【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体显示，具体涉及一种微发光二极管显示面板及其形成方法。
技术介绍
1、微发光二极管显示面板的显示原理如下：首先将发光二极管芯片的结构进行薄膜化、微小化以及阵列化，使得微发光二极管单元的尺寸仅在1~10μm等级左右，然后将微发光二极管单元批量式转移至驱动电路基板上（驱动电路基板包括下电极以及晶体管），然后再利用物理气相沉积和/或化学气相沉积工艺完成保护层与上电极的制备，最后进行上基板的封装，以得到微发光二极管显示面板。现有的微发光二极管显示面板中，为了避免相邻微发光二极管单元之间的光串扰，需要设置黑矩阵，进而造成微发光二极管显示面板的封装难度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种微发光二极管显示面板及其形成方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提出的一种微发光二极管显示面板的形成方法，所述微发光二极管显示面板的形成方法包括以下步骤：
3、提供第一临时载板、第二临时载板以及第三临时载板，在所述第一临时载板、第二临时载板、第三临时载板上分别设置多个第一颜色微led芯片、多个第二颜色微led芯片、多个第三颜色微led芯片。
4、通过喷涂工艺分别形成第一封装层、第二封装层、第三封装层，所述第一封装层包裹每个所述第一颜色微led芯片，所述第二封装层包裹每个所述第二颜色微led芯片，所述第三封装层包裹每个所述第三颜色微led芯片。
5、接着在对每个所述第一颜色微led芯片的侧面、每个所述第二颜色微
6、对所述第一封装层、第二封装层以及第三封装层分别进行热处理，使得分别注入到所述第一封装层、所述第二封装层以及第三封装层中的金属离子团聚以形成金属纳米颗粒。
7、提供一驱动基板，将多个所述第一颜色微led芯片、多个所述第二颜色微led芯片、多个所述第三颜色微led芯片分别转移至所述驱动基板，相邻第一颜色微led芯片之间具有一个第二颜色微led芯片和一个第三颜色微led芯片。
8、在所述驱动基板上形成有机封装层，对所述有机封装层进行研磨处理。
9、作为优选的技术方案，所述第一颜色微led芯片、所述第二颜色微led芯片以及所述第三颜色微led芯片的颜色不同。
10、作为优选的技术方案，所述第一临时载板、所述第二临时载板以及所述第三临时载板的材质包括塑料、陶瓷、金属或陶瓷。
11、作为优选的技术方案，通过静电喷涂工艺分别形成第一封装层、第二封装层、第三封装层。
12、作为优选的技术方案，所述静电喷涂工艺的静电电压为20-80kv，喷涂压力为0.2-0.5mpa，在所述静电喷涂工艺之后，在100-300℃下分别对所述第一封装层、所述第二封装层以及所述第三封装层进行热处理。
13、作为优选的技术方案，所述金属离子注入处理的具体工艺为：注入的金属离子为铝、铜、银、镍、铂、钛、钯中的一种或多种。
14、作为优选的技术方案，所述金属离子的注入剂量为4×1015 cm-2-6×1017 cm-2，所述金属离子的注入能量200 ev-10000 ev。
15、作为优选的技术方案，热处理的温度200℃-600℃，热处理的时间为100秒-800秒。
16、本专利技术还提出一种微发光二极管显示面板，其采用上述微发光二极管显示面板的形成方法制造形成的。
17、本专利技术的有益效果在于：
18、在本专利技术的微发光二极管显示面板的形成方法中，在将各颜色的微led芯片转移至驱动基板之前，预先通过喷涂工艺在各颜色微led芯片的侧面形成封装层，然后对各颜色微led芯片的侧面进行金属离子注入处理，使得金属离子注入到封装层中，然后进行热处理，使得分别注入到封装层中的金属离子团聚以形成金属纳米颗粒，然后再将各颜色微led芯片转移至驱动基板上，进而使得封装层具有反射功能，进而避免额外设置黑矩阵，降低封装工艺难度。
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1.一种微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述微发光二极管显示面板的形成方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述第一颜色微LED芯片、所述第二颜色微LED芯片以及所述第三颜色微LED芯片的颜色不同。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述第一临时载板、所述第二临时载板以及所述第三临时载板的材质包括塑料、陶瓷、金属或陶瓷。
4.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：通过静电喷涂工艺分别形成第一封装层、第二封装层、第三封装层。
5.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述静电喷涂工艺的静电电压为20-80KV，喷涂压力为0.2-0.5MPa，在所述静电喷涂工艺之后，在100-300℃下分别对所述第一封装层、所述第二封装层以及所述第三封装层进行热处理。
6.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述金属离子注入处理的具体工艺为：注入的金属离子为铝、铜、银
7.根据权利要求6所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述金属离子的注入剂量为4×1015 cm-2-6×1017 cm-2，所述金属离子的注入能量200 eV-10000eV。
8.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：热处理的温度200℃-600℃，热处理的时间为100秒-800秒。
9.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的微发光二极管显示面板的形成方法制造形成的。
...【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述微发光二极管显示面板的形成方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述第一颜色微led芯片、所述第二颜色微led芯片以及所述第三颜色微led芯片的颜色不同。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述第一临时载板、所述第二临时载板以及所述第三临时载板的材质包括塑料、陶瓷、金属或陶瓷。
4.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：通过静电喷涂工艺分别形成第一封装层、第二封装层、第三封装层。
5.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板的形成方法，其特征在于：所述静电喷涂工艺的静电电压为20-80kv，喷涂压力为0.2-0.5mpa，在所述静电喷涂...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈文娟，李雍，毕成，
申请(专利权)人：罗化芯显示科技开发江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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