再分布层连接制造技术

本文的示例包括裸片到金属化结构连接，该连接消除了焊料结合点以减小连接上的电阻和噪声。在一个示例中，第一裸片(110)通过多个铜互连件(112)附接到金属化层(102)，并且第二裸片(104)通过另一多个铜互连件(114)附接到与第一裸片相对的金属化层。在该示例中，铜互连件可以将相应的裸片连接到金属化层(102)中的金属化结构(116，118)。118)。118)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】再分布层连接
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求2020年7月22日提交的、题目为“REDISTRIBUTION LAYER CONNECTION”的美国非临时申请号16/936263的权益，其被转让给本申请的受让人，并且通过引用以其整体明确并入本文。


[0003]本公开总体上涉及金属化结构连接，并且更具体地但不排他地，涉及裸片到金属化结构连接。

技术介绍

[0004]与通用处理器不同，专用高速应用处理器用于特定应用。然而，与通用处理器相比，专用高速应用处理器需要更小的用于裸片到裸片电路装置的互连路径。所有当前的封装解决方案对附接在衬底或金属化层的相对侧上彼此面对的两个裸片使用至少一个焊料结合点。铜电路的焊料结合点向高速系统引入一些电阻和噪声。该电路对于具有金属化结构(例如再分布层、金属化结构)的薄层封装件变得更加敏感。这是常规方法中的一个缺陷，常规方法将受益于为支持高速裸片到裸片相互通信的这种封装件减轻该噪声的方法。
[0005]因此，需要克服常规方法的缺陷的系统、装置和方法，包括据此提供的方法、系统和装置。

