一种半导体引出结构的制备方法和半导体技术

本发明专利技术提供半导体引出结构的制备方法和半导体，所述方法包括：在半导体的金属布线层沉积金属材料，得到初始引出电极；对所述初始引出电极进行多次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极；在所述目标引出电极上制备保护层，得到半导体引出结构；本发明专利技术通过对沉积的初始引出电极进行多次蚀刻来改变其表面形态，从而得到具有上窄下宽且表面呈弧形状特征的目标引出电极，其外表面的形状特征可以更利于保护材料的堆积，提高保护层的厚度，防止保护层裂缝的产生，进而提高了半导体的性能和寿命。的性能和寿命。的性能和寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体引出结构的制备方法和半导体


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，具体涉及适用于一种半导体引出结构的制备方法和半导体。

技术介绍

[0002]半导体引出结构是用于半导体器件与其他器件互联的结构，通常包括引出电极和保护层；在半导体的应用领域的中，对引出电极的高度需求越来越高，在目前半导体引出结构的制备工艺中，高度越高的引出电极而侧壁就会越陡峭，那么侧壁上的保护层也就越薄，因此在半导体的封装时保护层容易产生裂缝，失去抗水汽的作用，从而影响了半导体的性能和寿命。
[0003]可见，现有技术中半导体引出结构的保护层存在容易产生裂缝的问题，从而影响了半导体的性能和寿命。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中所存在的不足，本专利技术提供的半导体引出结构的制备方法和栅极结构，其解决了现有技术中半导体引出结构的保护层存在容易产生裂缝的问题，本专利技术通过对沉积的初始引出电极进行多次蚀刻来改变其表面形态，从而得到具有上窄下宽且表面呈弧形状特征的目标引出电极，其外表面的形状特征可以更利于保护材料的堆积，提高保护层的厚度，防止保护层裂缝的产生，进而提高了半导体的性能和寿命。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种半导体引出结构的制备方法，所述制备方法包括：在半导体的金属布线层沉积金属材料，得到初始引出电极；对所述初始引出电极进行多次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极；在所述目标引出电极上制备保护层，得到半导体引出结构。
[0006]可选地，对所述初始引出电极进行多次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极，包括：对所述初始引出电极进行第一次蚀刻，得到具有直角状台阶的第一预处理引出电极，其中所述第一次蚀刻的蚀刻深度小于所述初始引出电极的高度；对所述第一预处理引出电极进行第二次蚀刻，将所述直角状台阶蚀刻成斜面状台阶后形成第二预处理引出电极，其中所述第二次蚀刻的蚀刻深度大于所述第一次蚀刻的蚀刻深度且小于所述初始引出电极的高度；对所述第二预处理引出电极进行第三次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极，其中所述第三次蚀刻的蚀刻深度等于所述初始引出电极的高度。
[0007]可选地，对所述初始引出电极进行第一次蚀刻，得到具有直角状台阶的第一预处理引出电极，包括：在所述初始引出电极上涂覆光刻胶，显影后形成第一光刻层，其中所述第一光刻层的截面宽度小于所述初始引出电极的截面宽度；对所述初始引出电极进行第一次蚀刻，得到第一预处理引出电极，其中在所述第一预处理引出电极的顶面形成直角状台阶。
[0008]可选地，对所述第一预处理引出电极进行第二次蚀刻，将所述直角状台阶蚀刻成斜面状台阶后形成第二预处理引出电极，包括：对所述第一光刻层进行修边得到第二光刻层，其中所述第二光刻层的截面宽度小于所述第一光刻层的截面宽度；对所述第一预处理引出电极进行第二次蚀刻，将所述直角状台阶蚀刻成斜面状台阶后形成第二预处理引出电极。
[0009]可选地，对所述第二预处理引出电极进行第三次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极，包括：对所述第二光刻层进行修边得到第三光刻层，其中所述第三光刻层的截面宽度小于所述第二光刻层的截面宽度；对所述第二预处理引出电极进行第三次蚀刻，去掉所述第三光刻层后得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极。
[0010]可选地，在所述目标引出电极上制备保护层，得到半导体引出结构，包括：在所述目标引出电极的外表面上沉积第一保护材料形成第一保护层；在所述第一保护层上沉积第二保护材料形成第二保护层后，得到所述半导体引出结构。
[0011]可选地，在所述目标引出电极的外表面上沉积第一保护材料形成第一保护层，包括：在所述目标引出电极的外表面上沉积第一保护材料形成第一预保护层；对所述第一预保护层进行蚀刻，减薄在所述目标引出电极的顶面和金属布线层外表面上的第一预保护层的厚度，得到第二预保护层；在所述第二预保护层上再次沉积第一保护材料，制备得到所述第一保护层。
