发光二极管芯片巨量转移装置及方法制造方法及图纸

本申请涉及一种发光二极管芯片巨量转移装置及方法，所述方法包括步骤：使带有多个发光二极管芯片的第一晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位，每个发光二极管芯片对应一个导向槽的第一端口；使背板与所述巨量转移装置匹配对位，所述背板靠近所述巨量转移装置的第二表面，所述背板具有多个待安装位置，所述背板的待安装位置与所述巨量转移装置的第二端口对应；使用激光选择性的剥离处于第一晶圆片上的发光二极管芯片，使得被剥离的发光二极管芯片经由导向槽导向以预设姿态处于所述背板的待安装位置。利用导向槽对发光二极管芯片进行导向，以使得发光二极管芯片以预设姿态处于所述背板的待安装位置，精简了发光二极管芯片巨量转移的步骤。转移的步骤。转移的步骤。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片巨量转移装置及方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及发光二极管芯片巨量转移装置及方法。

技术介绍

[0002]在现有技术中，发光二极管芯片制备工艺流程过程中，巨量转移作为技术突破关键点，其流程主要包含激光剥离、巨量转移以及检测修复，其中实现选择性激光剥离技术是巨量转移的核心，选择性激光转移方式主要靠贴合的方式进行转移，此方式转移效率低，转移工艺流程复杂，大大降低了转移效率和良率。
[0003]因此，如何简化发光二极管芯片巨量转移的流程步骤是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供巨量转移装置及方法，旨在解决巨量转移发光二极管芯片时，无需让发光二极管芯片与背板贴合，简化整个发光二极管芯片巨量转移的工艺流程。
[0005]一种发光二极管芯片巨量转移装置，所述巨量转移装置包括相背的第一表面和第二表面，所述巨量转移装置包括多个贯穿第一表面和第二表面的用于为所述发光二极管芯片导向的导向槽，所述导向槽包括处于第一表面的第一端口和处在第二表面的第二端口，所述导向槽自第一端口朝所述第二端口所在方向逐渐缩口，以限制转移所述发光二极管芯片时的着陆位置。
[0006]通过在所述巨量转移装置中设置有限制发光二极管芯片着陆位置的导向槽，使得发光二极管芯片在巨量转移过程中，无需通过贴合发光二极管芯片便可限定所述发光二极管芯片的位置，可简化发光二极管芯片在巨量转移过程中的工艺过程。
[0007]可选的，所述巨量转移装置的第一表面设置有至少两个第一对位点；以方便所述巨量转移装置的匹配对位。
[0008]基于同样的专利技术构思，本申请提供一种发光二极管芯片巨量转移方法，所述方法应用如上所述的巨量转移装置，所述方法包括步骤：
[0009]使带有多个发光二极管芯片的第一晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位，其中，所述第一晶圆片靠近所述巨量转移装置的第一表面，且每个发光二极管芯片对应一个导向槽的第一端口；
[0010]使背板与所述巨量转移装置匹配对位，其中，所述背板靠近所述巨量转移装置的第二表面，所述背板具有多个待安装位置，所述背板的待安装位置与所述巨量转移装置的第二端口对应；
[0011]使用激光选择性的剥离处于第一晶圆片上的发光二极管芯片，使得被剥离的发光二极管芯片经由导向槽导向以预设姿态处于所述背板的待安装位置。
[0012]通过在巨量转移装置中开设多个导向槽，利用导向槽对发光二极管芯片进行导向，以使得发光二极管芯片以预设姿态处于所述背板的待安装位置，实现对发光二极管芯
片的巨量转移，精简了发光二极管芯片巨量转移的步骤。
[0013]可选的，所述第一晶圆片具有至少两个第二对位点，所述使带有多个发光二极管芯片的第一晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位时，使第一晶圆片中第二对位点分别与所述巨量转移装置中第一对位点对应；通过使第一晶圆片的第二对位点分别与所述巨量转移装置中的第二对位点匹配对位，方便所述第一晶圆片中各个发光二极管芯片分别与所述巨量转移装置中导向槽对应，进而方便各个导向槽分别对各个发光二极管芯片导向。
[0014]可选的，所述背板具有至少两个第三对位点，使背板与所述巨量转移装置匹配对位时，使所述背板中第三对位点与所述巨量转移装置中第一对位点对应；通过使背板得第三对位点分别与所述巨量装置中第一对位点对位，方便巨量转移装置中的导向槽将发光二极管芯片导向至所述背板的待安装位置。
[0015]可选的，所述发光二极管芯片包括阴极和阳极，所述背板的每个待安装区域包括第一共晶金属和第二共晶金属；使得被剥离的发光二极管芯片经由导向槽导向以预设姿态处于所述背板的待安装位置，包括：
[0016]使被剥离的发光二极管芯片进入与之对应的导向槽，经由所述导向槽的内壁限制所述发光二极管的着陆位置，使得发光二极管芯片的阴极和阳极分别与背板的待安装位置中的第一共晶金属、第二共晶金属接触；通过发光二极管芯片的阴极、阳极分别与背板中待安装位置的第一共晶金属、第二共晶金属接触，以实现各个发光二极管芯片与背板中各个待安装位置的有效连接。
