显示装置及用于制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置及用于制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：第一基底；像素电极，位于第一基底上；发光元件，分别位于像素电极上，并且包括：第一半导体层；第二半导体层；以及活性层，位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中，发光元件包括：第一发光元件，包括活性层中的第一活性层；第二发光元件，包括活性层中的与第一活性层不同的第二活性层；第三发光元件，包括活性层中的与第一活性层和第二活性层不同的第三活性层；以及第四发光元件，包括活性层中的与第一活性层至第三活性层不同的第四活性层；以及共电极层，位于发光元件上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及用于制造显示装置的方法


[0001]公开涉及一种显示装置以及用于制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求正在以各种形式增加。显示装置可以是诸如液晶显示器、场发射显示器和发光显示器的平板显示器。发光显示器可以包括有机发光显示器和无机发光显示器，有机发光显示器包括有机发光二极管元件作为发光元件，无机发光显示器包括无机半导体元件作为发光元件。
[0003]最近，已经开发了包括发光显示器的头戴式显示器。头戴式显示器是虚拟现实(VR)或增强现实(AR)眼镜型监视器装置，头戴式显示器由使用者以眼镜或头盔的形式佩戴并且在眼睛前方的短距离处形成焦点。

技术实现思路

[0004]公开的方面提供了一种超高分辨率显示装置，该超高分辨率显示装置包括无机发光元件并且每单位面积包括大量的发射区域。
[0005]公开的方面还提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法，在该显示装置中，通过由定位在显示区域中的发光元件发射各种颜色的光来补充对应波段的光的量。
[0006]然而，公开的方面不限于这里阐述的那些方面。通过参照下面给出的公开的详细描述，公开的以上和其他方面对于公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
[0007]根据一些实施例的显示装置包括用于发射不同颜色的光的发光元件，以补充在每个像素中显示的对应颜色的光的量，从而可以改善显示质量。
[0008]公开的方面不限于上述方面，并且各种其他方面包括在说明书中。
[0009]根据公开的一些实施例，显示装置包括：第一基底；像素电极，位于第一基底上；发光元件，分别位于像素电极上，并且包括：第一半导体层；第二半导体层；以及活性层，位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中，发光元件包括：第一发光元件，包括活性层中的第一活性层；第二发光元件，包括活性层中的与第一活性层不同的第二活性层；第三发光元件，包括活性层中的与第一活性层和第二活性层不同的第三活性层；以及第四发光元件，包括活性层中的与第一活性层至第三活性层不同的第四活性层；以及共电极层，位于发光元件上。
[0010]活性层可以包括铟，其中，第一活性层中的铟的含量高于第二活性层至第四活性层中的铟的含量，其中，第二活性层中的铟的含量高于第三活性层和第四活性层中的铟的含量，并且其中，第三活性层中的铟的含量高于第四活性层中的铟的含量。
[0011]第一发光元件可以被构造为发射具有在约600nm至约750nm的范围内的中心波段的第一颜色的光，其中，第二发光元件被构造为发射具有在约550nm至约600nm的范围内的中心波段的第二颜色的光，其中，第三发光元件被构造为发射具有在约480nm至约560nm的范围内的中心波段的第三颜色的光，并且其中，第四发光元件被构造为发射具有在约370nm
至约460nm的范围内的中心波段的第四颜色的光。
[0012]第一发光元件至第四发光元件的直径可以相同。
[0013]第一发光元件的直径可以大于第二发光元件至第四发光元件的直径，其中，第四发光元件的直径大于第二发光元件和第三发光元件的直径。
[0014]第二发光元件的直径和第三发光元件的直径可以相同。
[0015]共电极层可以包括与第二半导体层的材料相同的材料，其中，第二半导体层与共电极层一体化。
[0016]所述显示装置还可以包括：第一连接电极，分别位于第一半导体层上；第二连接电极，分别位于第一连接电极与像素电极之间；以及第三连接电极，位于共电极层的其上定位有发光元件的表面上，其中，第二连接电极分别与像素电极直接接触，并且第三连接电极分别与第一基底上的共电极连接部分直接接触。
[0017]所述显示装置还可以包括：绝缘层，围绕发光元件的侧表面，并且具有直接位于共电极层上的部分；以及反射层，在绝缘层上围绕发光元件的侧表面。
[0018]所述显示装置还可以包括基体层，基体层位于共电极层上并且包括未掺杂的半导体。
[0019]根据公开的一些实施例，显示装置包括：第一基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；像素电极，在显示区域中位于第一基底上；发光元件，分别位于像素电极上，并且包括：第一半导体层；第二半导体层；以及活性层，位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中，发光元件包括：第一发光元件，被构造为发射具有在约600nm至约750nm的范围内的中心波段的第一颜色的光；第二发光元件，被构造为发射具有在约550nm至约600nm的范围内的中心波段的第二颜色的光；第三发光元件，被构造为发射具有在约480nm至约560nm的范围内的中心波段的第三颜色的光；以及第四发光元件，被构造为发射具有在约370nm至约460nm的范围内的中心波段的第四颜色的光；以及共电极层，位于显示区域和非显示区域中，并且连接到发光元件。
[0020]发光元件可以在第一方向上以及在与第一方向交叉的第二方向上间隔开，其中，第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件在第二方向上交替地定位。
