本发明专利技术提供了一种电子装置的制造方法,其包括提供一载板、在所述载板上形成一发光模块以及将所述发光模块转移到一目标基板。在所述载板上形成一发光模块包括将一发光单元转移到所述载板、在所述载板上形成一电路层以及在所述载板上形成一图案化光吸收层,其中所述图案化光吸收层包括一开口,所述发光单元通过所述开口电连接到所述电路层。述开口电连接到所述电路层。述开口电连接到所述电路层。
【技术实现步骤摘要】
电子装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种电子装置的制造方法,特别是涉及一种包括光吸收层的电子装置的制造方法。
技术介绍
[0002]近年来,发光二极管因其低耗能、寿命长、体积小等优点而广泛地应用于电子装置中,其中发光二极管元件可被微小化以改善电子装置的显示效果。由于发光二极管元件的微小化可能导致接合或电连接的异常情况,因此可将发光二极管元件模块化。然而,将现有的发光二极管模块接合到目标基板后,较难以形成可提升显示装置的对比度的遮光或吸光结构,使得显示装置的显示效果受到影响。因此,如何改善包括发光二极管模块的电子装置的对比度对于本领域来说仍是一项重要的议题。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供了一种电子装置的制造方法,使得电子装置的光吸收层可至少部分设置于电路层与发光单元之间,以此改善电子装置的显示效果。
[0004]在一些实施例中,本专利技术提供了一种电子装置的制造方法,其包括提供一载板、在载板上形成一发光模块以及将发光模块转移到一目标基板。在载板上形成一发光模块包括将一发光单元转移到载板、在载板上形成一电路层以及在载板上形成一图案化光吸收层,其中图案化光吸收层包括一开口,发光单元通过开口电连接到电路层。
[0005]在另一些实施例中,本专利技术提供了一种电子装置的制造方法,其包括提供一载板、在载板上形成一发光模块、在载板上将发光模块分成多个子发光模块以及在载板上将发光模块分成子发光模块之后,将子发光模块中的至少一个转移到一目标基板。在载板上形成一发光模块包括将多个发光单元转移到载板以及在载板上形成一电路层。
附图说明
[0006]图1为本专利技术第一实施例的电子装置的制造方法的流程示意图。
[0007]图2到图3为本专利技术第一实施例的电子装置的制造流程示意图。
[0008]图4到图5为本专利技术第一实施例的一变化实施例的电子装置的制造流程示意图。
[0009]图6为本专利技术第二实施例的电子装置的制造方法的流程示意图。
[0010]图7到图9为本专利技术第二实施例的电子装置的制造流程示意图。
[0011]图10为本专利技术第二实施例的一变化实施例的发光模块的剖视示意图。
[0012]图11为本专利技术第二实施例的一变化实施例的光吸收层的设置示意图。
[0013]图12为本专利技术第二实施例的一变化实施例的发光模块的剖视示意图。
[0014]图13为本专利技术第二实施例的一变化实施例的发光模块的剖视示意图。
[0015]图14为本专利技术第三实施例的电子装置的制造方法的流程示意图。
[0016]图15到图16为本专利技术第三实施例的电子装置的制造流程示意图。
[0017]图17为本专利技术第三实施例的一变化实施例的发光模块的俯视示意图。
[0018]图18为本专利技术第三实施例的一变化实施例的发光模块的电路层的底视示意图。
[0019]图19为本专利技术第三实施例的一变化实施例的子发光模块的转移过程的示意图。
[0020]图20为本专利技术第三实施例的一变化实施例的子发光模块的转移过程的示意图。
[0021]图21到图22为本专利技术第三实施例的一变化实施例的电子装置的制造示意图。
[0022]图23为图21所示的支撑基板的不同设置方法的示意图。
[0023]图24为本专利技术第三实施例的一变化实施例的电子装置的制造示意图。
[0024]图25为本专利技术第三实施例的一变化实施例的电子装置的制造示意图。
[0025]图26为本专利技术第三实施例的一变化实施例的电子装置的制造示意图。
[0026]附图标记说明:100、200、300
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方法;BP、BP1、BP2、BP3
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接合垫;BR
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接合区域;CL
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电路层;CP
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覆盖层;CR
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载板;CS
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支撑基板;CT
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切割道;E1
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第一电极;E2
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第二电极;ED
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电子装置;EN
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封装层;F2、F1
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边缘;GP
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间隙;HE
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转移头;HIN
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高折射率绝缘层;IL
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绝缘层;IOL1
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第一无机层;IOL2
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第二无机层;L1
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光线;LIN
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低折射率绝缘层;LL
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发光层;LM
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发光模块;LS
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图案化光吸收层;LS2、LS3
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遮光层;LU、LU1、LU2、LU3
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发光单元;OL1
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第一有机层;OS
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出光面;PL
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保护层;PU
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像素单元;RI
‑
光调整层;RL
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绝缘层;RS
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凹槽;S102、S104、S1042、S1044、S1046、S106、S302、S304、S3042、S3044、S3046、S306、S308
‑
步骤;SC
‑
牺牲层;SM、SM1、SM2
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子发光模块;SUP
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支撑基板;T1
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最大宽度;TOS、TOS1
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顶表面;TS
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目标基板;VA
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开口;W2、W1、W3、W4、W5、T2
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距离;W6
‑
接合宽度;W7、W8、T3、H2、H1、W9、W10
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宽度;WL
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走线层;X、Y、Z
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方向;θ1
‑
夹角。
具体实施方式
[0027]通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本专利技术,须注意的是,为了使读者能容易了解及为了附图的简洁,本专利技术中的多张附图只绘出电子装置的一部分,且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外,图中各元件的数量及尺寸仅作为示意,并非用来限制本专利技术的范围。
[0028]本专利技术通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解,电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。
[0029]在下文说明书与权利要求书中,“含有”与“包括”等词为开放式词语,因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
[0030]应了解到,当元件或膜层被称为“设置在”另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时,它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或膜层,或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地,当元件被称为“直本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造电子装置的方法,其特征在于,包括:提供一载板;在所述载板上形成一发光模块,其包括:将一发光单元转移到所述载板;在所述载板上形成一电路层;以及在所述载板上形成一图案化光吸收层,所述图案化光吸收层包括一开口,所述发光单元通过所述开口电连接到所述电路层;以及将所述发光模块转移到一目标基板。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述载板上形成所述电路层的步骤是在将所述发光单元转移到所述载板之前所进行。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述载板上形成所述电路层的步骤是在将所述发光单元转移到所述载板之后所进行。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括在将所述发光模块转移到所述目标基板之前,先将所述发光模块转移到另一载板。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述图案化光吸收层是通过印刷制程形成在所述载板上。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述图案化光吸收层是通过微影制程形成在所述载板上。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标基板被配置为可驱动所述发光单元。8.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈嘉源,蔡宗翰,李冠锋,
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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