～15nm。
[0012]另外，所述第一富氧介质层包含氮氧化硅材料，所述第一富氧介质层的折射率为
1.61～1.71，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为8nm～20nm。
[0013]另外，所述第一富氧介质层包含氧化铝材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.71～1.81，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为1nm～20nm。
[0014]另外，所述第二富氧介质层包含氮氧化硅材料，所述第二富氧介质层的折射率为1.56～1.62，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二富氧介质层的厚度为5nm～20nm。
[0015]另外，所述第一富硅介质层的折射率大于所述第二富硅介质层的折射率。
[0016]另外，所述第一富硅介质层的折射率为2.02～2.2，所述第二富硅介质层的折射率为1.98～2.06。
[0017]另外，所述第一富硅介质层的材料包括第一氮化硅材料，所述第一氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为0.66～2.3。
[0018]另外，所述第一富硅介质层的折射率为2.06～2.2，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富硅介质层的厚度为20nm～50nm。
[0019]另外，所述第二富硅介质层的材料包括第二氮化硅材料，所述第二氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为0.46～1.87。
[0020]另外，所述第二富硅介质层的折射率为1.98～2.06，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二富硅介质层的厚度为20nm～50nm。
[0021]另外，，所述第二钝化层的折射率为2.04～2.2，在垂直于所述第二表面的方向上，所述第二钝化层的厚度为60nm～100nm。
[0022]相应地，本申请实施例还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个上述任一项所述的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
[0023]与相关技术相比，本申请实施例提供的技术方案具有以下优点：
[0024]上述技术方案中，富氧介质层与富硅介质层依次设置，相较于富硅介质层，富氧介质层具有较高的致密性、较弱的正电性以及较低的硬度，有利于阻拦外部离子扩散进入基底以及降低发射极的缺陷密度和应力损伤，或者具有较强的负电性，有利于对基底形成场钝化，实现载流子的选择性传输，设置至少两层富氧介质层，有利于强化上述任一方面的技术效果或者使得太阳能电池同时具备两方面效果；此外，相较于富氧介质层，富硅介质层通常具有折射率高的特点，间隔设置两层富硅介质层，有利于形成两道折射率梯度，使得不同波长的光都能有效入射进入基底，提升太阳能电池的吸收效率；进一步地，设置第二富氧介质层中氧原子数占比大于第一富氧介质层中氧原子数占比，有利于使得第二富氧介质层具有较高的致密度，从而将外部离子或其他杂质阻隔在更外层，避免第一富硅介质层的减反射性能受到影响，保证太阳能电池具有较高的光吸收效率。
附图说明
[0025]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0026]图1为本申请实施例提供的太阳能电池的剖面结构示意图；
[0027]图2为本申请实施例提供的太阳能电池的局部剖面图；
[0028]图3为本申请实施例提供的太阳能电池的位置
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原子数占比示意图；
[0029]图4和图5为本申请实施例提供的光伏组件的结构示意图；
[0030]图6～图10为本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
[0031]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
[0032]本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，以下将结合附图对本申请实施例提供的太阳能电池进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面上的第一钝化叠层，所述第一钝化叠层包括沿远离所述第一表面的方向上依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层，其中，所述第一富氧介质层的氧原子数占比小于所述第二富氧介质层中的氧原子数占比；设置在所述第二表面上的隧穿氧化层；设置在所述隧穿氧化层表面上的掺杂导电层；以及设置在所述掺杂导电层表面上的第二钝化层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富硅介质层和所述第二富硅介质层中包含氧原子，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～70％，所述第一富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为30％～80％，所述第二富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～60％，所述第一富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为50％～80％，所述第二富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层的材料包括氧化铝、氧化硅、氮氧化硅、氧化镓、氧化钛或氧化铪中一者或多者的组合。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层包括氧化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝层位于所述氮氧化硅层和所述基底之间。6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化铝中氧原子数与铝原子数的比值为[0.6，2.4]。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层的折射率大于所述第二富氧介质层的折射率。8.根据权利要求1或7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层包含氧化硅材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.58～1.61，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为2nm～15nm。9.根据权利要求1或7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层包含氮氧化硅材料，所述第一富氧介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文琪，余丁，杨洁，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：