【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及一种半导体装置、驱动电路及驱动方法。
技术介绍
1、目前，期望半导体器件具有较高的阻断电压和较低的导通电阻。但是，在实际应用中，提高阻断电压和降低导通电阻之间通常存在折衷关系。
技术实现思路
1、提供一种缓解、减轻或者甚至消除上述问题中的一个或多个的机制将是有利的。
2、根据本公开的一方面，提供了一种用于双栅晶体管的驱动电路，其中，双栅晶体管包括：衬底，具有第一导电类型；第一区域，位于衬底上方且具有第一导电类型；漏极区域，位于第一区域中；第二区域，位于第一区域中并位于漏极区域的一侧，且具有第一导电类型；源极区域，位于第二区域中；第一栅极，第一栅极位于第一区域上方，并且第一栅极的一部分位于第二区域上方；栅极隔离体，嵌入在第一区域中且位于第一栅极的与源极区域相对的一侧；以及第二栅极，第二栅极的至少第一部分位于栅极隔离体上方，并且，第二栅极与第一栅极间隔开，并且驱动电路包括：电容，电容连接在源极区域与第二栅极之间；以及二极管，二极管的负极连接到第二栅极，并且，二极管的正极连接到第一栅极或者驱动区域，驱动区域与漏极区域或电源区域间隔开预定距离，其中，预定距离是基于漏极区域或电源区域的电压与第二栅极之间的电压的差所确定的，其中，当二极管的正极连接到驱动区域时，双栅晶体管还包括包含驱动区域的第二区域，其中，第二区域位于第一区域的对应于漏极区域的一侧，或者，第二区域位于第一区域的对应于源极区域的一侧且与第一区域电隔离，并且还包括电源区域。
3、
4、根据本公开的又一方面，还提供了一种用于驱动双栅晶体管的方法，其中，双栅晶体管，包括：衬底，具有第一导电类型；第一区域，位于衬底上方且具有第一导电类型；漏极区域，位于第一区域中；第二区域，位于第一区域中并位于漏极区域的一侧，且具有第一导电类型；源极区域，位于第二区域中；第一栅极，第一栅极位于第一区域上方，并且第一栅极的一部分位于第二区域上方；栅极隔离体，嵌入在第一区域中且位于第一栅极的与源极区域相对的一侧；以及第二栅极，第二栅极的至少第一部分位于栅极隔离体上方，并且，第二栅极与第一栅极间隔开，并且方法包括：响应于双栅晶体管处于开通模式，将开通电压施加到第一栅极，并且，通过连接在第一栅极与第二栅极之间的二极管为连接在源极区域与第二栅极之间的电容充电，其中，二极管的正极连接到第一栅极，二极管的负极连接到第二栅极；或者将漏极电压施加到漏极区域或将电源电压施加到电源区域，并且，通过连接在驱动区域与第二栅极之间的二极管为连接在源极区域与第二栅极之间的电容充电，其中，二极管的正极连接到驱动区域，二极管的负极连接到第二栅极，驱动区域与漏极区域或电源区域间隔开预定距离，预定距离是基于漏极区域或电源区域的电压与第二栅极之间的电压的差所确定的，其中，当二极管的正极连接到驱动区域时，双栅晶体管还包括包含驱动区域的第二区域，其中，第二区域位于第一区域的对应于漏极区域的一侧，或者，第二区域位于第一区域的对应于源极区域的一侧且与第一区域电隔离，并且还包括电源区域。
5、根据在下文中所描述的实施例，本公开的这些和其它方面将是清楚明白的，并且将参考在下文中所描述的实施例而被阐明。
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1.一种用于双栅晶体管的驱动电路，其中，所述双栅晶体管包括：衬底，具有第一导电类型；第一区域，位于所述衬底上方且具有第一导电类型；漏极区域，位于所述第一区域中；第二区域，位于所述第一区域中并位于所述漏极区域的一侧，且具有所述第一导电类型；源极区域，位于所述第二区域中；第一栅极，所述第一栅极位于所述第一区域上方，并且所述第一栅极的一部分位于所述第二区域上方；栅极隔离体，嵌入在所述第一区域中且位于所述第一栅极的与所述源极区域相对的一侧；以及第二栅极，所述第二栅极的至少第一部分位于所述栅极隔离体上方，并且，所述第二栅极与所述第一栅极间隔开，并且
2.如权利要求1所述的驱动电路，其中，所述漏极区域为所述第二导电类型，且所述驱动区域为所述第一导电类型，
3.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述漏极区域、所述驱动区域和所述电源区域为重掺杂区域，而所述第三区域为轻掺杂区域。
4.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述第三区域位于所述第一区域的对应于所述源极区域的一侧，并且，所述双栅晶体管还包括：
