外延结构及其制作方法、发光芯片制作及转移方法技术

本发明专利技术涉及一种外延结构及其制作方法、发光芯片制作及转移方法，在生长基板上的若干外延层上分别设有隔热保护单元，且各隔热保护单元相互分离，保证各外延层之间相互独立从而不影响外延层后续的转移，且各隔热保护单元分别至少将各若干外延层的顶面覆盖，使得各外延层从生长基板转移至临时基板上后，各外延层顶面的隔热保护单元贴合在临时基板上，在从临时基板将外延层转移至转移基板过程中，隔热保护单元可隔离激光照射的受热冲击，避免外延层内部受损，进而可提升发光芯片产品，以及利用发光芯片制得的显示产品或照明产品的良品率和可靠性。靠性。靠性。

【技术实现步骤摘要】
外延结构及其制作方法、发光芯片制作及转移方法


[0001]本专利技术涉及发光芯片领域，尤其涉及一种外延结构及其制作方法、发光芯片制作及转移方法。

技术介绍

[0002]Micro LED(Micro Light
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Emitting Diode，微小发光二极管)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示。
[0003]Micro LED显示面板上包括了若干像素区域SPR(Subpixel Rendering，子像素呈现)，每个像素区域SPR包括红光Micro LED芯片、蓝光Micro LED芯片、绿光Micro LED芯片。在显示面板的制作过程中，需要将红光Micro LED芯片、蓝光Micro LED芯片和绿光Micro LED芯片从各自的生长基板(Wafer)转移到显示背板上；例如，对于Micro LED芯片的转移过程如下：
[0004]将临时基板设有第一粘接层(为光解胶)的一面与生长基板上生长有红光Micro LED本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延结构，所述外延结构为发光芯片外延结构，其特征在于，包括：在生长基板上生长的若干外延层，各所述外延层之间相互分离，且各所述外延层的底面与所述生长基板贴合；分别设于所述若干外延层上的若干隔热保护单元，各所述隔热保护单元相互分离，且各所述隔热保护单元分别至少将各所述若干外延层的顶面覆盖，所述顶面为与所述底面相对的一面。2.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述隔热保护单元的材质为绝缘材质，且各所述隔热保护单元还分别将各所述若干外延层的至少一个侧面覆盖。3.如权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述隔热保护单元的材质为透光材质。4.一种如权利要求1
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3任一项所述的外延结构的制作方法，其特征在于，包括：在所述生长基板上生长所述若干外延层；分别在各所述外延层上形成所述隔热保护单元。5.一种发光芯片制作方法，其特征在于，利用如权利要求1
‑
3任一项所述的外延结构制作发光戏芯片，包括：将所述生长基板上生长的所述若干外延层转移至临时基板设置的光解胶层上，各所述外延层上的所述隔热保护单元粘接在所述光解胶层上；将所述临时基板上待转移的外延层转移至转移基板设有粘接胶层的一面上；在所述转移基板上的所述外延层上制作电极得到发光芯片；所述将所述临时基板上待转移的外延层转移至转移基板设有粘接胶层的一面上包括：将所述转移基板设有所述粘接胶层的一面与所述临时基板上所述外延层的所述底面贴合；从所述临时基板向所述光解胶层射入激光，使得所述临时基板上待转移的外延层与所述临时基板之间的所述光解胶层解除粘性；将所述转移基板与所述临时基板分离，所述待转移的外延层随所述转移基板与所述临时基板分离。6.如权利要求5所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述将所述转移基板设有所述粘接胶层的一面与所述临时基板上所述外延层的所述底面贴合之前，还包括：将所述临时基板上，位于各所述外延层之间的所述光解胶层去除。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣曈，洪温振，蔡明达，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：