加工炉和加工方法技术

一种回流焊炉包括限定外壳的加工室。该外壳包括主轴，其被构造成支撑衬底并使衬底围绕加工室的中心轴线旋转。主轴还被构造成沿中心轴线竖直移动，并且将衬底定位在外壳内的不同位置。炉还包括：化学品输送管，其被构造成将化学蒸气引导到外壳；灯组件，其被构造成加热衬底的顶面；以及升降组件，其被构造成使主轴沿着中心轴线移动。着中心轴线移动。着中心轴线移动。

【技术实现步骤摘要】
加工炉和加工方法


[0001]本专利技术涉及回流焊炉和使用加工炉的方法。

技术介绍

[0002]电子工业正不断地以较低的成本将更多的功能设计到更小的电子器件中。这种向更小且更便宜的电子器件的驱动力已经推动了先进半导体封装技术的发展。例如，传统上用于将管芯附接到衬底的线接合已经被焊接凸点所取代。翻转芯片，也称为可控塌陷芯片连接(缩写为C4)，是一种在晶片被切割成单个管芯之前利用沉积在晶片顶侧上的管芯的I/O(输入/输出)焊盘上的焊接凸点将半导体管芯(或IC芯片)连接到衬底的方法。在将晶片切割成单个管芯之后，管芯被翻转，使得其顶侧面向下并对准，使得其焊盘与衬底上的匹配焊盘对准。使焊料回流以完成互连。
[0003]传统上，通过使组件穿过批量回流炉来实现回流焊，在该批量回流炉中，组件在传送带上穿过炉的不同区域。这些区域加热和冷却晶片，并在大气压下将化学蒸气引入晶片。然而，在大气压下引入用于回流焊的化学蒸气对于小于约50μm(微米)的焊料几何形状不是最佳的。大气压力将提供与化学蒸气压力的竞争力，并阻碍蒸气到达焊接凸点的所有区域。结果，降低了焊接成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加工炉，包括：加工室，其限定外壳，所述加工室包括：主轴，其定位在所述外壳中并且被构造成：(a)在其上支撑衬底，(b)与所述衬底一起围绕所述加工室的中心轴线旋转，以及(c)沿着所述中心轴线竖直地移动以将所述衬底定位在所述外壳内的不同位置处；冷板，其形成所述外壳的底壁，所述冷板包括一个或多个通道，所述一个或多个通道被构造成引导液体冷却剂从中穿过；多个气体入口，其定位在所述外壳的底部区域处，所述多个气体入口被构造成将氮气引导到所述外壳中；和化学品输送管，其定位在所述外壳的顶部区域处，所述化学品输送管被构造成将化学蒸气引导到所述外壳中；和灯组件，其被构造成对支撑在所述主轴上的所述衬底的顶面加热，其中，所述灯组件包括多个间隔开的灯，并且其中，所述灯组件的相邻灯的间隔在所述灯组件的侧面处比在所述灯组件的中心处更近；其中，所述灯组件的相邻灯的间隔在所述灯组件的侧面处比在所述灯组件的中心处更小。2.根据权利要求1所述的炉，其中，所述化学品输送管还包括多个气体喷嘴，所述多个气体喷嘴被构造成将所述化学蒸气导向所述衬底的所述顶面。3.根据权利要求1所述的炉，其中，所述加工室还包括盖，并且所述灯组件布置在所述盖的下侧上。4.根据权利要求1所述的炉，其中，所述主轴还包括一个或多个热电偶，所述一个或多个热电偶被构造成接触所述衬底的表面。5.根据权利要求1所述的炉，其中，所述加工室的侧壁还包括衬底入口，所述衬底入口被构造成将所述衬底引导到所述外壳中。6.一种使用加工炉的方法，包括：将衬底支撑在所述加工炉的外壳中的可旋...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗，
申请(专利权)人：易尔德工程系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：