一种套刻测量方法技术

本发明专利技术公开了一种套刻测量方法。该方法包括：获取第一层图形以及与第一层图形相邻的第一层中间层图形形成的第一图像；依次获取第i+1层中间层图形以及与第i+1层中间层图形相邻的第i+2层中间层图形形成的第i+2图像；获取第i+2层中间层图形以及与第i+2层中间层图形相邻的第二层图形形成的第i+3图像，其中，各层中间层图形依次叠放在第一层图形之上；第二层图形叠放在第i+2层中间层图形之上；根据第一图像至第i+3图像获得第一套刻误差至第i+3套刻误差，进而将第一套刻误差至第i+3套刻误差累加获得第一图像相对于第二图像的套刻误差。本发明专利技术实施例通过在套刻标记内外圈图形之间增加中间层，简化了套刻量测工艺复杂性，提高了套刻量测精度和量测产率。套刻量测精度和量测产率。套刻量测精度和量测产率。

【技术实现步骤摘要】
一种套刻测量方法


[0001]本专利技术涉及套刻测量
，尤其涉及一种套刻测量方法。

技术介绍

[0002]套刻量测设备作为一种基于光学量测工具，被广泛应用于太阳能电池、集成电路、显示面板等行业。套刻量测设备，是通过光学检测设备量测前序工艺和当前工艺分别制备的套刻图形之间的位置偏差，实现对两个工艺层之间的套刻对准偏差的量测。
[0003]对于两个工艺层间的厚度差小于光学镜头可用焦深的场景，通常将光学镜头的焦面置于前后两个工艺层之间1/2厚度处，然后拍摄照片，并利用图像处理计算得到该图片中前后两个工艺层的套刻图形中心位置之间的偏差。对于两个工艺层间的厚度差大于光学镜头可用焦深的场景，无法通过单张图片同时获取前后两个工艺层套刻图形的清晰影像。此时通常选择将光学镜头聚焦在两个工艺层，分别拍摄一张图片，各自计算套刻图形中心位置，然后计算两层套刻中心位置的偏差。由于该方案中两个工艺层的图片拍摄时光学镜头Z轴高度不同且非同时拍摄。因此其套刻误差量测结果中不可避免的引入了水平位置的系统误差和随机误差的串扰。为了减小这种串扰的影响，现有方案通过更高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻测量方法，其特征在于，包括：获取第一层图形以及与所述第一层图形相邻的第一层中间层图形形成的第一图像；依次获取所述第一层中间层图形以及与所述第一层中间层图形相邻的第二层中间层图形形成的第二图像，所述第二层中间层图形以及与所述第二层中间层图形相邻的第三层中间层图形形成的第三图像，......，第i+1层中间层图形以及与所述第i+1层中间层图形相邻的第i+2层中间层图形形成的第i+2图像；获取第i+2层中间层图形以及与所述第i+2层中间层图形相邻的第二层图形形成的第i+3图像；其中，各层中间层图形依次叠放在所述第一层图形之上；所述第二层图形叠放在第i+2层中间层图形之上；相邻两层图形之间的间距小于图像采集设备的焦深；i为整数且i≥0；根据所述第一图像至所述第i+3图像获得第一套刻误差至第i+3套刻误差，进而将第一套刻误差至第i+3套刻误差累加获得第一图像相对于第二图像的套刻误差。2.根据权利要求1所述的套刻测量方法，其特征在于，在所述图像采集设备每次采集图像时，在相邻两次采集图像时，所述图像采集设备的焦面距离中间层图形的顶部的离焦量相同。3.根据权利要求2所述的套刻测量方法，其特征在于，所述第一层图形和所述第二层图形沿叠层方向的距离为第一高度，各中间层图形在所述第一层图形和所述第二层图形之间的高度占比相同。4.根据权利要求3所述的套刻测量方法，其特征在于，所述图像采集设备的焦面位于各图层图形的中间高度位置处，所述图像采集设备的拍摄次数比图层图形的层数总数少一。5.根据权利要求3所述的套刻测量方法，其特征在于，在所述图像采集设备每次采集图像，所述图像采集设备的焦面位于图层图形的顶部。6.根据权利要求1所述的套刻测量方法，其特征在于，各中间层图形包括中间套刻标识，所述第一层图形包括第一套刻标识，所述第二层图形包括第二套刻标识；各所述中间套刻标识、所述第一套刻标识、所述第二套刻标...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨朝兴，齐景超，
申请(专利权)人：合肥御微半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：