检测半导体装置(10)的不良的超声波振动式不良检测装置(100)包括：超声波振子(42)；高频电源(40)；照相机(45)；以及控制部(50)，调整自高频电源(40)对超声波振子(42)供给的高频电力的频率，并且进行半导体装置(10)的不良的检测，控制部(50)一方面使自高频电源(40)对超声波振子(42)供给的高频电力的频率变化，一方面利用照相机(45)来拍摄半导体装置(10)的图像，并基于所拍摄的图像来进行半导体装置(10)的不良的检测。的不良的检测。的不良的检测。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】超声波振动式不良检测装置及线材不良检测系统
[0001]本专利技术涉及一种超声波振动式不良检测装置的结构，使检查对象物进行超声波振动来检测检查对象物的不良。
技术介绍
[0002]以线材将基板的电极与半导体芯片的电极之间连接的打线接合(wirebonding)装置正被大量使用。打线接合装置中，可使用下述方法，即：通过在线材与半导体芯片之间流动电流等电性手段，来进行半导体芯片的电极与线材之间的连接不良的检测(例如参照专利文献1)。
[0003]另外，打线接合装置中，可使用下述方法，即：通过检测瓷嘴落地至接合结束为止的、Z方向的移位等机械手段，来进行半导体芯片的电极与线材之间的连接不良的检测(例如参照专利文献2)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利特开平9
‑
213752号公报
[0007]专利文献2：日本专利特开2010
‑
56106号公报
技术实现思路
[0008]专利技术所要解决的问题
[0009]此外，近年来要求线材等检查对象物的不良检测的高精度化。然而，专利文献1、专利文献2所记载的利用电性手段或机械手段的不良检测有时会发生误检测。
[0010]另外，要求进行将半导体芯片的电极与基板的电极连接的、所有线材的不良检测。然而，专利文献1、专利文献2所记载的不良检测方法针对每个线材进行不良检测，故而例如对于将一个半导体芯片与基板连接的线材达到百根以上的半导体芯片而言，有检查耗费长时间等问题。
[0011]因此，本专利技术的目的在于高精度且短时间地进行检查对象物的不良检测。
[0012]解决问题的技术手段
[0013]本专利技术的超声波振动式不良检测装置检测检查对象物的不良，其特征在于包括：超声波振动器，使检查对象物进行超声波振动；电源，对超声波振动器供给高频电力；摄像装置，拍摄受超声波振动的检查对象物；以及控制部，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率，并且进行检查对象物的不良检测，且控制部一方面使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化，一方面利用摄像装置来拍摄检查对象物的图像，并基于所拍摄的图像来进行检查对象物的不良检测。
[0014]如此，使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化，故而能以各种频率使检查对象物进行超声波振动，可高精度地检测检查对象物的不良。
[0015]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，检查对象物也可包含成为不良检测的
对象的对象部、及并未成为不良检测的对象的非对象部，控制部在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，以根据摄像装置所拍摄的图像检测的对象部的振幅相对于根据摄像装置所拍摄的图像检测的非对象部的振幅的比率成为既定值以上的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
[0016]由此，在使检查对象物进行超声波振动时，对象部的振幅相对于非对象部的振幅变大，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
[0017]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，也可包括：电流传感器，检测自电源对超声波振动器供给的高频电力的电流，控制部在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，以电流传感器所检测的电流成为既定的范围内的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
[0018]超声波振动器具有其自身发生共振的频率。因此，若在超声波振动时向超声波振动器输入共振频率的高频电力，则由共振导致超声波振动器的阻抗(impedance)降低，超声波振动器的振幅变大，检查对象物总体大幅度地振动。由此，有时对象部的振幅被非对象部的振幅遮蔽而无法检测。超声波振动器的振幅与对超声波振动器输入的高频电力的电流成比例，故而通过利用电流传感器来检测对超声波振动器输入的高频电力的电流，并以所检测的电流成为既定的范围内的方式来调整高频电力的电压，从而可将高频电力的电流设为既定的范围内而将超声波振动器的振幅设为既定的范围内。由此，可抑制使检查对象物进行超声波振动时检查对象物总体大幅度地振动，对象部的振幅被非对象部的振幅遮蔽而无法检测的情况，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
[0019]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可包含映射(map)，所述映射以自电源对超声波振动器供给的高频电力的电流成为既定的范围内的方式，预先规定自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压相对于自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率的变化，在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，基于映射来调整自电源供给于超声波振动器的高频电力的电压。
