本发明专利技术涉及一种发光芯片转移系统及发光芯片转移方法，包括在远离电路板正面的一侧设置的磁场产生装置，在芯片转移时，可直接将生长基板上的具有磁性的发光芯片与电路板正面上的芯片键合区对位，然后通过镭射装置照射发光芯片与生长基板之间的激光解离层使得发光芯片脱离生长基板，脱落的发光芯片在磁场产生装置所产生的磁场吸引下，准确的落至对位的芯片键合区，避免发光芯片在落至电路板的过程中发生位移或翻转；且本发明专利技术中的发光芯片转移系统，不再需要将发光芯片从生长基板转移至临时基板，再从临时基板转移至转移基板，也不再需要在临时基板、转移基板上制作弱化结构，转移效率更高，且转移成本更低。且转移成本更低。且转移成本更低。
【技术实现步骤摘要】
发光芯片转移系统及发光芯片转移方法
[0001]本专利技术涉及发光芯片转移领域，尤其涉及一种发光芯片转移系统及发光芯片转移方法。
技术介绍
[0002]巨量转移为Micro LED(Light
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Emitting Diode，发光二极管)的核心技术。而直接将Micro LED芯片从生长基板转移至显示背板，被公认是最终的巨量转移技术。但由于Micro LED芯片通常是通过氮化镓键合在生长基板上的，在将Micro LED芯片从生长基板转移至显示背板时，需要通过激光照射氮化镓使其解离以使得Micro LED芯片从生长基板脱离进而落至显示背板上，但是氮化镓解离时所产生的氮气会使Micro LED芯片在落至显示背板过程中产生位移或翻转，导致Micro LED芯片不能精确的转移至显示背板上对应的芯片键合区内。
[0003]因此，目前所采用的巨量转移技术，需要将Micro LED芯片从生长基板转移到临时基板，再通过转移基板从临时基板上选择性的拾取Micro LED芯片并转移至显示背板上。该过程需要在临时基板和转移基板上制作特定的弱化结构，且需要将发光芯片依次从生长基板转移至临时基板和转移基板，再从转移基板转移至显示背板，转移成本高且效率低。
[0004]因此，如何将LED芯片精确的直接从生长基板转移至显示背板，以提升LED芯片的转移效率并降低转移成本是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
[0005]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种发光芯片转移系统及发光芯片转移方法，旨在解决相关技术中，如何将LED芯片精确的直接从生长基板转移至显示背板，以提升LED芯片的转移效率并降低转移成本的问题。
[0006]本专利技术提供一种发光芯片转移系统，包括：
[0007]将发光芯片与电路板正面上的芯片键合区对位的生长基板；所述发光芯片具有磁性且通过激光解离层键合于所述生长基板上，所述发光芯片与其对位的所述芯片键合区之间具有间隙；
[0008]向所述激光解离层照射激光的镭射装置；所述激光解离层在所述激光照射下解离，以使所述发光芯片脱离所述生长基板；
[0009]设于远离所述电路板正面的一侧，用于在所述间隙内产生磁场的磁场产生装置，所述磁场用以吸引脱离所述生长基板的所述发光芯片落至对位的所述芯片键合区。
[0010]上述发光芯片转移系统，其包括在远离电路板正面的一侧设置的磁场产生装置，在芯片转移时，可直接将生长基板上的具有磁性的发光芯片与电路板正面上的芯片键合区对位，然后通过镭射装置照射发光芯片与生长基板之间的激光解离层使得发光芯片脱离生长基板，脱落的发光芯片在磁场产生装置所产生的磁场吸引(即引导)下，准确的落至对位的芯片键合区，避免发光芯片在落至电路板的过程中发生位移或翻转；且本专利技术中的发光
芯片转移系统，不再需要将发光芯片从生长基板转移至临时基板，再从临时基板转移至转移基板，也不再需要在临时基板、转移基板上制作弱化结构，转移效率更高，且转移成本更低。
[0011]基于同样的专利技术构思，本专利技术还提供一种发光芯片转移方法，应用于如上所述的发光芯片转移系统，包括：
[0012]将所述生长基板上的所述发光芯片与所述电路板上的所述芯片键合区对位设置；
[0013]向所述激光解离层照射激光，使得待转移的所述发光芯片脱离所述生长基板，并在所述磁场的吸引下落至对位的所述芯片键合区上。
[0014]上述发光芯片转移方法，从生长基板上脱落的发光芯片在磁场产生装置所产生的磁场吸引下，可准确的落至电路板上对位的芯片键合区，可避免发光芯片在落至电路板的过程中发生位移或翻转；且整个芯片转移过程不再需要将发光芯片从生长基板转移至临时基板，再从临时基板转移至转移基板，也不再需要在临时基板、转移基板上制作弱化结构，转移效率更高，且转移成本更低。
附图说明
[0015]图1为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图一；
[0016]图2为本专利技术实施例提供的发光芯片结构示意图；
[0017]图3为图2所示的发光芯片的俯视图；
[0018]图4为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图二；
[0019]图5为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图三；
[0020]图6为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图四；