技术实现思路

[0006]以下呈现与一个或多个方面和/或示例有关的简化概述，该一个或多个方面和/或示例与本文公开的装置和方法相关联。如此，以下概述不应当被视为与所有预期的方面和/或示例有关的详尽概览，也不应当被认为标识与所有预期的方面和/或示例有关的关键或重要元素，或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述具有如下唯一目的：在下面呈现的详细描述之前，以简化形式呈现与关于本文公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例有关的某些概念。
[0007]在一方面，一种封装件包括：金属化层；电耦合到金属化层的第一侧的第一裸片；电耦合到金属化层的第二侧的第二裸片，第二侧与金属化层的第一侧相对；在第一裸片与金属化层之间的第一多个铜互连件；以及在第二裸片与金属化层之间的第二多个铜互连件。
[0008]在另一方面，一种封装件包括：金属化层；电耦合到金属化层的第一侧的第一裸片；电耦合到金属化层的第二侧的第二裸片，第二侧与金属化层的第一侧相对；在第一裸片与金属化层之间的用于互连的第一部件；以及在第二裸片与金属化层之间的用于互连的第二部件。
[0009]在又一方面，一种用于制造封装件的方法，方法包括：形成金属化层；在金属化层的第一侧上形成第一多个铜互连件；在金属化层的第二侧上形成第二多个铜互连件，第二
侧与金属化层的第一侧相对；将第一裸片电耦合到第一多个铜互连件；以及将第二裸片电耦合到第二多个铜互连件。
[0010]基于附图和详细描述，与本文公开的装置和方法相关联的其他特征和优点对于本领域技术人员将是明显的。
附图说明
[0011]对本公开的方面及其许多伴随优点的更完整理解将因其在参考结合附图考虑的以下详细描述时变得更好理解而易于获得，附图仅出于图示目的被呈现，而不是对本公开的限制，并且其中：
[0012]图1图示了根据本公开的一些示例的示例性封装件；
[0013]图2A
‑
图2M图示了根据本公开的一些示例的用于制造封装件的第一部分的示例性部分方法；
[0014]图3A
‑
图3I图示了根据本公开的一些示例的用于制造封装件的第二部分的示例性部分方法；
[0015]图4A
‑
图4C图示了根据本公开的一些示例的用于制造封装件的示例性部分方法；
[0016]图5图示了根据本公开的一些示例的用于制造封装件的另一示例性部分方法；
[0017]图6图示了根据本公开的一些示例的示例性移动设备；以及
[0018]图7图示了根据本公开的一些示例的可以与上述方法、器件、半导体器件、集成电路、裸片、中介层、封装件或层叠封装(PoP)中的任何集成的各种电子设备。
[0019]按照惯例，附图所描绘的特征可以未按比例绘制。因此，为了清楚起见，可以任意地扩大或缩小所描绘特征的尺寸。按照惯例，为了清楚起见，附图中的一些附图被简化。因此，附图可以未描绘特定装置或方法的所有组件。此外，贯穿说明书和附图，相同的附图标记表示相同的特征。
具体实施方式
[0020]本文公开的示例性方法、装置和系统减轻了常规方法、装置和系统的缺点，以及其他先前未标识的需求。本文的示例包括多芯片模块(MCM)中的L1互连(例如，裸片到金属化层或裸片封装层连接)，诸如从裸片凸块穿过封装层到模块引脚的连接以及穿过封装层在多个裸片的凸块之间的连接，这些连接为这些互连提供更短和更均匀的路径。在一些示例中，互连没有焊料结合点或材料，诸如铜柱，其提供具有比常规的基于焊料的连接更小电阻和噪声的连接。如本文所使用的，金属化结构可以包括金属层、过孔、焊盘或其间具有电介质的迹线。如本文所使用的，金属化结构(例如，第一金属化结构和第二金属化结构)可以是再分布层(redistribution layer；RDL)。
[0021]图1图示了根据本公开的一些示例的示例性封装件。如图1中所示，封装件100(即，集成器件、半导体器件、集成电路、裸片、中介层(interposer)、封装件或层叠封装(PoP)等)可以包括：金属化层102、电耦合到金属化层102的第一侧的第一裸片110、电耦合到金属化层102的第二侧的第二裸片104、在第一裸片110与金属化层102之间的第一多个铜互连件112；以及在第二裸片104与金属化层102之间的第二多个铜互连件114。封装件100还可以包括：金属化层102中的第一金属化结构116，其中第一多个铜互连件112连接到第一金属化结
构116；金属化层102中的第二金属化结构118，其中第二多个铜互连件114连接到第二金属化结构118；并且第一金属化结构116耦合到第二金属化结构118并且可以包括铜、银、金或类似金属中的一种。此外，第一多个铜互连件112可以包括耦合到至少一个铜柱106的至少一个铜裸片凸块，第二多个互连件114可以包括利用铜到铜扩散结合形成的柱，封装件100还可以包括在第二裸片104与金属化层102之间的电介质层120，其中电介质层120可以包括氧化物共价键。可选地，封装件100可以被并入到选自由以下项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动交通工具中的设备。
[0022]图2A
‑
图2M图示了根据本公开的一些示例的用于制造封装件的第一部分的示例性部分方法。如图2A中所示，用于制造封装件的第一部分250的部分方法200可以开始于提供第一载体202。如图2B中所示，部分方法200可以继续将第一粘合剂涂层204施加到第一载体202。如图2C中所示，部分方法200可以继续镀覆多个柱206(例如，镀铜柱)，将第三裸片208和第一裸片210电耦合在多个柱206之间。如图2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装件，包括：金属化层；第一裸片，电耦合到所述金属化层的第一侧；第二裸片，电耦合到所述金属化层的第二侧，所述第二侧与所述金属化层的所述第一侧相对；第一多个铜互连件，在所述第一裸片与所述金属化层之间；以及第二多个铜互连件，在所述第二裸片与所述金属化层之间。2.根据权利要求1所述的封装件，还包括在所述金属化层中的第一金属化结构，其中所述第一多个铜互连件连接到所述第一金属化结构。3.根据权利要求2所述的封装件，还包括在所述金属化层中的第二金属化结构，其中所述第二多个铜互连件连接到所述第二金属化结构。4.根据权利要求3所述的封装件，其中所述第一金属化结构耦合到所述第二金属化结构。5.根据权利要求3所述的封装件，其中所述第一金属化结构是铜、银、金或类似金属中的一种。6.根据权利要求5所述的封装件，其中所述第二金属化结构是铜、银、金或类似金属中的一种。7.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一多个铜互连件包括至少一个铜裸片凸块和至少一个铜柱。8.根据权利要求7所述的封装件，其中所述第二多个铜互连件包括利用铜到铜扩散结合形成的柱。9.根据权利要求7所述的封装件，还包括在所述第二裸片与所述金属化层之间的电介质层。10.根据权利要求9所述的封装件，其中所述电介质层包括氧化物共价键。11.根据权利要求1所述的封装件，其中所述封装件被并入到设备中，所述设备选自由以下项组成的组：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车交通工具中的设备。12.一种封装件，包括：金属化层；第一裸片，电耦合到所述金属化层的第一侧；第二裸片，电耦合到所述金属化层的第二侧，所述第二侧与所述金属化层的所述第一侧相对；用于互连的第一部件，在所述第一裸片与所述金属化层之间；以及用于互连的第二部件，在所述第二裸片与所述金属化层之间。13.根据权利要求12所述的封装件，还包括在所述金属化层中的第一金属化结构，其中用于互连的所述第一部件连接到所述第一金属化结构。14.根据权利要求13所述的封装件，还包括在所述金属化层中的第二金属化结构，其中用于互连的所述第二部件连接到所述第二金属化结构。
15.根据权利要求14所述的封装件，其中所述第一金属化结构耦合到所述第二金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：