【技术实现步骤摘要】
本申请涉及微电子版图设计的，具体而言，涉及一种图形预处理方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、光刻工艺是制造集成电路的关键技术之一，其通过将掩膜版(photomask,也称为光罩)上的图案转移到晶圆上，实现微纳结构的复制。随着科技的蓬勃发展，对光刻工艺的精度要求日益提高。当光刻的线宽减小，由于衍射，转移到光敏材料上的图案会逐渐偏离掩膜版的图形，发生变形，直到周期小于最小可分辨的尺寸，图案会完全消失。因此，为了使光刻后晶圆上的图形与设计图形一致，需要引入光学临近效应校正(opc，optical proximitycorrection)对掩膜版上的版图进行修正。
2、常规的opc分为两类：基于规则的opc和基于模型的opc。不论基于规则的opc还是基于模型的opc，都需要基于opc测试光罩的曝光数据，才能对图形进行优化。这一过程需要先批量绘制测试图形，再将测试图形发送至光罩厂进行出版。由于测试图形中包含大量接近当前工艺极限的图形，其中有些图形甚至违反掩模规则检查(mrc，mask rule check)，这些图形缺陷可能导致曝光...
【技术保护点】
1.一种图形预处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述消除所述初始图形中线宽小于第一数值的子图形包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述合并所述初始图形中相互间距小于第二数值的子图形包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一收缩包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一收缩包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二扩张包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一数值与所述第二数值
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【技术特征摘要】
1.一种图形预处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述消除所述初始图形中线宽小于第一数值的子图形包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述合并所述初始图形中相互间距小于第二数值的子图形包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一收缩包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一收缩包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二扩张包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一数值与所述第二数值相等。
8.根据权利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于，所述子图形...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔妍，李汪国，袁明红，宁宁，彭路露，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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