热处理单元及基板加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种热处理单元和基板加工装置，该热处理单元包括：设置有基板加工装置的腔室，该基板加工装置包括：工艺腔室，在该工艺腔室中，上腔室和下腔室相互接触、以形成由该上腔室和该下腔室限定的处理空间；定位在处理空间中以加热基板的加热板；升降销，该升降销用于将基板放置在该加热板上、或者用于移动放置在该加热板上的基板以与该加热板间隔开；驱动构件，该驱动构件连接至该上腔室或该下腔室、以竖直地驱动该上腔室或该下腔室；排放构件，该排放构件连接到该上腔室的中心区域、以对处理空间进行排放；以及气流阻挡构件，该气流阻挡构件设置在该加热板的上表面、且形成为围绕该基板的边缘，以便阻挡周围的气流接近基板的边缘。板的边缘。板的边缘。

【技术实现步骤摘要】
热处理单元及基板加工装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年09月02日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0117222的韩国专利申请的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本专利技术涉及热处理单元及基板加工装置(substrate processing apparatus)。

技术介绍

[0004]为了制造半导体设备，执行了诸如清洁、沉积、摄影、蚀刻、和离子注入等各种工艺。在这些工艺中，沉积和涂覆工艺用作在基板上形成膜的工艺。通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体而形成膜的工艺，并且涂覆工艺是通过在基板上施用加工液体来形成液体膜的工艺。
[0005]在基板上形成膜之前和之后，执行了烘烤基板的工艺。烘烤工艺是将基板加热到工艺温度或更高温度的工艺，并且将基板的整个区域加热至均匀的温度或者根据操作者来调节基板的各区域的温度。
[0006]然而，外部空气流入烘烤处理装置。因此，外部空气优先与基板W的边本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热处理单元，所述热处理单元包括：腔室，所述腔室提供有热处理空间；加热板，所述加热板设置在所述腔室内，并且在所述加热板上安置有基板；以及气流阻挡构件，所述气流阻挡构件设置至所述加热板，且设置为围绕所述基板的边缘、以阻挡周围的气流接近所述基板的所述边缘。2.根据权利要求1所述的热处理单元，其中，所述气流阻挡构件包括加热元件，所述加热元件用于防止所述基板的所述边缘的温度下降。3.根据权利要求2所述的热处理单元，其中，将所述气流阻挡构件分为多个区段，且所述加热元件设置在各所述区段中、从而是独立可控的。4.根据权利要求2所述的热处理单元，其中，所述气流阻挡构件设置成环形形状。5.根据权利要求2所述的热处理单元，其中，所述气流阻挡构件的上表面设置在等于或高于所述基板的上表面的高度的高度处，所述基板安置在所述加热板上。6.根据权利要求2所述的热处理单元，其中，所述气流阻挡构件具有弯曲上表面。7.根据权利要求2所述的热处理单元，其中，在所述气流阻挡构件中，面向所述基板的所述边缘的一侧、和与所述一侧相对的另一侧具有彼此不同的倾斜度。8.根据权利要求7所述的热处理单元，其中，所述另一侧的倾斜度设置为比所述一侧的倾斜度更平缓。9.一种基板加工装置，所述基板加工装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中，上腔室和下腔室相互接触、以形成由所述上腔室和所述下腔室限定的处理空间；加热板，所述加热板定位在所述处理空间中以加热基板；升降销，所述升降销用于将基板放置在所述加热板上，或者用于移动放置在所述加热板上的所述基板、以与所述加热板间隔开；驱动构件，所述驱动构件连接至所述上腔室或所述下腔室、以竖直地驱动所述上腔室或所述下腔室；排放构件，所述排放构件连接到所述上腔室的中心区域、以对所述处理空间进行排放；以及气流阻挡构件，所述气流阻挡构件设置在所述加热板的上表面、且形成为围绕所述基板的边缘，以便阻挡周围的气流接近所述基板的所述边缘。10.根据权利要求9所述的基板加工装置，其中，所述气流阻挡构件包括加热元件，所述加热元件用于防止所述基板的所述边缘的温度下降。11.根据权利要求10所述的基板加工装置，其中，将所述气流阻挡构件分为多个区段，且所述加热元件设置在各所述区段中、从而是独立可控的。12.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋京院，李在晟，朴天雨，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：