一种高导热低密度低介电常数有机硅材料的制备工艺制造技术

本发明专利技术公开一种高导热低密度低介电常数有机硅材料的制备工艺，包括如下步骤：步骤S1：准备有机硅材料的原材料液态有机硅一、有机硅包覆处理后的氮化硼填料、催化剂一、抑制剂一；将有机硅材料的原材料置于真空高速分散机中真空分散均匀后，取出测试物料粘度；测试完成后，使用双辊压片机进行压片，并用120℃恒温烘箱固化20min后，取出冷却；然后对冷却后的压片进行测试相应性能。本发明专利技术利用氮化硼亲油疏水的特性，通过特殊包覆工艺对氮化硼进行表面处理，处理后的氮化硼表面为致密的有机硅包覆层，极大的提升氮化硼在有机硅体系中的填充量，制备出可连续化大批量生产的各向同性高导热，低介电常数的导热材料。低介电常数的导热材料。

【技术实现步骤摘要】
一种高导热低密度低介电常数有机硅材料的制备工艺


[0001]本专利技术涉及导热材料
，特别涉及一种高导热低密度低介电常数有机硅材料的制备工艺。

技术介绍

[0002]随着电子行业高速发展，可穿戴智能设备、无人飞行器和新能源汽车行业的迅速崛起，对导热材料的密度和介电常数提出了更为严苛的要求，高密度导热材料直接影响设备便捷性和内部结构的稳定性；高介电常数材料会干扰信号传递，降低电路的可靠性，并且限制了频率的进一步提高。常规的导热材料都有各自的缺陷，低介电常数在高导热的前提下难以兼顾，而通过定向排列工艺制备的低介电常数的高导热材料又因为特殊的生产工艺使导热性能具有各向异性，同时繁琐的生产工艺导致无法大批量生产，因此对于各向同性高导热，低介电常数材料的制备显得尤为迫切。
[0003]如专利CN112552688B中，使用甲苯为溶剂，在生产过程对环境以及作业人员的健康有危害的风险，且由于氮化硼特殊的晶型结构，导致氮化硼表面无常规导热材料有硅烷偶联剂可以结合的基团，所以硅烷偶联剂无法对氮化硼像对其他导热填料进行有效的包覆，填充量以及制成导热材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高导热低密度低介电常数有机硅材料的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：准备有机硅材料的原材料液态有机硅一、有机硅包覆处理后的氮化硼填料、催化剂一、抑制剂一，其中有机硅包覆处理后的氮化硼填料制备的具体工艺包括如下步骤：步骤S101：准备液态有机硅、氮化硼填料、催化剂、去离子水、硅油乳化剂、抑制剂材料；步骤S102:取液态有机硅、硅油乳化剂、催化剂、抑制剂置于搅拌速度为30r/min
‑
90r/min的加热搅拌釜中，搅拌10min
‑
30min，待充分搅匀后设置搅拌釜温度为40℃
‑
60℃；步骤S103：在料温达到40℃
‑
60℃时，设置搅拌速度600r/min
‑
1000r/min，并将150份
‑
210份去离子水以1
‑
2份/min的滴加速度，滴入搅拌釜中，得到有机硅包覆乳液，冷却备用；步骤S104：取50份
‑
150份包覆乳液于搅拌釜中，设置搅拌速度80
‑
160r/min，在搅拌状态下将25份
‑
75份氮化硼填料以5份
‑
10份/次，每次加料间隔15min
‑
25min的方式5次加完；步骤S105：在第五次加料间隔15min
‑
25min后，设置搅拌速度40r/min
‑
80r/min，搅拌釜温度70℃
‑
90℃，搅拌30min
‑
90min后，抽滤并在100℃
‑
140℃恒温烘箱烘干100min
‑
150min，取出冷却后得到有机硅包覆处理的氮化硼填料备用；步骤S2:将有机硅材料的原材料置于真空高速分散机中真空分散均匀后，取出测试物料粘度；步骤S3：测试完成后，使用双辊压片机进行压片，并用110℃
‑
130℃恒温烘箱固化15min
‑
30min后，取出冷却；步骤S4：然后对冷却后的压片进行测试相应性能。2.根据权利要求1所述的高导热低密度低介电常...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐浩，罗裕锋，张浩清，李华，李中鹏，
申请(专利权)人：深圳联腾达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：