[0012]可选地，所述第一保护材料包括氧化硅，或/和所述第二保护材料包括氮化硅。
[0013]可选地，所述初始引出电极材料包括铝、铜或铝铜合金。
[0014]第二方面，本专利技术提供一种半导体，所述半导体包括金属布线层和所述制备方法形成的半导体引出结构。
[0015]相比于现有技术，本专利技术具有如下有益效果：
[0016]本专利技术通过对沉积的初始引出电极进行多次蚀刻来改变其表面形态，从而得到具有上窄下宽且表面呈弧形状特征的目标引出电极，其外表面的形状特征可以更利于保护材料的堆积，提高保护层的厚度，防止保护层裂缝的产生，进而提高了半导体的性能和寿命。
附图说明
[0017]图1所示为本专利技术实施例提供的一种半导体引出结构的制备方法的流程示意图；
[0018]图2所示为本专利技术实施例提供的一种金属布线层的结构示意图；
[0019]图3所示为本专利技术实施例提供的一种制备初始引出电极的结构示意图；
[0020]图4所示为本专利技术实施例提供的一种制备第一光刻层的结构示意图；
[0021]图5所示为本专利技术实施例提供的一种制备第一预处理引出电极的结构示意图；
[0022]图6所示为本专利技术实施例提供的一种制备第二光刻层的结构示意图；
[0023]图7所示为本专利技术实施例提供的一种制备第二预处理引出电极的结构示意图；
[0024]图8所示为本专利技术实施例提供的一种制备第三光刻层的结构示意图；
[0025]图9所示为本专利技术实施例提供的一种目标引出电极的结构示意图；
[0026]图10所示为本专利技术实施例提供的一种去掉第三光刻层后的目标引出电极的结构示意图；
[0027]图11所示为本专利技术实施例提供的一种制备第一预保护层的结构示意图；
[0028]图12所示为本专利技术实施例提供的一种制备第二预保护层的结构示意图；
[0029]图13所示为本专利技术实施例提供的一种制备第一保护层的结构示意图；
[0030]图14所示为本专利技术实施例提供的一种半导体引出结构的结构示意图。
具体实施方式
[0031]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]图1所示为本专利技术实施例提供的一种半导体引出结构的制备方法的流程示意图；所述半导体引出结构的制备方法具体包括以下步骤：
[0033]步骤S101，在半导体的金属布线层沉积金属材料，得到初始引出电极；
[0034]在本实施例中，提供如图2所示的金属布线层10，其中所述金属布线层中包括铜布线层Cu、氧化介质层PEOX、氮化硅层SIN以及漏出铜布线层Cu的第一开口110；在金属布线层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体引出结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在半导体的金属布线层沉积金属材料，得到初始引出电极；对所述初始引出电极进行多次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极；在所述目标引出电极上制备保护层，得到半导体引出结构。2.如权利要求1所述的半导体引出结构的制备方法，其特征在于，对所述初始引出电极进行多次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极，包括：对所述初始引出电极进行第一次蚀刻，得到具有直角状台阶的第一预处理引出电极，其中所述第一次蚀刻的蚀刻深度小于所述初始引出电极的高度；对所述第一预处理引出电极进行第二次蚀刻，将所述直角状台阶蚀刻成斜面状台阶后形成第二预处理引出电极，其中所述第二次蚀刻的蚀刻深度大于所述第一次蚀刻的蚀刻深度且小于所述初始引出电极的高度；对所述第二预处理引出电极进行第三次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极，其中所述第三次蚀刻的蚀刻深度等于所述初始引出电极的高度。3.如权利要求2所述的半导体引出结构的制备方法，其特征在于，对所述初始引出电极进行第一次蚀刻，得到具有直角状台阶的第一预处理引出电极，包括：在所述初始引出电极上涂覆光刻胶，显影后形成第一光刻层，其中所述第一光刻层的截面宽度小于所述初始引出电极的截面宽度；对所述初始引出电极进行第一次蚀刻，得到第一预处理引出电极，其中在所述第一预处理引出电极的顶面形成直角状台阶。4.如权利要求3所述的半导体引出结构的制备方法，其特征在于，对所述第一预处理引出电极进行第二次蚀刻，将所述直角状台阶蚀刻成斜面状台阶后形成第二预处理引出电极，包括：对所述第一光刻层进行修边得到第二光刻层，其中所述第二光刻层的截面宽度小于所述第一光刻层的截面宽度；对所述第一预处理引出电极进行第二次蚀刻，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张舒，司静，曾朝娇，宁宁，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：