使用气体发泡剂制造半导体器件的方法技术

技术编号:36799171 阅读:39 留言:0更新日期:2023-03-08 23:27
一种制造半导体器件的方法可以包括使用粘合构件将载体基板接合到器件晶片上,其中,粘合构件包括:基膜;器件粘合膜,设置在基膜的下表面上,并接触器件晶片;以及载体粘合膜,设置在基膜的上表面上,并接触载体基板。器件粘合膜包括气体发泡剂,并且载体粘合膜可以不包括气体发泡剂。括气体发泡剂。括气体发泡剂。

【技术实现步骤摘要】
使用气体发泡剂制造半导体器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月3日提交的韩国专利申请No.10

2021

0117324的优先权,其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开涉及一种用于制造半导体器件的方法,并且更具体地,涉及一种用于使用气体发泡剂制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]随着电子工业的发展,要求电子组件具有更高级别的功能、更高的速度和更小的尺寸。为了支持该趋势,可以减小半导体芯片的尺寸。为此,在半导体制造工艺期间,通过背面研磨工艺等处理晶片以减小其厚度。然而,在半导体存储器件制造工艺期间,晶片中可能发生裂纹,从而导致产量降低。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种能够改善产量的制造半导体器件的方法。
[0006]本公开的目的不限于上面提到的目的,并且本领域技术人员根据以下公开将理解未被提及的其他目的。
[0007]本专利技术构思的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法,包括:使用粘合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法,包括:使用粘合构件将载体基板接合到器件晶片上,其中,所述粘合构件包括:基膜;器件粘合膜,设置在所述基膜的第一表面上,并接触所述器件晶片;以及载体粘合膜,设置在所述基膜的第二表面上,并接触所述载体基板,其中,所述器件粘合膜包括气体发泡剂,并且其中,所述载体粘合膜不包括任何气体发泡剂。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:通过照射第一波长的第一紫外光穿过所述载体基板来执行所述器件粘合膜和所述载体粘合膜中的每一个的第一固化;通过对所述器件晶片的晶片基板执行背面研磨工艺来减小所述器件晶片的厚度;通过照射第二波长的第二紫外光穿过所述载体基板来执行所述器件粘合膜的第二固化,其中,所述第二波长不同于所述第一波长,并且由于照射所述第二紫外光,所述气体发泡剂在所述器件粘合膜和所述晶片基板之间形成孔隙;以及将所述载体基板和所述粘合构件从所述器件晶片分离,其中所述载体基板和所述粘合构件在从所述器件晶片分离期间和紧随在从所述器件晶片分离之后是彼此粘附的。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述器件晶片包括部分穿透所述晶片基板的通孔,其中,所述背面研磨工艺显露所述通孔以形成延伸穿过所述晶片基板的贯通基板通孔,并且其中,所述方法还包括在照射所述第二紫外光之前,在所述器件晶片上形成接触所述贯通基板通孔的导电焊盘。4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二波长大于所述第一波长。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一波长是约300nm至约349nm,并且所述第二波长是约350nm至约400nm。6.根据权利要求2所述的方法,其中,所述气体发泡剂被所述第二紫外光分解以形成自由基和氮气,其中,所述氮气聚集并形成所述孔隙,并且其中,所述自由基通过交联到所述器件粘合膜的聚合物链来执行所述器件粘合膜的所述第二固化。7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述气体发泡剂是重氮甲烷,并且所述自由基是卡宾。8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述气体发泡剂是重氮甲烷。9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述载体粘合膜包括第一树脂、第一交联剂、第一填充物和第一脱模剂,并且其中,所述器件粘合膜还包括第二树脂、第二交联剂、第二填充物和第二脱模剂。10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述粘合构件还包括:
第一粘合辅助膜,在所述载体基板和所述载体粘合膜之间;以及第二粘合辅助膜,在所述器件晶片和所述器件粘合膜之间,其中,所述第一粘合辅助膜包括所述第一树脂、所述第一交联剂和所述第一填充物,并且不包括所述第一脱模剂,并且所述第二粘合辅助膜包括所述第二树脂、所述第二交联剂和所述第二填充物,并且不包括所述第二脱模剂。11.一种制造半导体器件的方法,包括:使用形成在载体基板和器件晶片之间的粘合构件将所述载体基板接合到所述器件晶片上,通过照射第一波长的第一光穿过所述载体基板来执行所述粘合构件的第一固化;通过对所述器件晶片的晶片基板执行背面研磨工艺来减小所述器件晶片的厚度;通过照射第二波长的第二光穿过所述载体基板来执行所述粘合构件的第二固化,其中...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴天一严明彻陈华日
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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