使用特征图像的三维掩模仿真中的掩模角圆化效应制造技术

本公开涉及使用特征图像的三维掩模仿真中的掩模角圆化效应。光刻掩模的布局几何形状被接收。布局几何形状包括具有一个或多个圆角的至少一个形状。布局几何形状被分割为例如从库中所选择的多个特征图像。特征图像包括至少一个掩模角圆化(MCR)校正的特征图像，其说明形状的圆角。特征图像具有对应的掩模3D(M3D)滤波器，其表示针对给定的源照明的特征图像的电磁散射效应。通过将特征图像与其对应的M3D滤波器进行卷积来计算来自特征图像中的每个特征图像的掩模函数贡献。掩模函数贡献被组合以确定用于由源照明所照明的掩模的掩模函数。以确定用于由源照明所照明的掩模的掩模函数。以确定用于由源照明所照明的掩模的掩模函数。

【技术实现步骤摘要】
使用特征图像的三维掩模仿真中的掩模角圆化效应
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]根据35U.S.C.
§
119(e)，本申请要求于2021年9月2日提交的美国临时专利申请号63/240，039“Mask Corner Rounding Effects in Lithography Simulations”和于2022年8月29日提交的美国非临时专利申请号17/897,529的优先权。所有前述内容的
技术实现思路
通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及光刻掩模仿真，包括用于全芯片或大规模计算光刻应用。

技术介绍

[0004]半导体晶片的制造中的一个步骤涉及光刻。在常规光刻工艺中，源产生由收集/照明光学器件收集和引导以照明光刻掩模的光。投影光学器件将由被照明的掩模产生的图案中继到晶片上，根据照明图案曝光晶片上的抗蚀剂。然后图案化的抗蚀剂在晶片上被使用在制造结构的工艺中。
[0005]各种技术涉及改进光刻工艺，包括光刻掩模的设计。在计算光刻中，光刻掩模设计被用作三维掩模模型的输入，其被用于计算描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：接收光刻掩模的布局几何形状，所述布局几何形状包括具有一个或多个圆角的至少一个形状；由一个或多个处理器将所述布局几何形状分割为多个特征图像，其中所述特征图像包括至少一个掩模角圆化MCR校正的特征图像，所述掩模角圆化校正的特征图像说明所述形状的所述圆角；通过将所述特征图像与对应的掩模3D滤波器进行卷积，来计算来自所述多个特征图像中的每个特征图像的掩模函数MF贡献，其中与每个特征图像对应的所述掩模3D滤波器表示所述特征图像的电磁散射效应；以及基于经计算的所述MF贡献的组合来确定用于所述光刻掩模的掩模函数。2.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述MCR校正的特征图像的所述掩模3D滤波器和用于与所述MCR校正的特征图像相对应的基于多边形的特征图像的掩模3D滤波器相同，其中所述基于多边形的特征图像基于尖角。3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述布局几何形状分割为多个特征图像包括：将所述布局几何形状分割为多个基于多边形的特征图像；以及校正所述基于多边形的特征图像中的至少一个基于多边形的特征图像，以产生所述MCR校正的特征图像。4.根据权利要求3所述的方法，其中针对所述至少一个基于多边形的特征图像的校正通过所述圆角的角度和所述圆角的曲率而被参数化。5.根据权利要求3所述的方法，其中针对所述至少一个基于多边形的特征图像的校正是基于由源照明所照明的具有圆角的所述特征图像、通过掩模结构的所述散射效应的严格电磁仿真而被确定的。6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述布局几何形状分割为多个特征图像包括：将所述布局几何形状分割为多个基于多边形的特征图像；以及针对具有圆角的至少一个形状，针对所述形状校正所述基于多边形的特征图像中的所有特征图像，以产生针对所述形状的MCR校正的特征图像。7.根据权利要求6所述的方法，其中针对所述形状的所述特征图像由以下组成：区域图像、一个或多个单边缘图像和多个多边缘图像。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述掩模函数作为输入应用于阿贝成像模型或霍普金斯成像模型。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述布局几何形状包括针对整个芯片的布局几何形状。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻掩模的源照明是极紫外EUV或深紫外DUV照明。11.一种系统，包括：计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储指令和库，所述库包含预定义的特征图像和对应的预先计算的掩模3D滤波器；以及处理器设备，所述处理器设备与所述计算机可读存储介质耦合并且用以执行所述指令，所述指令在被执行时使所述处理器设备以：
基于被包含在所述库中的所述预定义的特征图像将光刻掩模的布局几何形状分...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，
申请(专利权)人：美商新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：