一种无芯基板及其制作方法以及半导体技术

本申请公开了一种无芯基板及其制作方法以及半导体，其中方法包括：准备一临时基板；临时基板至少包括第一金属层以及第二金属层；在第一金属层的上表面制作导通铜柱；在导通铜柱上压合第一绝缘层，使第一绝缘层覆盖导通铜柱；第一绝缘层包括玻纤材料；削减第一绝缘层的厚度，使导通铜柱外露；在外露的导通铜柱上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层包括无玻纤材料；削减第二绝缘层的厚度，使导通铜柱外露；在第二绝缘层上制作金属种子层；去除所述第二金属层，以所述金属种子层以及所述第一金属层为基材，制作线路层。本方法可以可以提高产品的质量。本申请可广泛应用于半导体技术领域内。本申请可广泛应用于半导体技术领域内。本申请可广泛应用于半导体技术领域内。

【技术实现步骤摘要】
一种无芯基板及其制作方法以及半导体


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是一种无芯基板及其制作方法以及半导体。

技术介绍

[0002]随着电子技术的日益发展，电子产品的性能要求越来越高，从而使得电子元件及线路板基板线路集成化、小型化、多功能化是必然趋势。这就要求作为元器件载体的线路板有更小的线宽、线距以及导通孔/柱；同时高频信号的传输以及对传输信号完整度的要求对电路板的线路阻抗设计提出了更高的要求，对应的线路图形应该有更精细的线路、更好的完整度；
[0003]现有技术中，进行层压工艺时，在导电柱层上堆叠一定厚度的半固化片(绝缘层材料)，在半固化片进行层压，层压之后，还需要对层压后形成的绝缘层进行研磨，以露出连接上下线路层的导电柱，形成可上下铜柱导通的基板；而在此过程中，由于绝缘层采用玻纤材料，玻纤维在研磨过程中容易外露，导致绝缘层出现不平整，影响后续的线路制作。因此，亟需一种新的无芯基板制作方法。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种无芯基板及其制作方法以及半导体，该方法可以制作出更加精细的线路层，从而可以提高产品的质量。
[0006]为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：一种无芯基板制作方法，包括以下步骤：准备一临时基板；所述临时基板至少包括第一金属层以及第二金属层；所述第一金属层与第二金属层沿着垂直于临时基板方向压合成型；在所述第一金属层的上表面制作导通铜柱；在所述导通铜柱上压合第一绝缘层，使所述第一绝缘层的厚度大于所述导通铜柱的高度；所述第一绝缘层包括玻纤材料；削减所述第一绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度；在所述导通铜柱上压合第二绝缘层；使所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的厚度总和大于所述导通铜柱的高度；所述第二绝缘层包括无玻纤材料；削减所述第二绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于等于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度总和；在所述第二绝缘层上制作金属种子层；去除所述第二金属层，以所述金属种子层以及所述第一金属层为基材，制作线路层。
[0007]另外，根据本专利技术中上述实施例的一种无芯基板制作的方法，还可以有以下附加的技术特征：
[0008]进一步地，本申请实施例中，所述在所述第一金属层的上表面制作导通铜柱这一步骤，具体包括：在所述第一金属层的上表面施加光阻材料；所述光阻材料进行曝光显影，形成铜柱开口；在所述铜柱开口进行图形电镀并去除所述光阻材料，得到导通铜柱。
[0009]进一步地，本申请实施例中，所述削减所述第一绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度；这一步骤，具体包括：对所述第一绝缘层进行机械研磨，
使所述导通铜柱的高度等于所述第一绝缘层的厚度；对所述第一绝缘层进行二次减薄，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度。
[0010]进一步地，本申请实施例中，所述无玻纤材料包括树脂或者ABF。
[0011]进一步地，本申请实施例中，所述去除所述第二金属层，以所述金属种子层以及所述第一金属层为基材，制作线路层这一步骤，具体包括：在金属种子层外露的表面以及第一金属层的外露的表面施加光阻材料；对所述光阻材料进行曝光以及显影，形成线路开口；在所述线路开口进行图形电镀并去除所述光阻材料，形成线路层。
[0012]进一步地，本申请实施例中，所述在所述第一金属层上表面施加光阻材料这一步骤，具体包括：通过贴膜工艺或者涂覆工艺，在所述第一金属层上表面施加光阻材料。
[0013]进一步地，本申请实施例中，还包括在所述线路层上形成阻焊层。
[0014]进一步地，本申请实施例中，所述第一金属层的厚度包括3
‑
5um。
[0015]另一方面，本申请实施例还提供一种无芯基板，包括：通过如上述实施例任一项所述一种无芯基板制作方法制作得到。
