一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法技术

本发明专利技术涉及一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件结构和制造方法，其中结构包括衬底基板，位于衬底基板一侧的缓冲层，位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一异质结结构及第二异质结结构，所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结，所述第二异质结结构包括多个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结，第一电极与所述第一异质结结构一端连接，金属连接部与第一异质结结构另一端连接且与第二异质结结构的一端连接；第二电极与所述第二异质结结构的另一端连接，栅电极位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧。结结构远离所述衬底基板的一侧。结结构远离所述衬底基板的一侧。

【技术实现步骤摘要】
一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件领域，具体涉及一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法。

技术介绍

[0002]AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(Hetero
‑
junction Field Effect Transisitor，HFET)也称高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transisitor，HEMT)，又称二维电子气场效应管(Two Dimensional Electron Gas Field Effect Transisitor，2
‑
DEGFET)。由于二维电子气(2
‑
DEG)的存在，常规HEMT器件均为耗尽型(常开型)。器件工作时，通过外加偏置电压来调制二维电子气的浓度和迁移率，偏置电压不同，器件有不同的工作状态。栅源极偏压Vgs控制器件的开启和关断，漏源电压Vds形成横向电场，使二维电子气沿沟道输运形成源漏电流Ids。
[0003]氮化镓(GaN)半导体器件因其宽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：衬底基板；位于衬底基板一侧的缓冲层；位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一异质结结构及第二异质结结构，所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结，所述第二异质结结构包括多个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结，其中第一方向为垂直于所述衬底基板方向；第一电极，与所述第一异质结结构一端连接，金属连接部，所述金属连接部与所述第一异质结结构另一端连接，且与所述第二异质结结构的一端连接；第二电极，与所述第二异质结结构的另一端连接；栅电极，位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧。2.如权利要求1所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述栅电极与所述第一异质结结构之间设有第一P型掺杂GaN层。3.如权利要求2所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述第二异质结结构远离所述衬底基板的一侧设有第二P型掺杂GaN层。4.如权利要求1所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述第一异质结结构在所述衬底基板上的投影与所述第二异质结结构在所述衬底基板上的投影不交叠。5.如权利要求1所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧还包括AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层在所述衬底基板上的投影与所述栅电极在所述衬底基板上的投影不交叠；所述AlGaN掺杂层远离所述衬底基板的一侧包括第三电极，所述第一电极与所述第三电极电连接。6.如权利要求5所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述AlGaN掺杂层包括P型掺杂区和N型掺杂区；所述P型掺杂区与所述第三电极连接，所述N型掺杂区与所述金属连接部连接。7.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1
‑
6中任一项所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件。8.一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上生长GaN...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，黄汇钦，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：