本发明专利技术涉及一种Micro
【技术实现步骤摘要】
一种Micro
‑
LED显示面板及其制备方法
[0001]本专利技术涉及LED封装显示
,具体涉及一种Micro
‑
LED显示面板。
技术介绍
[0002]传统的有机显示面板结构,其有机发光层的稳定性较差,因此显示面板的寿命较短,且驱动电压较大,不利于降低能耗。因此,Micro
‑
LED显示面板被广泛研究,其具有能耗小,寿命长,发光温度,体积小等优点。
[0003]但是现有的Micro
‑
LED显示面板因为其体积小,在转移时不易对准和吸附,不利于Micro
‑
LED芯片的巨量转移效率和可靠性,且其排布的方式对显示效果影响很大。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种Micro
‑
LED显示面板,包括基以及设置在所述基板上的Micro
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LED芯片阵列;所述Micro
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LED芯片阵列包括多列第一颜色LED芯片、多列第二颜色LED芯片和多列第三颜色LED芯片,多列第一颜色LED芯片、多列第二颜色LED芯片和多列第三颜色LED芯片在行方向依次循环排布;并且多列第一颜色LED芯片包括多个第一颜色LED芯片,多列第二颜色LED芯片包括多个第二颜色LED芯片,多列第三颜色LED芯片包括多个第三颜色LED芯片;每个第一颜色LED芯片、第二颜色LED芯片和第三颜色LED芯片均包括在列方向上对称且依次排列的第一发光结构和第二发光结构;其中,在行方向上,每种颜色LED芯片与两个不同颜色的LED芯片部分重叠,且所述第一发光结构和第二发光结构依次间隔排布。
[0005]作为优选的方案,俯视观察时,所述第一发光结构和所述第二发光结构组成沙漏形状,所述第一发光结构和所述第二发光结构分别呈三角形、半椭圆形或梯形,且所述第一发光结构和所述第二发光结构的发光面积在朝向对称轴的方向上逐渐变小。
[0006]作为优选的方案,在每个LED芯片中,所述第一发光结构和第二发光结构均包括在衬底层上的外延结构,所述外延结构包括N型外延层、发光层和P型外延层。
[0007]作为优选的方案,在每个LED芯片中,所述P型外延层上具有第一电极,在所述外延结构的外侧具有隔离结构,且在隔离结构的外侧具有第二电极;所述第二电极位于所述沙漏形状的窄部的两侧。
[0008]作为优选的方案,俯视观察时,在每个LED芯片中,所述衬底层呈两头宽中间窄的形状,且所述衬底层的窄部形成为内凹部。
[0009]作为优选的方案,在行方向上相邻的两个不同颜色的LED芯片,其中一个LED芯片的一个顶角嵌入于另一个LED芯片的内凹部中。
[0010]作为优选的方案,在列方向上,相邻的两个相同颜色的LED芯片之间具有一挡墙;在行方向上,所述挡墙的长度大于或等于每个LED芯片的宽度。
[0011]作为优选的方案,所述挡墙的高度大于每个LED芯片的高度。
[0012]本专利技术的有益效果在于:
本专利技术利用具有对称设置的两个发光结构的Micro
‑
LED芯片作为单个芯片进行LED显示面板的组装,其不但可以保证电连接的便捷性,且每个发光结构作为子像素构成部分,保证发光的均匀性,且减小子像素之间的距离,提高分辨率。特别的,在相同颜色的Micro
‑
LED芯片之间还设置挡墙,以保证RGB组成的像素点的出光独立性。
附图说明
[0013]图1为本专利技术Micro
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LED显示面板的多个Micro
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LED芯片排布图。
[0014]图2为沿着图1的A1A2线的截面图。
[0015]图3为沿着图1的B1B2线的截面图。
[0016]图4为本专利技术的单个Micro
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LED芯片结构的俯视图。
[0017]图5为本专利技术的单个Micro
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LED芯片结构的剖视图。
[0018]附图标记说明10
‑ꢀ
Micro
‑
LED芯片10;20
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挡墙;11
‑
衬底;12
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N型外延层;13
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发光层;14
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P型外延层;15
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P电极;16
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N电极;17
‑
绝缘层;R
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第一颜色LED芯片;G
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第二颜色LED芯片;B
‑
第三颜色LED芯片。
具体实施方式
[0019]为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0020]如图1
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5所示,本实施例提供一种Micro
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LED显示面板,包括基板上的Micro
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LED芯片阵列,该基板中包括多个驱动TFT元件和驱动电路,其电连接至Micro
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LED芯片阵列以驱动芯片发光形成显示结构。
[0021]Micro
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LED芯片阵列包括多个Micro
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LED芯片10,多个Micro
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LED芯片10包括至少三种颜色的LED芯片,例如图中所示出的多列第一颜色LED芯片R、多列第二颜色LED芯片G和多列第三颜色LED芯片B,多列第一颜色LED芯片R、多列第二颜色LED芯片G和多列第三颜色LED芯片B在行方向依次循环排布。
[0022]如图1所示,俯视观察时,每个Micro
‑
LED芯片10均呈沙漏形状,其长度方向为列方向,其宽度方向为行方向。参见图5,每个Micro
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LED芯片10均包括衬底11以及衬底11上的功
能层。衬底11可以是透明衬底,以形成倒装结构。衬底11上包括N型外延层12、发光层13和P型外延层14等功能层。
[0023]其中,衬底11的面积可以比发光层13和P型外延层14的面积更大,但是衬底11的面积等于N型外延层12的面积,即使得N型外延层12完全覆盖衬底11的上表面。衬底11的形状可以是沙漏结构,具体的可以参见图4,在Micro
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LED芯片10的长度方向上呈现由宽变窄再变宽的对称结构,具体的,其可以是两个等腰梯形的拼接结构。
[0024]每个Micro
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LED芯片10具有两个在其长度方向上对称排列的两个发光结构,每个发光结构可以均呈三角形或梯形或半个椭圆形或半个圆形的形状。每个Micro
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LED芯片10的两个发光结构也构成为沙漏形状,并且,沙漏形状的构成主要由刻蚀形成的发光本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
LED显示面板,包括基板以及设置在所述基板上的Micro
‑
LED芯片阵列;所述Micro
‑
LED芯片阵列包括多列第一颜色LED芯片、多列第二颜色LED芯片和多列第三颜色LED芯片,多列第一颜色LED芯片、多列第二颜色LED芯片和多列第三颜色LED芯片在行方向依次循环排布;并且多列第一颜色LED芯片包括多个第一颜色LED芯片,多列第二颜色LED芯片包括多个第二颜色LED芯片,多列第三颜色LED芯片包括多个第三颜色LED芯片;每个第一颜色LED芯片、第二颜色LED芯片和第三颜色LED芯片均包括在列方向上对称且依次排列的第一发光结构和第二发光结构;其中,在行方向上,每种颜色LED芯片与两个不同颜色的LED芯片部分重叠,且所述第一发光结构和第二发光结构依次间隔排布。2.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED显示面板,其特征在于:俯视观察时,所述第一发光结构和所述第二发光结构组成沙漏形状,所述第一发光结构和所述第二发光结构分别呈三角形、半椭圆形或梯形,且所述第一发光结构和所述第二发光结构的发光面积在朝向对称轴的方向上逐渐变小。3.根据权利要求2所述的Micro
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LED显...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗雪方,陈文娟,罗子杰,
申请(专利权)人:罗化芯显示科技开发江苏有限公司,
类型:发明
国别省市:
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