一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

技术编号:36966403 阅读:12 留言:0更新日期:2023-03-22 19:26
本发明专利技术公开了一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质。传感器位置校准方法,包括:在当前图案阵列移动到传感器视场后,对传感器焦面进行校准;在传感器焦面校准后,获取传感器捕获的图案阵列局部图,并确定与图案阵列局部图匹配的目标特征图形;确定目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置,并获取目标特征图形在基底的基底名义位置;根据待校准位置以及基底名义位置,确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据。本发明专利技术实施例的技术方案提升了传感器位置校准的效率,降低了人工成本。降低了人工成本。降低了人工成本。

【技术实现步骤摘要】
一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质


[0001]本专利技术涉及校准
,尤其涉及一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]“摩尔定律”等概念引领IC(Integrated Circuit Chip,微型电子器件)行业工艺技术节点不断提升,其中光刻技术是支持IC不断发展的主要技术之一。而在光刻工艺过程中套刻设备的集成需要对传感器位置进行校准,使芯片良品率得到保证。
[0003]在对传感器位置进行校准时,由于标定内容相互影响需要依赖于人工操作,并且在标定校准时需要搜索大范围的标志物,使得现有传感器位置的校准存在校准效率较低,以及人工成本高的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质,以解决传感器位置校准效率较低以及人工成本高的问题。
[0005]根据本专利技术的一方面,提供了一种传感器位置校准方法,包括:
[0006]在当前图案阵列移动到传感器视场后,对传感器焦面进行校准;
[0007]在传感器焦面校准后,获取传感器捕获的图案阵列局部图,并确定与图案阵列局部图匹配的目标特征图形;
[0008]确定目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置,并获取目标特征图形在基底的基底名义位置;
[0009]根据待校准位置以及基底名义位置,确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据;水平向校准数据,用于描述校准传感器的水平向偏移量。
[0010]根据本专利技术的另一方面,提供了一种传感器位置校准装置,包括:
[0011]焦面校准模块,用于在当前图案阵列移动到传感器视场后,对传感器焦面进行校准;
[0012]目标特征图形确定模块,用于在传感器焦面校准后,获取传感器捕获的图案阵列局部图,并确定与图案阵列局部图匹配的目标特征图形;
[0013]位置确定模块,用于确定目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置,并获取目标特征图形在基底的基底名义位置;
[0014]水平向校准数据确定模块,用于根据待校准位置以及基底名义位置,确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据;水平向校准数据,用于描述传感器的水平向校准偏移量。
[0015]根据本专利技术的另一方面,提供了一种电子设备,所述电子设备包括:
[0016]至少一个处理器;以及
[0017]与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
[0018]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序,所述计算机程序
被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行本专利技术任一实施例所述的传感器位置校准方法。
[0019]根据本专利技术的另一方面,提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机指令,所述计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术任一实施例所述的传感器位置校准方法。
[0020]本专利技术实施例的技术方案,通过将当前图案阵列移动到传感器视场,并对传感器焦面进行校准,进而在传感器焦面校准后,获取传感器捕获的图案阵列局部图,并确定与图案阵列局部图匹配的目标特征图形,从而确定目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置,并获取目标特征图形在基底的基底名义位置,进一步根据待校准位置以及基底名义位置,确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据。本方案在传感器焦面校准后,基于待校准位置以及基底名义位置,确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据,可以保证在传感器视场成像清晰的前提下,基于待校准位置以及基底名义位置,确定补偿观测误差的数据,即得到与当前图案阵列匹配的水平向校准数据,从而基于水平向校准数据对传感器进行位置校准后,能够使传感器准确观测所需观测位置的图像,避免观测误差,解决了现有传感器位置校准存在的校准效率较低,以及人工成本高的问题,提升了传感器位置校准的效率,降低了人工成本。
[0021]应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本专利技术实施例一提供的一种传感器位置校准方法的流程图;
[0024]图2是本专利技术实施例一提供的一种曝光场与图案阵列的关系图;
[0025]图3是本专利技术实施例一提供的一种图案阵列中图案元素的示意图;
[0026]图4是本专利技术实施例二提供的一种传感器位置校准方法的流程图;
[0027]图5是本专利技术实施例二提供的一种传感器的位置校准流程的示意图;
[0028]图6是本专利技术实施例三提供的一种传感器位置校准装置的结构示意图;
[0029]图7示出了可以用来实施本专利技术的实施例的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0030]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本专利技术保护的范围。
[0031]需要说明的是,本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“当前”、“目
标”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0032]实施例一
[0033]图1是本专利技术实施例一提供的一种传感器位置校准方法的流程图,本实施例可适用于对传感器进行高效位置校准的情况,该方法可以由传感器位置校准装置来执行,该传感器位置校准装置可以采用硬件和/或软件的形式实现,该传感器位置校准装置可配置于电子设备中。如图1所示,该方法包括:
[0034]S110、在当前图案阵列移动到传感器视场后,对传感器焦面进行校准。
[0035]其中,传感器视场可以用于表示传感器的视野范围。当前图案阵列可以是移动至传感器的视野范围下的图案阵列。可选的,一个硅片基底上的每个曝光场中可以制作一个图案阵列,组成图案阵列的图案元素可以由矩形以及矩形内的预设图案构成。传感器焦面可以是传感器中摄像头能够清晰成像的焦面。
[0036]图2是本专利技术实施例一提供的一种曝光场与图案阵列的关系图,如图2本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种传感器位置校准方法,其特征在于,包括:在当前图案阵列移动到传感器视场后,对传感器焦面进行校准;在传感器焦面校准后,获取传感器捕获的图案阵列局部图,并确定与所述图案阵列局部图匹配的目标特征图形;确定所述目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置,并获取目标特征图形在基底的基底名义位置;根据所述待校准位置以及所述基底名义位置,确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据;所述水平向校准数据,用于描述校准传感器的水平向偏移量。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述确定所述目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置之前,还包括:根据所述目标特征图形在传感器视场的位置,生成工作台调整指令;通过所述工作台调整指令,调整工作台上基底的位置,以使所述目标特征图形位于传感器视场中心。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定所述目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置,包括:在所述目标特征图形位于传感器视场中心时,获取传感器视场中心在基底垂直投影的水平向位置;将所述传感器视场中心在基底垂直投影的水平向位置,作为所述目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取目标特征图形在基底的基底名义位置,包括:确定与所述目标特征图形匹配的目标位置信息图形;根据所述目标位置信息图形,确定所述目标特征图形在当前图案阵列中的目标阵列位置;根据所述目标阵列位置,确定所述目标特征图形在基底的基底名义位置。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述获取传感器视场中心在基底垂直投影的水平向位置之前,还包括:获取传感器转姿调整参数;根据所述传感器转姿调整参数,对传感器视场中心位置进行调整,并获取传感器转姿视场数据;根据所述传感器转姿视场数据,对传感器姿态进...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱昊天
申请(专利权)人:合肥御微半导体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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