一种芯片转移方法及承载基板技术

本发明专利技术涉及一种芯片转移方法及承载基板。利用带有凹槽的承载基板转移并承接生长衬底上脱落的LED芯片，在分离生长衬底与LED芯片之前，并不要求LED芯片在与承载基板建立固定连接，这样在利用激光剥离LED芯片之前，先在LED芯片与承载基板的槽底间预留间隙，以便后续LED芯片脱离生长衬底后，该间隙可以转移到LED芯片与生长衬底之间，形成供N2通过的通道，实现了N2有序排放，避免了N2因缺少排泄通道而冲击损坏LED芯片的问题，提升了LED芯片的转移良率。同时，因为承载基板利用凹槽对落下的LED芯片进行限位，可以不需要使用胶材粘接LED芯片，避免了后续胶材残留于LED芯片上的问题，有利于提升LED芯片的出光效果。于提升LED芯片的出光效果。于提升LED芯片的出光效果。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片转移方法及承载基板


[0001]本专利技术涉及芯片转移
，尤其涉及一种芯片转移方法及承载基板。

技术介绍

[0002]通常GaN(氮化镓)基的LED芯片在生长衬底上生长制备之后，出于散热性能、导电性能等方面的考虑，需要将LED芯片自生长衬底上剥离，转移到暂态基板上：例如，通常是在暂态基板的一面上设置粘接层，然后利用粘接层接近并与生长衬底上的LED芯片粘接，随后采用激光照射LED芯片与生长衬底的界面，因为LED芯片是GaN基的，GaN材料在激光的照射下出现GaN
→
Ga+N2的反应，N2逸出，同时金属Ga的熔点(30℃)比较低，在激光下处于熔融状态，所以LED芯片与生长衬底间的结合力消息，LED芯片得以从生长衬底上脱离。不过，当激光照射GaN材料时，GaN分解速度快，大量N2在短时间内以较大的速度释放，会对LED芯片造成冲击，甚至在很多情况下会导致LED芯片被冲碎，不仅影响LED芯片的转移良率，也增加了LED芯片的成本。
[0003]因此，如何在利用激光剥离LED芯片时减小N2冲击对LED芯片的损坏是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移方法及承载基板，旨在解决LED芯片自生长衬底剥离时容易因N2的冲击而受损的问题。
[0005]本专利技术提供一种芯片转移方法，包括：
[0006]提供一具有多个凹槽的承载基板，多个凹槽的槽口朝向相同；
[0007]对承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，至LED芯片悬于凹槽的槽底之上；以及
[0008]利用激光从生长衬底上剥离LED芯片，使LED芯片落入凹槽中。
[0009]上述芯片转移方法中，在对生长衬底上的LED芯片进行转移时，使用了具有多个凹槽的承载基板，先将承载基板与生长衬底进行对位，以保证让LED芯片悬在凹槽的槽底之上，然后利用激光从生长衬底上剥离LED芯片，因为LED芯片与凹槽对齐，所以，在LED芯片与生长衬底分离时候降火落入凹槽中。凹槽可以对LED芯片起到一定的限位作用，保证LED芯片在承载基板上的位置可以相对固定。更重要的是，由于LED芯片位于生长衬底时其与凹槽的槽底之间存在间隙，故在其落入凹槽中以后该间隙就转移到了其与生长衬底之间，这就在LED芯片与生长衬底之间为N2留出了逸出通道，避免了N2因无处释放而冲击LED芯片，导致LED芯片破损的问题发生，所以上述芯片转移方法有利于提升LED芯片的转移良率与芯片品质，降低LED芯片的成本。同时，因为承载基板通过凹槽承接并限位LED芯片，这样就不需要使用粘接胶层，在后续转移过程中，转移头可以轻易从承载基板上拾取LED芯片，不仅提升了LED芯片的转移效率，也避免胶材残留在LED芯片上影响其出光效果的问题，进一步增强了LED芯片的品质。
[0010]可选地，对承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，至LED芯片悬于凹槽的槽底之上包括：
[0011]对承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，以使LED芯片悬空置于凹槽中。
[0012]上述芯片转移方法中在将承载基板与生长衬底对位后，会使得LED芯片悬空置于凹槽中，可以理解的是，承载基板上凹槽的排布与生长衬底上LED芯片的排布基本相同，这种排布密度保证了凹槽整体不会特别大，故，当LED芯片悬空置于凹槽中以后，即便在与生长衬底分离的过程中会受到N2气流的作用，但因为凹槽槽壁的阻挡而不会出现翻转与偏移，这进一步提升了LED芯片的转移良率。
[0013]可选地，提供一具有多个凹槽的承载基板包括：
[0014]提供一承载板；
[0015]在承载板上设置掩膜版，掩膜版上包括多个镂空区域，且镂空区域在掩膜版中的排布方式与LED芯片在生长衬底上的排布方式相同；
[0016]透过掩膜版对承载板进行刻蚀，刻蚀深度小于承载板的厚度；
[0017]去除掩膜版，以得到具有多个凹槽的承载基板。
[0018]可选地，提供一承载板包括：提供一下载板，并在下载板上形成一金属层；