[0017]可选的，在使得被剥离的发光二极管芯片经由导向槽导向以预设姿态处于所述背板的待安装位置之后，还包括步骤：
[0018]对所述背板的各个待安装位置中的第一共晶金属、第二共晶金属加热；
[0019]使被剥离的发光二极管芯片的阴极、阳极分别与第一共晶金属、第二共晶金属连接；进一步使得发光二极管芯片与所述待安装位置连接稳固。
[0020]可选的，所述使用激光选择性的剥离处于第一晶圆片上的发光二极管芯片，包括步骤：
[0021]通过检测装置检测所述第一晶圆片中各个发光二极管芯片并得到检测结果；
[0022]基于检测结果选择性的剥离处于第一晶圆片上的发光二极管芯片。
[0023]通过选择性的剥离第一晶圆片中的发光二极管芯片，可保证安装在所述背板中待安装位置的发光二极管芯片均符合相关标准。
[0024]可选的，所述方法还包括步骤：
[0025]检测所述背板中各个待安装位置具有发光二极管芯片的情况；
[0026]基于所述背板中各个待安装位置具有发光二极管芯片的情况，在让第一晶圆片与所述巨量转移装置脱离后，使带有发光二极管芯片的第二晶圆片与所述巨量转移装置对位；
[0027]基于所述背板中各个待安装位置具有发光二极管芯片的情况，确定第二晶圆片中需要被剥离的发光二极管芯片的坐标；
[0028]基于所述坐标使用激光选择性的剥离处于第二晶圆片上的发光二极管芯片，使得被剥离的发光二极管芯片经由导向槽导向以预设姿态处于所述背板的待安装位置。
[0029]通过提供具有发光二极管芯片的第二晶圆片，通过激光有选择性的剥离第二晶圆
片中的发光二极管芯片，对所述背板进行修补，以将第二晶圆片中的发光二极管芯片安装到所述背板中，以使所述背板中每个待安装位置都对应安装有一个发光二极管芯片。
[0030]所述第二晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位时，所述第二晶圆片中靠近所述巨量转移装置的表面与所述背板中待安装位置的距离为d，其中，发光二极管芯片的厚度为h，d大于2h，避免第二晶圆片中带有的发光二极管芯片与已安装在所述背板中的发光二极管芯片出现干涉。
附图说明
[0031]图1为本申请实施例提供的发光二极管芯片巨量转移方法的流程图；
[0032]图2为本申请实施例提供的带有发光二极管芯片的第一晶圆片的结构示意图；
[0033]图3为本申请实施例提供的巨量转移装置的结构示意图；
[0034]图4为本申请实施例提供的背板的结构示意图；
[0035]图5为本申请实施例提供的使发光二极管芯片从第一晶圆片剥离至背板的结构示意图；
[0036]图6为本申请实施例提供的将第二晶圆片中的发光二极管芯片修补到背板的结构示意图。
[0037]附图标记说明：
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片巨量转移装置，其特征在于：所述巨量转移装置包括相背的第一表面和第二表面，所述巨量转移装置包括多个贯穿第一表面和第二表面的用于为所述发光二极管芯片导向的导向槽，所述导向槽包括处于第一表面的第一端口和处在第二表面的第二端口，以限制转移所述发光二极管芯片时的着陆位置。2.如权利要求1所述的发光二极管芯片巨量转移装置，其特征在于，所述导向槽自第一端口朝所述第二端口所在方向逐渐缩口。3.一种发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，所述方法应用如权利要求1或2所述的巨量转移装置进行巨量转移，所述方法包括步骤：使带有多个发光二极管芯片的第一晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位，其中，所述第一晶圆片靠近所述巨量转移装置的第一表面，且每个发光二极管芯片对应一个导向槽的第一端口；使背板与所述巨量转移装置匹配对位，其中，所述背板靠近所述巨量转移装置的第二表面，所述背板具有多个待安装位置，所述背板的待安装位置与所述巨量转移装置的第二端口对应；使用激光选择性的剥离处于第一晶圆片上的发光二极管芯片，使得被剥离的发光二极管芯片经由导向槽导向以预设姿态处于所述背板的待安装位置。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述巨量转移装置的第一表面设置有至少两个第一对位点，所述第一晶圆片具有至少两个第二对位点，所述使带有多个发光二极管芯片的第一晶圆片与所述巨量转移装置匹配对位时，使第一晶圆片中第二对位点分别与所述巨量转移装置中第一对位点对应。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述背板具有至少两个第三对位点，使背板与所述巨量转移装置匹配对位时，使所述背板中第三对位点与所述巨量转移装置中第一对位点对应。6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述发光二极管芯片包括阴极和阳极，所述背板的每个待安装区域包括第一共晶金...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪庆，萧俊龙，汪楷伦，蔡明达，詹蕊绮，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：