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本发明提供半导体引出结构的制备方法和半导体，所述方法包括：在半导体的金属布线层沉积金属材料，得到初始引出电极；对所述初始引出电极进行多次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极；在所述目标引出电极上制备保护层，得到半导体引出结构；本...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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