5.如权利要求4所述的驱动电路，其中，所
6.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述第三区域位于所述第一区域的对应于所述漏极区域的一侧，并且，所述双栅晶体管还包括：
7.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述电源区域与所述漏极区域电连接。
8.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述双栅晶体管还包括：
9.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述第二栅极的第一部分包括第二栅极多晶硅，所述第二栅极多晶硅位于所述栅极隔离体上方。
10.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述第二栅极还包括第三栅极多晶硅，所述第三栅极多晶硅位于所述栅极隔离体中。
11.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述栅极隔离体的全部部分位于所述第一区域中。
12.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述栅极隔离体的一部分位于所述第一区域中，并且，所述栅极隔离体的另一部分位于所述第一区域上方。
13.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
14.一种半导体装置，包括：
15.一种用于驱动双栅晶体管的方法，其中，所述双栅晶体管，包括：衬底，具有第一导电类型；第一区域，位于所述衬底上方且具有第一导电类型；漏极区域，位于所述第一区域中；第二区域，位于所述第一区域中并位于所述漏极区域的一侧，且具有所述第一导电类型；源极区域，位于所述第二区域中；第一栅极，所述第一栅极位于所述第一区域上方，并且所述第一栅极的一部分位于所述第二区域上方；栅极隔离体，嵌入在所述第一区域中且位于所述第一栅极的与所述源极区域相对的一侧；以及第二栅极，所述第二栅极的至少第一部分位于所述栅极隔离体上方，并且，所述第二栅极与所述第一栅极间隔开，并且
...【技术特征摘要】
1.一种用于双栅晶体管的驱动电路，其中，所述双栅晶体管包括：衬底，具有第一导电类型；第一区域，位于所述衬底上方且具有第一导电类型；漏极区域，位于所述第一区域中；第二区域，位于所述第一区域中并位于所述漏极区域的一侧，且具有所述第一导电类型；源极区域，位于所述第二区域中；第一栅极，所述第一栅极位于所述第一区域上方，并且所述第一栅极的一部分位于所述第二区域上方；栅极隔离体，嵌入在所述第一区域中且位于所述第一栅极的与所述源极区域相对的一侧；以及第二栅极，所述第二栅极的至少第一部分位于所述栅极隔离体上方，并且，所述第二栅极与所述第一栅极间隔开，并且
2.如权利要求1所述的驱动电路，其中，所述漏极区域为所述第二导电类型，且所述驱动区域为所述第一导电类型，
3.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述漏极区域、所述驱动区域和所述电源区域为重掺杂区域，而所述第三区域为轻掺杂区域。
4.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述第三区域位于所述第一区域的对应于所述源极区域的一侧，并且，所述双栅晶体管还包括：
5.如权利要求4所述的驱动电路，其中，所述双栅晶体管还包括：
6.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述第三区域位于所述第一区域的对应于所述漏极区域的一侧，并且，所述双栅晶体管还包括：
7.如权利要求1或2所述的驱动电路，其中，所述电源区域与所述漏极区域电连接。
8.如权利要求1或2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊，宁宁，彭路露，李仁雄，丁琦，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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