[0021]第二发光元件和第三发光元件可以在第一方向上间隔开，其中，第一发光元件和第四发光元件在与第一方向交叉的第二方向上间隔开，其中，第一发光元件和第二发光元件在第一斜线方向上间隔开，第一斜线方向在第一方向上的一侧与第二方向上的一侧之间，其中，第三发光元件和第四发光元件在第一斜线方向上间隔开，其中，第一发光元件和第三发光元件在第二斜线方向上间隔开，第二斜线方向在第一方向上的所述一侧与第二方向上的另一侧之间，并且其中，第二发光元件和第四发光元件在第二斜线方向上间隔开。
[0022]第一发光元件的直径可以大于第二发光元件至第四发光元件的直径，其中，第四发光元件的直径大于第二发光元件和第三发光元件的直径，并且其中，第二发光元件的直径和第三发光元件的直径相同。
[0023]第二发光元件与第三发光元件之间的间隔可以大于第一发光元件与第四发光元件之间的间隔，其中，第一发光元件与第二发光元件之间的间隔小于第三发光元件与第四发光元件之间的间隔。
[0024]第一发光元件的直径、第二发光元件的直径、第三发光元件的直径和第四发光元
件的直径可以相同。
[0025]第一发光元件和第三发光元件可以在第一方向上间隔开，其中，第二发光元件和第四发光元件在第一方向上间隔开，其中，第一发光元件和第四发光元件在第一斜线方向上间隔开，第一斜线方向是从第一方向倾斜的倾斜方向，并且其中，第二发光元件和第三发光元件在与第一斜线方向交叉的第二斜线方向上间隔开。
[0026]第一发光元件的中心部分和第三发光元件的中心部分可以位于在第一方向上延伸的第一参考线上，其中，第二发光元件的中心部分和第四发光元件的中心部分位于在第一方向上延伸的第二参考线上。
[0027]第二发光元件的中心部分可以在第一方向上与第三参考线间隔开，第三参考线在与第一方向交叉的第二方向上穿过第一发光元件的中心部分，其中，第四发光元件的中心部分在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；像素电极，位于所述第一基底上；发光元件，分别位于所述像素电极上，并且包括：第一半导体层；第二半导体层；以及活性层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，其中，所述发光元件包括：第一发光元件，包括所述活性层中的第一活性层；第二发光元件，包括所述活性层中的与所述第一活性层不同的第二活性层；第三发光元件，包括所述活性层中的与所述第一活性层和所述第二活性层不同的第三活性层；以及第四发光元件，包括所述活性层中的与所述第一活性层至所述第三活性层不同的第四活性层；以及共电极层，位于所述发光元件上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述活性层包括铟，其中，所述第一活性层中的铟的含量高于所述第二活性层至所述第四活性层中的铟的含量，其中，所述第二活性层中的铟的含量高于所述第三活性层和所述第四活性层中的铟的含量，并且其中，所述第三活性层中的铟的含量高于所述第四活性层中的铟的含量。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件被构造为发射具有在600nm至750nm的范围内的中心波段的第一颜色的光，其中，所述第二发光元件被构造为发射具有在550nm至600nm的范围内的中心波段的第二颜色的光，其中，所述第三发光元件被构造为发射具有在480nm至560nm的范围内的中心波段的第三颜色的光，并且其中，所述第四发光元件被构造为发射具有在370nm至460nm的范围内的中心波段的第四颜色的光。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件至所述第四发光元件的直径相同。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件的直径大于所述第二发光元件至所述第四发光元件的直径，并且其中，所述第四发光元件的直径大于所述第二发光元件和所述第三发光元件的直径。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二发光元件的所述直径和所述第三发光元件的所述直径相同。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电极层包括与所述第二半导体层的材料相同的材料，并且其中，所述第二半导体层与所述共电极层一体化。8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一连接电极，分别位于所述第一半导体层上；第二连接电极，分别位于所述第一连接电极与所述像素电极之间；以及第三连接电极，位于所述共电极层的其上定位有所述发光元件的表面上，其中，所述第二连接电极分别与所述像素电极直接接触，并且所述第三连接电极分别
与所述第一基底上的共电极连接部分直接接触。9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：绝缘层，围绕所述发光元件的侧表面，并且具有直接位于所述共电极层上的部分；以及反射层，在所述绝缘层上围绕所述发光元件的所述侧表面。10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括基体层，所述基体层位于所述共电极层上并且包括未掺杂的半导体。11.一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；像素电极，在所述显示区域中位于所述第一基底上；发光元件，分别位于所述像素电极上，并且包括：第一半导体层；第二半导体层；以及活性层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，其中，所述发光元件包括：第一发光元件，被构造为发射具有在600nm至750nm的范围内的中心波段的第一颜色的光；第二发光元件，被构造为发射具有在550nm至600nm的范围内的中心波段的第二颜色的光；第三发光元件，被构造为发射具有在480nm至560nm的范围内的中心波段的第三颜色的光；以及第四发光元件，被构造为发射具有在370nm至460nm的范围内的中心波段的第四颜色的光；以及共电极层，位于所述显示区域和所述非显示区域中，并且连接到所述发光元件。12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔鎭宇，金敏佑，朴声国，白成恩，崔海润，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
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