[0021]图7为图6中的电路板的立体示意图；
[0022]图8为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图五；
[0023]图9为图8中的电路板的立体示意图；
[0024]图10为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图六；
[0025]图11为图10中的电路板的立体示意图；
[0026]图12为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图七；
[0027]图13为图12中的电路板的立体示意图；
[0028]图14
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1为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图八；
[0029]图14
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2为本专利技术实施例提供的发光芯片转移系统结构示意图九；
[0030]图15为本专利技术另一实施例提供的发光芯片转移方法流程示意图；
[0031]图16
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1为本专利技术另一实施例提供的生长基板与电路板对位设置示意图；
[0032]图16
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2为本专利技术另一实施例提供的发光芯片脱离生长基板的示意图；
[0033]图16
‑
3为本专利技术另一实施例提供的发光芯片转移至电路板上的示意图；
[0034]图16
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4为本专利技术另一实施例提供的下压板压合发光芯片的示意图；
[0035]图16
‑
5为本专利技术另一实施例提供的发光芯片键合于电路板上的示意图；
[0036]图17
‑
1为本专利技术另一实施例提供的第一生长基板与电路板对位设置示意图；
[0037]图17
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2为本专利技术另一实施例提供的第一发光芯片脱离第一生长基板的示意图；
[0038]图17
‑
3为本专利技术另一实施例提供的第一发光芯片转移至电路板上的示意图；
[0039]图17
‑
4为本专利技术另一实施例提供的第二生长基板与电路板对位设置示意图；
[0040]图17
‑
5为本专利技术另一实施例提供的第二发光芯片脱离第二生长基板的示意图；
[0041]图17
‑
6为本专利技术另一实施例提供的第二发光芯片转移至电路板上的示意图；
[0042]图17
‑
7为本专利技术另一实施例提供的第三生长基板与电路板对位设置示意图；
[0043]图17
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8为本专利技术另一实施例提供的第三发光芯片脱离第三生长基板的示意图；
[0044]图17
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9为本专利技术另本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光芯片转移系统，其特征在于，包括：将发光芯片与电路板正面上的芯片键合区对位的生长基板；所述发光芯片具有磁性且通过激光解离层键合于所述生长基板上，所述发光芯片与其对位的所述芯片键合区之间具有间隙；向所述激光解离层照射激光的镭射装置；所述激光解离层在所述激光照射下解离，以使所述发光芯片脱离所述生长基板；设于远离所述电路板正面的一侧，用于在所述间隙内产生磁场的磁场产生装置，所述磁场用以吸引脱离所述生长基板的所述发光芯片落至对位的所述芯片键合区。2.如权利要求1所述的发光芯片转移系统，其特征在于，所述电路板正面上设有多个芯片键合区，所述磁场产生装置包括多个与各所述芯片键合区一一对应的感应线圈，以及为各所述感应线圈提供电源的电源供应设备；所述感应线圈通电时，在其对应的所述芯片键合区和所述发光芯片之间的间隙内产生磁场。3.如权利要求2所述的发光芯片转移系统，其特征在于，所述磁场产生装置还包括设于各所述感应线圈和所述电源供应设备之间，用于控制各所述感应线圈与所述电源供应设备之间的导通和断开的开关。4.如权利要求2所述的发光芯片转移系统，其特征在于，所述磁场产生装置还包括分别将各所述感应线圈包覆的抗磁罩。5.如权利要求2所述的发光芯片转移系统，其特征在于，所述感应线圈设于所述电路板外。6.如权利要求2
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5任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧俊龙，印朝维，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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