【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片巨量转移装置及方法
[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及发光二极管芯片巨量转移装置及方法。
技术介绍
[0002]在现有技术中，发光二极管芯片制备工艺流程过程中，巨量转移作为技术突破关键点，其流程主要包含激光剥离、巨量转移以及检测修复，其中实现选择性激光剥离技术是巨量转移的核心，选择性激光转移方式主要靠贴合的方式进行转移，此方式转移效率低，转移工艺流程复杂，大大降低了转移效率和良率。
[0003]因此，如何简化发光二极管芯片巨量转移的流程步骤是亟需解决的问题。
技术实现思路
[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供巨量转移装置及方法，旨在解决巨量转移发光二极管芯片时，无需让发光二极管芯片与背板贴合，简化整个发光二极管芯片巨量转移的工艺流程。
[0005]一种发光二极管芯片巨量转移装置，所述巨量转移装置包括相背的第一表面和第二表面，所述巨量转移装置包括多个贯穿第一表面和第二表面的用于为所述发光二极管芯片导向的导向槽，所述导向槽包括处于第一表面的第一端口和处在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片巨量转移装置，其特征在于：所述巨量转移装置包括相背的第一表面和第二表面，所述巨量转移装置包括多个贯穿第一表面和第二表面的用于为所述发光二极管芯片导向的导向槽，所述导向槽包括处于第一表面的第一端口和处在第二表面的第二端口，以限制转移所述发光二极管芯片时的着陆位置。2.如权利要求1所述的发光二极管芯片巨量转移装置，其特征在于，所述导向槽自第一端口朝所述第二端口所在方向逐渐缩口。3.一种发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，所述方法应用如权利要求1或2所述的巨量转移装置进行巨量转移，所述方法包括步骤：使带有多个发光二极管芯片的第一晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位，其中，所述第一晶圆片靠近所述巨量转移装置的第一表面，且每个发光二极管芯片对应一个导向槽的第一端口；使背板与所述巨量转移装置匹配对位，其中，所述背板靠近所述巨量转移装置的第二表面，所述背板具有多个待安装位置，所述背板的待安装位置与所述巨量转移装置的第二端口对应；使用激光选择性的剥离处于第一晶圆片上的发光二极管芯片，使得被剥离的发光二极管芯片经由导向槽导向以预设姿态处于所述背板的待安装位置。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述巨量转移装置的第一表面设置有至少两个第一对位点，所述第一晶圆片具有至少两个第二对位点，所述使带有多个发光二极管芯片的第一晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位时，使第一晶圆片中第二对位点分别与所述巨量转移装置中第一对位点对应。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述背板具有至少两个第三对位点，使背板与所述巨量转移装置匹配对位时，使所述背板中第三对位点与所述巨量转移装置中第一对位点对应。6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述发光二极管芯片包括阴极和阳极，所述背板的每个待安装区域包括第一共晶金...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪庆，萧俊龙，汪楷伦，蔡明达，詹蕊绮，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。