[0020]由此，无需根据电流传感器所检测的电流的反馈来调整高频电力的电压，能以简便的结构来抑制在使检查对象物进行超声波振动时检查对象物总体大幅度地振动，对象部的振幅被非对象部的振幅遮蔽而无法检测的情况，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
[0021]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，检查对象物也可为半导体装置，所述半导体装置包括：基板；半导体元件，安装于基板；以及线材，将半导体元件的电极与基板的电极连接，或者将半导体元件的一个电极与半导体元件的另一电极连接，控制部在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，以根据摄像装置所拍摄的图像检测的线材的振幅相对于根据摄像装置所拍摄的图像检测的基板及半导体元件的振幅的比率成为既定值以上的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
[0022]由此，在使基板及半导体元件进行超声波振动时，线材的振幅相对于基板或半导体元件的振幅变大，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
[0023]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可以所检测的线材的振幅部超过既定的上限振幅的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
[0024]由此，可抑制使半导体装置进行超声波振动时的、线材的过度振动。
[0025]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可一方面使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化，一方面利用摄像装置来拍摄半导体装置的动画，算出所拍摄的动画的一个讯框与此前的前讯框的线材的图像的差量，在差量超过既定的阈值的情形时，输出线材的不良检测信号。
[0026]由此，可根据线材的振幅来进行线材的不良的检测。
[0027]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可使算出差量的一个讯框与前讯框之间的讯框数、或动画的框率变化而算出差量。
[0028]由此，即便在线材的频率变化的情形时，也可检测线材的图像的差量，可提高不良的检测精度。
[0029]在本专利技术的超声波振动式不良检测装置中，超声波振动器也可为连接于检查对象物并使检查对象物进行超声波振动的超声波振子、或配置于检查对象物的周围的超声波喇叭。
[0030]由此，可利用简便的结构来进行检查对象物的不良的检测。
[0031]本专利技术的线材不良检本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种超声波振动式不良检测装置，检测检查对象物的不良，其特征在于包括：超声波振动器，使所述检查对象物进行超声波振动；电源，对所述超声波振动器供给高频电力；摄像装置，拍摄受超声波振动的所述检查对象物；以及控制部，调整自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的频率，并且进行所述检查对象物的不良的检测，所述控制部一方面使自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的频率变化，一方面利用所述摄像装置来拍摄所述检查对象物的图像，并基于所拍摄的图像来进行所述检查对象物的不良的检测。2.根据权利要求1所述的超声波振动式不良检测装置，其特征在于所述检查对象物包含成为不良的检测对象的对象部及并未成为不良的检测对象的非对象部，所述控制部在使自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的频率变化时，以根据所述摄像装置所拍摄的图像检测的所述对象部的振幅相对于根据所述摄像装置所拍摄的图像检测的所述非对象部的振幅的比率成为既定值以上的方式，调整自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的电压。3.根据权利要求1或2所述的超声波振动式不良检测装置，其特征在于包括：电流传感器，检测自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的电流，所述控制部在使自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的频率变化时，以所述电流传感器所检测的电流成为既定的范围内的方式，调整自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的电压。4.根据权利要求1或2所述的超声波振动式不良检测装置，其特征在于所述控制部包含映射，所述映射以自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的电流成为既定的范围内的方式，预先规定自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的电压相对于自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的频率的变化，在使自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的频率变化时，基于所述映射来调整自所述电源对所述超声波振动器供给的所述高频电力的电压。5.根据权利要求1至4中任一项所述的超声波振动式不良检测装置，其特征在于所述检查对象物为半导体装置，包括：基板；半导体元件，安装于所述基板；以及线材，将所述半导体元件的电极与所述基板的电极连接，或者将所述半导体元件的一个电极与所述半导体元件的另一电极连接，所述控制部在使自所述电源...
【专利技术属性】
技术研发人员：麦可，
申请(专利权)人：雅马哈智能机器控股株式会社，
类型：发明
国别省市：
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