[0019]在承载板上设置掩膜版包括：在金属层远离下载板的一面上设置掩膜版。
[0020]上述芯片转移方法中，因为制备承载基板的承载板中包括金属层，且凹槽是从金属层所在一侧进行刻蚀得到的，所以凹槽中部分空间位于金属层中，相较于其他材质，金属材质的硬度更大，能够保证在设置数量巨大的凹槽的情况下而不出现塌陷形变，有利于提升承载基板的品质，增加承载基板在芯片转移过程中的性能。
[0021]可选地，透过掩膜版对承载板进行刻蚀包括：
[0022]透过掩膜版对金属层进行刻蚀，直至镂空区域中的承载板外露。
[0023]上述芯片转移方法中，因为凹槽的设置仅通过对金属层的刻蚀就已实现，因此不需要再对金属层下的下载板进行刻蚀，所以凹槽的设置不会影响下载板的结构，这进一步提升承载基板的品质。
[0024]可选地，利用激光从生长衬底上剥离LED芯片之前，还包括：
[0025]对生长衬底上的LED芯片进行检测，识别出坏点LED芯片；
[0026]利用激光从生长衬底上剥离LED芯片包括：
[0027]根据坏点LED芯片在生长衬底上的位置利用激光对生长衬底上的LED芯片进行选择性剥离。
[0028]上述芯片转移方法中，因为在将LED芯片转移到承载基板之后，会先识别并剔除坏点LED芯片，然后才将剩余的LED芯片选择性地转移到驱动背板上，这避免了将坏点LED芯片转移到驱动背板后再进行芯片修补的过程，简化了显示面板制备的流程，提升了显示面板制备的效率，降了显示面板制备的成本。
[0029]可选地，LED芯片为第一LED芯片，生长衬底为第二生长衬底；利用激光从生长衬底上剥离LED芯片之后，还包括：
[0030]对承载基板与带有多颗第二LED芯片的第二生长衬底进行对位，至部分第二LED芯片悬于空置凹槽的槽底之上；以及
[0031]利用激光从第二生长衬底上剥离与空置凹槽对应的第二LED芯片，使第二LED芯片落入空置凹槽中，第二LED芯片与第一LED芯片颜色不同；
[0032]利用转移头将凹槽中的第一LED芯片与第二LED芯片选择性地转移并键合至驱动背板上。
[0033]上述芯片转移方法中，可以先将不同颜色的LED芯片转移到同一承载基板上，然后再利用转移头将这些不同颜色的LED芯片选择性地转移到驱动背板上，实现全彩转移的效果。
[0034]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种承载基板，应用于前述任一项的芯片转移方法，包括：
[0035]承载板；以及
[0036]设置在承载板上的多个凹槽，多个凹槽的槽口朝向相同。
[0037]上述承载基板具有多个凹槽，在用于转移LED芯片时，先与生长衬底进行对位，以保证让LED芯片悬在凹槽的槽底之上，然后利用激光从生长衬底上剥离LED芯片，因为LED芯片与凹槽对齐，所以，在LED芯片与生长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：提供一具有多个凹槽的承载基板，所述多个凹槽的槽口朝向相同；对所述承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，至所述LED芯片悬于所述凹槽的槽底之上；以及利用激光从所述生长衬底上剥离所述LED芯片，使所述LED芯片落入所述凹槽中。2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对所述承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，至所述LED芯片悬于所述凹槽的槽底之上包括：对所述承载基板与带有多颗LED芯片的生长衬底进行对位，以使所述LED芯片悬空置于所述凹槽中。3.如权利要求1或2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述提供一具有多个凹槽的承载基板包括：提供一承载板；在所述承载板上设置掩膜版，所述掩膜版上包括多个镂空区域，且所述镂空区域在所述掩膜版中的排布方式与所述LED芯片在所述生长衬底上的排布方式相同；透过所述掩膜版对所述承载板进行刻蚀，刻蚀深度小于所述承载板的厚度；去除所述掩膜版，以得到具有多个凹槽的承载基板。4.如权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，所述提供一承载板包括：提供一下载板，并在所述下载板上形成一金属层；在所述承载板上设置掩膜版包括：在所述金属层远离所述下载板的一面上设置掩膜版。5.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述透过所述掩膜版对所述承载板进行刻蚀包括：透过所述掩膜版对所述金属层进行刻蚀，直至所述镂空区域中的所述承载板外露。6.如权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：范春林，蔡明达，汪楷伦，汪庆，詹蕊绮，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：