[0016]另一方面，本申请还提供一种半导体，包括一个或者多个如上述实施例所述的一种无芯基板。
[0017]本申请的优点和有益效果将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到：
[0018]本申请可以在制作基板的过程中，在玻纤材料的第一绝缘层上压合一层无玻纤材料制成的第二绝缘层，通过减少第二绝缘层的厚度来避免现有工艺中第一绝缘层在削减厚度时出现的不平整现象，从而可以在无玻纤绝缘层上制作出更加精细的电路层，从而可以提高产品的质量。
附图说明
[0019]图1为本专利技术中一种具体实施例中一种无芯基板制作方法的步骤示意图；
[0020]图2为本专利技术中一种具体实施例中在所述第一金属层的上表面制作导通铜柱的步骤示意图；
[0021]图3为本专利技术中一种具体实施例中削减所述第一绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度的步骤示意图；
[0022]图4为本专利技术中一种具体实施例中去除所述第二金属层，以所述金属种子层以及所述第一金属层为基材，制作线路层的步骤示意图；
[0023]图5为本专利技术中一种具体实施例中一种无芯基板制作流程中无芯基板的结构变化示意图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图详细描述本专利技术的实施例对本专利技术实施例中的无芯基板制作方法、无芯基板以及半导体的结构和制备过程作以下说明。
[0025]参照图1，本专利技术一种无芯基板制作方法，包括以下步骤：
[0026]S1、准备一临时基板；所述临时基板至少包括第一金属层以及第二金属层；所述第一金属层与第二金属层沿着垂直于临时基板方向压合成型；
[0027]在本申请的一些实施例中，第一金属层可以是铜材料，第二金属层可以是铜、铁或者铝材料；第一金属层与第二金属层沿着垂直于临时基板方向上压合成型；除了第一金属层以及第二金属层，临时基板还可以包括绝缘层，绝缘层可以与第二金属层压合；具体地，在制作临时基板时，可以先将第二金属层与绝缘层压合，以增加第二金属层的刚度，再压合第二金属层以及第一金属层，最终形成临时基板；其中，第二金属层以及绝缘层可以在后续的工艺中剥离。
[0028]S2、在所述第一金属层的上表面制作导通铜柱；
[0029]在本申请的一些实施例中，可以在第一金属层的上表面制作导通铜柱，上表面是第一金属层与第二金属层压合面的相对面；由于第一金属层具有导电性能，制作铜柱时可以选用图形电镀，也可以选用化学气相沉铜；导通铜柱的形状可以是圆柱，也可以是正方体还可以是圆台，具体形状不作限制，而导通铜柱的数量以及每个导通铜柱的高度可以根据具体的需要进行不同的调整，在此不作限制。
[0030]S3、在导通铜柱上压合第一绝缘层，使所述第一绝缘层的厚度大于所述导通铜柱的高度；所述第一绝缘层包括玻纤材料；
[0031]在本申请的一些实施例中，第一绝缘层可以只含有玻纤材料的绝缘层，也可以是玻纤材料混合其他材料如树脂材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无芯基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：准备一临时基板；所述临时基板至少包括第一金属层以及第二金属层；所述第一金属层与第二金属层沿着垂直于临时基板方向压合成型；在所述第一金属层的上制作导通铜柱；在所述导通铜柱上压合第一绝缘层，使所述第一绝缘层的厚度大于所述导通铜柱的高度；所述第一绝缘层包括玻纤材料；削减所述第一绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度；在所述导通铜柱上压合第二绝缘层；使所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的厚度总和大于所述导通铜柱的高度；所述第二绝缘层包括无玻纤材料；削减所述第二绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于等于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度总和；在所述第二绝缘层上制作金属种子层；去除所述第二金属层，以所述金属种子层以及所述第一金属层为基材，制作线路层。2.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层的上表面制作导通铜柱这一步骤，具体包括：在所述第一金属层的上表面施加光阻材料；所述光阻材料进行曝光显影，形成铜柱开口；在所述铜柱开口进行图形电镀并去除所述光阻材料，得到导通铜柱。3.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述削减所述第一绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度；这一步骤，具体包括：对所述第一绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，徐小伟，黄高，黄本霞，洪业杰，张东锋，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：